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CLASS-AB類(lèi)音頻功率放大器產(chǎn)品選型指南
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2010/3/23 13:04:00
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音頻功率放大器是一個(gè)技術(shù)已經(jīng)相當成熟的領(lǐng)域,幾十年來(lái),無(wú)論從電路技術(shù)、元器件,甚至思想認識上都取得了長(cháng)足進(jìn)步。本文對目前主流的音頻功率放大器市場(chǎng)的現狀進(jìn)行了分析,詳細闡述了AB類(lèi)音頻功放的結構和工作原理,并列舉了目前手機市場(chǎng)上主流的AB類(lèi)音頻功放產(chǎn)品,希望能對工程師朋友在選擇這類(lèi)產(chǎn)品時(shí)有所幫助。
音頻功率放大器市場(chǎng)現狀及分析
近年來(lái),隨著(zhù)消費類(lèi)電子以及通訊娛樂(lè )產(chǎn)品市場(chǎng)的興起,應用于手機、MP3、MP4等便攜式多媒體設備以及電視、家庭音響、汽車(chē)音響等設備的音頻功率放大器技術(shù)得到了長(cháng)足發(fā)展,預期未來(lái)還會(huì )有廣闊的市場(chǎng)空間。
現階段音頻功放類(lèi)產(chǎn)品的主流為AB類(lèi)音頻功率放大器和D類(lèi)音頻功率放大器兩種,它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。單就手機市場(chǎng)而言,在中高檔多媒體手機中,非線(xiàn)性的D類(lèi)音頻放大器是理想的解決方案,它具有效率高、發(fā)熱少、功耗低、電池使用壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。但D類(lèi)放大器存在EMI電磁干擾的缺點(diǎn),雖然各大廠(chǎng)商致力于改善D類(lèi)技術(shù)的電磁干擾問(wèn)題,但手機小型化的趨勢給降低D類(lèi)音頻放大器的噪聲帶來(lái)了限制。封裝尺寸的壓縮致使音頻設計高度集成化,進(jìn)而導致編解碼器、電源管理和揚聲器輸出功能的混合信號集成,這種集成給噪聲管理帶來(lái)了困難。當D類(lèi)音頻放大器不斷減小封裝尺寸時(shí),需要面對更加困難的噪聲管理的挑戰。同時(shí)D類(lèi)音頻放大器居高不下的價(jià)格也讓AB類(lèi)音頻放大器繼續成為主流中低檔手機的首選。與D類(lèi)產(chǎn)品相比,AB類(lèi)技術(shù)在某些方面仍然具有一定優(yōu)勢,比如音頻性能好、THD+N(總諧波失真加噪聲)低、PSRR(電源抑制比)的絕對值高等。此外,AB類(lèi)的應用中沒(méi)有噼啪聲和咔嗒聲,噪聲很小,而且開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間都很短,可以實(shí)現節能方案。因此,在手機音頻IC市場(chǎng)中,呈現出D類(lèi)和AB類(lèi)平分秋色共分天下的局面,甚至在一些場(chǎng)合還出現了可以自由切換D類(lèi)和AB類(lèi)的模式,以迎合市場(chǎng)需求。
對于這兩種技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢,許多廠(chǎng)商認為,隨著(zhù)技術(shù)的不斷完善,在未來(lái)手機音頻技術(shù)中,D類(lèi)將占據主流地位,從而徹底打破D類(lèi)與AB類(lèi)平分秋色的局面。甚至有廠(chǎng)家預言,D類(lèi)將最終替代AB類(lèi)。從目前情況來(lái)看,這種觀(guān)點(diǎn)過(guò)于武斷。尤其在小功率音頻驅
2 鏡像電流源的基本結構
1 單聲道音頻功率放大器應用
動(dòng)中,比如音頻耳機功放對效率和功率的要求不高,或者Hi-Fi耳機放大器對失真率有較高的要求,此時(shí)AB類(lèi)功放的超低失真率就體現出其優(yōu)勢。如今在耳機放大器的設計中,AB類(lèi)仍是唯一的選擇。
綜上所述,筆者認為在未來(lái)的一段時(shí)間內,AB類(lèi)和D類(lèi)功放仍將共存于音頻功放市場(chǎng),在不同的應用領(lǐng)域內發(fā)揮各自的優(yōu)勢。本文僅對AB類(lèi)音頻功放的一些相關(guān)電路結構和性能參數作簡(jiǎn)單介紹,并對市場(chǎng)上各主要生產(chǎn)商的主流產(chǎn)品進(jìn)行分析和比較。
AB類(lèi)音頻功放的主要電路模塊
通用的AB類(lèi)音頻功率放大器由基本的鏡像電流源模塊和輸出運算放大器模塊構成,通常還包括基準電壓模塊和過(guò)溫保護模塊等,更復雜的功率放大器還包括輸入運放、過(guò)流保護以及一些附加的功能模塊,如輸入信號選擇、音量調節、音效處理以及總線(xiàn)模塊,從而構成集成多種功能的音頻子系統,以應用于更廣泛的領(lǐng)域。圖1所示為一款最簡(jiǎn)單的單聲道音頻功率放大器的應用圖,其中包括鏡像電流源模塊和全差分運算放大器模塊兩部分。
鏡像電流源
鏡像電流源模塊的基本結構如圖2所示。
根據電路總體結構的要求,通?梢圆捎没倦娏麋R或共源共柵電流鏡來(lái)實(shí)現電流源設計。
電流源電路特點(diǎn)為:輸出電流穩定,輸出交流電阻大。其主要應用包括:
1. 作為有源集電極負載,提高運放的單級增益;
2. 作為輸入差分放大器的射極電阻,提高集成運放的共模抑制比;
3. 用來(lái)對電路進(jìn)行偏置,穩定電路的工作點(diǎn)。
IC1IR之間的關(guān)系如一面鏡子,即IC1≈IR,故稱(chēng)為鏡像電流源。
鏡像電流源具有一定的溫度補償作用。因為在整體電路的設計中,鏡像電流源要提供系統中其他各部分工作的偏置電壓和電流,因此在進(jìn)行這一模塊的設計時(shí),要考慮到系統靜態(tài)電流的要求以及運算放大器工作點(diǎn)的選取,同時(shí)還要考慮輸出溫漂以及電源紋波對輸出的影響。
輸出運算放大器
輸出運算放大器是AB類(lèi)音頻功放產(chǎn)品中最關(guān)鍵的部分,它的設計直接決定著(zhù)功放產(chǎn)品關(guān)鍵性能的優(yōu)劣,包括輸出功率、靜態(tài)功耗、電源抑制比、共模抑制比、相位裕度、單位增益帶寬以及密勒補償等,這些特性都要在輸出運放的設計中予以充分考慮,并保證其達到預期的參數值。
CMOS運算放大器主要由差分跨導級、高增益級、輸出級、密勒補償電路及偏置電路構成,通常采用二級放大結構。電路結構可以有很多種設計和選擇,如簡(jiǎn)單的兩級運放、共源共柵運放、折疊共源共柵運放等。針對不同應用,應采用不同的電路結構,并在設計中針對不同的預期參數進(jìn)行優(yōu)化設計。
AB類(lèi)音頻功率放大器對輸出運算放大器的主要要求包括:盡可能高的開(kāi)環(huán)增益、共模抑制比、電源抑制比、單位增益頻率,以及盡可能低的功耗、失調電壓等,而輸出功率管的交越失真也是設計中必須考慮并盡量避免的。很多AB類(lèi)音頻功放采用折疊共源共柵結構,
AB類(lèi)輸出運算放大器的主要特點(diǎn)是:晶體管的導通時(shí)間稍大于半周期,必須用兩管推挽工作,以抑制偶次諧波,減小交越失真,效率較高,晶體管功耗較小等。
其它附加功能模塊
基準電壓模塊
輸出運算放大器的基準電壓通常為VDD/2,接于放大器正端輸入,為運算放大器的輸出提供中心直流電壓,保證其可在輸入交流信號的正負半周內正常工作。這個(gè)基準電壓通常由內部電路產(chǎn)生,可以是直接的電阻分壓。但對性能要求更高的音頻功放在這部分的設計中會(huì )考慮到抑制上電噼啪聲,以及需要在電路出現異常即極低或極高的基準電壓時(shí)及時(shí)關(guān)斷系統,因而會(huì )設計更復雜的電路,以保證系統具有更完善的性能。最常見(jiàn)的方法是在芯片外圍接旁路電容,這樣在電源上電時(shí),基準電壓不是馬上達到VDD/2,而是經(jīng)旁路電容充電才上升為VDD/2,這使音頻功放可在一定的充電時(shí)間后才開(kāi)始工作,從而避免了電源上電時(shí)因芯片立即工作而產(chǎn)生的噼啪聲。
過(guò)溫保護模塊
音頻功率放大器芯片都有自己的工作溫度范圍,超出這個(gè)范圍,芯片的很多性能都會(huì )變得很差,甚至會(huì )造成不可逆的損壞。為避免這一狀況的發(fā)生,很多音頻功率放大器都會(huì )加入過(guò)溫保護模塊。過(guò)溫保護模塊的原理是利用二極管的負溫度系數和電阻的正溫度系數互補,將鏡像電流源產(chǎn)生的電流鏡像為兩路,一路接一個(gè)二極管,而另一路接一個(gè)電阻,這兩路的輸出分別接一個(gè)比較器的兩個(gè)輸入端,比較器的輸出又控制鏡像電流源。芯片在正常溫度范圍內工作時(shí),比較器的輸出不變,因為芯片工作時(shí)其溫度是逐漸升高的,使一路電壓逐漸降低而另一路逐漸升高,當溫度達到一定值時(shí),這兩路電壓值的大小發(fā)生翻轉,使比較器的輸出也發(fā)生翻轉,控制鏡像電流源的輸出為0,從而關(guān)斷芯片使其停止工作。芯片停止工作后其溫度會(huì )逐漸降低,引起兩路的電壓值隨之變化,比較器的輸出也會(huì )隨之翻轉,使芯片重新開(kāi)始工作。通過(guò)設計電路結構,可使比較器的兩次翻轉所對應的溫度值存在大約15~20℃的滯回,從而有效避免了因溫度過(guò)高而引起的芯片損壞。
音量控制模塊
通常用戶(hù)在使用音/視頻產(chǎn)品時(shí)都希望它的音量是可以調節的。以往大多數音量調節的功能是通過(guò)在音頻功放芯片上連接另一塊獨立的音量控制芯片來(lái)實(shí)現的,但現在,很多音頻功放芯片已經(jīng)把這一功能集成到功放芯片內,以降低系統整體成本,F在普遍采用的音量控制模塊是數字音量控制,這種控制方式更適合目前消費電子市場(chǎng)上以按鍵為主的操作模式。
音效調節模塊

在一些音視頻設備中通常會(huì )提供有如古典樂(lè )、搖滾樂(lè )、爵士樂(lè )以及低音增強等音效的選擇,這些音效調節功能同樣可以通過(guò)在功放上連接獨立的芯片提供,也可以直接繼承在音頻功放芯片內,從而降低系統成本。音效調節功能是通過(guò)調節功放輸出在不同頻段內的增益來(lái)實(shí)現的,例如要達到低音增強的效果,就通過(guò)濾波器來(lái)提高低頻部分的增益而保持高頻部分單位增益不變。

音頻放大器的重要參數
總諧波失真加噪聲
(THD+N)
總諧波失真是指模擬電路處理信號后,在特定頻率范圍內所引入的總失真量;噪聲是指通常不需要的信號,有時(shí)是由于熱或其它物理條件引起的電路板上的其它電氣行為(干擾)。從上述定義中不難看出,總諧波失真和噪聲越小越好。
對于理想的音頻功率放大器來(lái)說(shuō),如果不考慮功率放大器的增益
1 美國國家半導體公司部分AB類(lèi)放大器參數略覽
 
狀態(tài)描述 產(chǎn)品名稱(chēng)
參數
LM4809
LM4863
LM4890
橋式輸出
單端輸出
THD+N
0.3%
Po=50mW,RL=32Ω
f=20Hz~20kHz
0.3%
Po=2W,RL=4Ω
f=20Hz~20kHz
0.2%
Po=75mW,RL=32Ω
f=20Hz~20kHz
0.1%
Po=0.4W,RL=8Ω
f=1kHz
關(guān)斷保護
有,低有效
有,高有效
有,高有效
過(guò)溫保護
無(wú)
靜態(tài)電流
1.4mA(典型值)
11.5mA
5.8mA
4mA(典型值)
關(guān)斷電流
0.2mA(典型值)
0.7mA(典型值)
0.1mA(典型值)
電源電壓范圍
2.0V~5.5V
2.0V~5.5V
2.2V~5.5V
PSRR
70dB
CB=1.0mF,
VRIPPLE=200mVPP,f=1kHz
67dB
CB=1.0mF,
VRIPPLE=200mVPP, RL=8Ω
52dB
CB=1.0mF,
VRIPPLE=200mVPP,f=1kHz
62dB
CB=1.0mF,
VRIPPLE=200mVPP,f=217Hz
輸出功率
0.1%THD+N
105mW(RL=16Ω)
70mW(RL=32Ω)
1%THD+N
2.5(RL=3Ω)
2.2(RL=4Ω)
1.1(RL=8Ω)
0.5%THD+N
85mW(RL=32Ω)
1%THD+N
340mW(RL=8Ω)
2%THD+N
1W(RL=8Ω)

大小,輸入一定頻率的正弦波信號后,其輸出也應該是沒(méi)有失真(波形沒(méi)有變形)、沒(méi)有噪聲的正弦波信號。但真實(shí)的音頻功率放大器的輸出音頻信號總會(huì )有一點(diǎn)失真,并且疊加了噪聲(在正弦波上疊加了高頻雜波)。這種失真是較小的,從波形圖中很難看出來(lái),只有用失真儀才能測出。波形的失真是由于在正弦波上疊加了多種高次諧波而造成的(3次諧波、5次諧波等),所以被稱(chēng)為總諧波失真。理想的音頻功率放大器沒(méi)有諧波失真及噪聲,所以THD+N=0。實(shí)際的音頻功率放大器有各種諧波造成的失真及由器件內部或外部造成的噪聲,其THD+N的值通常為0.00n%~10%(n=1~9)。
但這個(gè)指標是在一定條件下測試得出的。同一個(gè)音頻功率放大器,如果改變測試條件,其THD+N的值會(huì )有很大的變動(dòng)。這里指的條件是,一定的工作電壓VCC(VDD)、一定的負載電阻RL、一定的輸入頻率fIN(一般常用1KHz),以及一定的輸出功率Po。如果改變了其中的條件,則會(huì )得到不同的THD+N值。一般來(lái)說(shuō),輸出功率小(如幾十mW)的高質(zhì)量音頻功率放大器(如用于MP3播放機)THD+N指標可達10-5,其具有較高的保真度;輸出幾百mW的音頻功率放大器要采用揚聲器放音,其THD+N一般為10-4;輸出功率在1W~2W的音頻功率放大器的THD+N更大些,一般為0.1%~0.5%。
最大輸出功率(POCM)
輸出功率反映了音頻功率放大器的負載能力,音頻放大器廠(chǎng)商通常會(huì )提供產(chǎn)品在一定工作電壓、額定負載以及某一THD+N指標下的最大輸出功率。
電源紋波抑制比(PSRR)
電源紋波抑制比是音頻放大器的輸入測量電源電壓的偏差耦合到模擬電路的輸出信號的比值。PSRR反映了音頻功率放大器對電源的紋波要求,PSRR值越大,音頻放大器輸出音質(zhì)就越好,性能越優(yōu)越。
靜態(tài)功耗(IDD)
這一參數體現為設計中的靜態(tài)電流,在滿(mǎn)足最大輸出功率的同
2 德州儀器公司部分AB類(lèi)放大器參數略覽
狀態(tài)描述 產(chǎn)品名稱(chēng)
參數
TPA6112A2
TPA301
TPA6203A1
THD+N
(f1kHz,Pout1W)
0.6%
Po=100mW,RL=16Ω
f=20Hz~20kHz
1%
Po=350mW,RL=8Ω
f=20Hz~20kHz
0.06%
Po=1W,RL=8Ω
f=1kHz
關(guān)斷保護
有,高有效
有,高有效
有,低有效
過(guò)溫保護
 
 
 
    相關(guān)產(chǎn)品  
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