為這次測試，收集了如下電容樣本，標稱(chēng)容量都是0.1uF的。

         圖中1號是個(gè)陶瓷介質(zhì)電容；2-6號是各種類(lèi)型的薄膜電容，其中6號是西門(mén)子的，其余是雜牌，有國內也有國外的；7號是陶瓷密封油浸薄膜電容，耐壓最高，是1000V。
　　
　　有人會(huì )問(wèn)，這么小容量的電容幾乎不用到音頻耦合回路里面呢！呵呵，這個(gè)問(wèn)題當然是和后級電路的輸入阻抗有關(guān)聯(lián)。當后級輸入阻抗大于47k歐時(shí)，0.1uF電容耦合對低頻損失是可以接受的。測試電路很簡(jiǎn)單，如下圖。

       大家知道，很多音頻的指標對音質(zhì)有直接影響。不如說(shuō)信噪比、動(dòng)態(tài)、輸出功率、諧波失真。。。等等，大家盡量發(fā)揮自己的想象力，這么簡(jiǎn)單的一個(gè)電路里面，電容究竟會(huì )對那個(gè)重要的指標有影響而改變音質(zhì)呢？
　　當然，最容易影響的是頻響。但是前面提到了，只要RC時(shí)間常數足夠大，低頻下降就可以忽略，所以這里不予以考察。這次重點(diǎn)放在THD即全諧波失真指標的測量與分析。
　   下面這個(gè)圖標是R=2K時(shí)，7個(gè)電容對應的THD+噪聲和信號頻率的關(guān)系。

      圖中線(xiàn)是耦合電容短路（即信號直通）時(shí)的失真曲線(xiàn)，也是這個(gè)測量系統在這個(gè)條件下的測量極限。
　 實(shí)際上，看到這張曲線(xiàn)圖是，我心里是嚇了一跳的。特別是1#樣本，在500Hz以下頻率，失真居然會(huì )達到0.2%以上！這個(gè)量級對訓練有素的耳朵來(lái)說(shuō)是能夠聽(tīng)出來(lái)的了。
　 眼尖的同學(xué)或者會(huì )看出來(lái)，由于電阻取的是2K，而電容只有區區0.1uF，所以這個(gè)電路是個(gè)一階高通濾波器。當頻率很低時(shí)輸出會(huì )衰減很多，而我們測的是（THD+噪聲）/（信號＋噪聲），即這是信號變小了，比值自然會(huì )增大。也就是說(shuō)，這個(gè)結果未必是真的諧波引起的。所以，我們有必要還是定量的看一下到底高通曲線(xiàn)是啥樣子。如下圖。

        哈哈，500Hz對于平頂部分只下降了4dB。所以上面的擔憂(yōu)可以排除了�？磥�(lái)真的是有諧波失真發(fā)生哦，真郁悶！
　　不到黃河心不死！我要看諧波成分是啥樣子。對了，做快速傅立葉分析。
　　做了1號和7號兩個(gè)樣本分別在1kHz和400Hz輸入時(shí)的諧波成分分析，如下圖。
　　1kHz輸入時(shí)

400Hz輸入時(shí)

果然，全部都是如假包換的諧波！接受這個(gè)現實(shí)的同時(shí)，就得回答一個(gè)問(wèn)題了：電容是非線(xiàn)性元件嗎？怎么會(huì )有這么大的非線(xiàn)性失真呢？

鑒于失真最厲害的是1號陶瓷電容，而陶瓷材料會(huì )有壓電特性。是不是這些電容因為加上電壓后有什么變化呢？于是給電容加上偏置電壓，選了1號、4號和7號三個(gè)樣本，測試結果如下圖。

圖表中可以看出，1號樣品缺失電容量雖偏置電壓變化而變化。偏壓從0V變到15V時(shí)，容量居然從96.3nF變化到98.2nF，變化率達到1.97%！另外兩個(gè)樣品卻沒(méi)測出來(lái)類(lèi)似的容量變化。
　　那么，1號樣品的這個(gè)偏壓-容量變化關(guān)系在這個(gè)耦合電路里會(huì )引起什么樣的后果呢？
　　一般的來(lái)說(shuō)，有交流信號通過(guò)電容時(shí)，電容會(huì )有一個(gè)阻礙作用，既是容抗。容抗Ｘc=1/(ωC)=1/(2πfC)。如果信號的頻率ｆ不變，當Ｃ變化時(shí)，Xｃ也是變化的。
　　我們再看前面的測試電路，實(shí)際是一個(gè)Ｘｃ與Ｒ的串聯(lián)分壓電路。Ｘｃ越大，輸出越小。呵呵，問(wèn)題原來(lái)在這里了！對于１#電容，當交流信號在過(guò)０點(diǎn)時(shí)，電容是一個(gè)容量。當信號不在０點(diǎn)時(shí)相當于對電容加了一個(gè)偏壓；而在波峰或波谷時(shí)，偏壓達到了最大。既是說(shuō)，一個(gè)周期的信號通過(guò)電容時(shí)，電容的容量經(jīng)歷一個(gè)容量由小到大再由大到小的循環(huán)。輸出信號Ｖｏ＝R/(Xc//R)；當Xc變化時(shí)，Ｖｏ自然也就發(fā)生變化了。這就是的整個(gè)電路表現出了非線(xiàn)性特性！輸入一個(gè)標準正弦波時(shí)，輸出的卻是幅度不按正弦規律變化的畸變波形，這樣子諧波失真自然就產(chǎn)生了。
　　同樣的，這個(gè)結論也能解釋為何頻率高時(shí)失真小而頻率低時(shí)失真大。當信號頻率高時(shí)，Xc就小，基數小了，變數自然也就更加小，當Ｘｃ小到和Ｒ比可以忽略時(shí)，變數引起的畸變自然也無(wú)影無(wú)蹤了。所以失真特性曲線(xiàn)上，不管那個(gè)電容對應的高頻段，諧波失真都非常小，直到?jīng)]有失真。

     由于失真是由電容有偏壓時(shí)引起容量變化而產(chǎn)生的，而偏壓越大，電容變化也越大。那么當信號電壓大時(shí)，輸出信號的失真也會(huì )更大！實(shí)際的情況任何呢？看看下面的測試曲線(xiàn)，描述的是失真對輸入信號強度的關(guān)系，信號頻率是１ｋＨｚ。

        圖中最下面那條線(xiàn)是電容短路時(shí)的測試結果，當作參考。注意到當輸入信號大于１００ｍＶ時(shí)，隨著(zhù)信號強度的增加，ＴＨＤ也越來(lái)越大。當輸入信號達到１０Ｖｒｍｓ時(shí)，失真達到0.1５％左右。
　　記得前面我們也測了４號和７號電容的偏壓-容量特性，在電橋的分辨力范圍幾乎沒(méi)看到有容量的變化。但是在失真曲線(xiàn)上看到的諧波失真卻是不能忽略的。那這又是怎么回事呢？
　　為了找到這個(gè)回答這個(gè)疑問(wèn)的蛛絲馬跡，于是對７個(gè)電容做了比較全面的參數測量，結果如下表。

看數據我們可以發(fā)現，測試頻率不同，同一電容的容量也會(huì )不同。為了方便比較，表格的右邊專(zhuān)門(mén)算出了１００Ｈｚ和１０ｋＨｚ測試頻率時(shí)同一個(gè)電容器的電容量的比值。畫(huà)成圖表如下。

　 如果和失真曲線(xiàn)比照，會(huì )發(fā)現容量變化大的，失真也大。如圖中１#最大，失真也最大；４＃第二，對應失真圖上４００Ｈｚ－８ｋＨｚ這段范圍內失真表現都很突出；５＃變化最小，失真也幾乎是最貼近參考線(xiàn)。
　 同樣的，我們也可以整理一下?lián)p耗（方位角正切）的數據，如下面圖表。

      １＃、４＃、５＃的變化規律，同樣是和失真特性相應證的。即損耗越大，引起的信號失真也大！
　　綜上所述，電壓效應（電壓-容量變化關(guān)系）于對電壓敏感的陶瓷電容是引起其產(chǎn)生諧波失真的主要因素。而對電壓不敏感的薄膜類(lèi)電容，介質(zhì)損耗、等效串聯(lián)電阻等因素同樣能引起非線(xiàn)性失真，只是這時(shí)引起的失真數量級比較低，絕大多數場(chǎng)合是可以接受且人耳不能覺(jué)察的。
　　小結：該怎么決定音頻電路中的耦合電容呢？
　　很顯然，能不用電容耦合就不要用了，現在有源器件的性能已非老早工業(yè)時(shí)代的產(chǎn)品所能比擬，設計出純ＤＣ放大電路已經(jīng)不是什么特別難的課題了。哦，你不得不要選用電容做耦合，其實(shí)結論上面已經(jīng)有了。第一不是萬(wàn)不得已，別選用瓷介電容；第二，要挑選Ｑ值高、ＥＳＲ小、介電損耗小的電容，同時(shí)注意高頻性能要盡量的好。
　　最后，上一個(gè)鉭電解電容和鋁電解電容（４．７ｕＦ，Ｒ�。叮埃皻W）的比較測試結果，當作是本文的結尾吧。

圖中，綠線(xiàn)是鉭電解，紅線(xiàn)是鋁電解，這樣子的特性，明白了該選哪個(gè)做耦合電容了吧？