LM4702是為對音質(zhì)有高要求且需求大功率輸出的消費者應用而設計的。放大器的輸出功率大小可根據供給電壓和輸出設備數量的變化進(jìn)行調整。采用LM4702設計的音頻放大器每個(gè)聲道能夠在8Ω負載上輸出超過(guò)300W的功率。
LM4702內含有過(guò)熱保護電路，當溫度超過(guò)150℃時(shí)它會(huì )停止工作。另外，LM4702有靜音功能，啟用后會(huì )減弱輸入驅動(dòng)信號，并使放大器輸出變?yōu)殪o音狀態(tài)。
一、功能特性
LM4702共有3個(gè)等級，在應用程序和性能水平方面跨越了很大的范圍。LM4702C針對高音質(zhì)、大功率的應用；LM4702B(已有樣品)可應用更高的工作電壓；LM4702A(正在試驗中)定位為最高端的應用，有著(zhù)最高的工作電壓。這3個(gè)等級都擁有超寬的工作電壓，其中LM4702A為±20～±100V，LM4702B為±20～±100V，LM4702C為±20～±75V。其等效噪聲為3uV，PSRR為110dB，THD為0.001％。除此之外，LM4702還擁有一些優(yōu)異的特性，如輸出功率可調節、外接元件少、外接補償、熱保護和靜音等。它們可廣泛用于汽車(chē)音響、AV家庭影院、Hi-Fi音響、舞臺音響和工業(yè)控制等。
圖1為L(cháng)M4702的外觀(guān)和引腳，圖2為L(cháng)M4702的典型應用電路。圖3為其THD+N與輸出功率圖。
圖3THD+N與輸出功率圖
(RL=8Ω，VSupply=±50VDc)
1.靜音功能
LM4702的靜音功能由流入靜音引腳的電流流量來(lái)控制。如果流入靜音引腳的電流小于1mA，芯片處于靜音狀態(tài)。這可以通過(guò)短路到地或懸空靜音引腳來(lái)實(shí)現。如果流入靜音引腳的電流在1～2mA，芯片將處于播放模式。這可以通過(guò)電阻(Rm)將電源連接到靜音引腳(Vmute)來(lái)實(shí)現。流入靜音引腳的電流可以由公式
Imute=(Vmute-2.9)/Rm來(lái)計算。例如，如果5V的電源通過(guò)1.4kΩ的電阻連接到靜音引腳上，那么靜音電流將為.5mA，在指定范圍中。同樣可以使用Vcc為靜音腳供電，此時(shí)Rm需要相應地重新計算。目前不推薦使用流入靜音引腳的電流大于2mA，因為這樣LM4702可能會(huì )受到損壞。
強烈推薦在靜音與播放模式之間迅速轉換這個(gè)功能，它可通過(guò)撥動(dòng)開(kāi)關(guān)實(shí)現，撥動(dòng)開(kāi)關(guān)一邊連接到靜音引腳，另一邊通過(guò)電阻連接到地或電源上。緩慢增加靜音電流可能會(huì )導致直流電壓產(chǎn)生在LM4702的輸出上，致使喇叭損壞。
2.熱保護
LM4702有完整的熱保護系統來(lái)防止系統長(cháng)時(shí)間工作所帶來(lái)的熱壓。當芯片內部的溫度超過(guò)150℃的時(shí)候，LM4702自動(dòng)關(guān)閉，當芯片內部的溫度降低到145℃時(shí)又開(kāi)始工作，如果溫度繼續升高到150℃，芯片又繼續關(guān)閉。因此，如果發(fā)生短暫故障，芯片允許發(fā)熱到一定的高溫，但如果是持續的故障，就有可能導致它工作在一個(gè)145℃～150℃的熱開(kāi)合工況下。這樣一來(lái)，通過(guò)循環(huán)極大地減輕了芯片的熱壓力，從而大大改善了持續故障情況下的可靠性。因為晶圓溫度與散熱器的溫度直接相關(guān)，所以散熱器必須經(jīng)過(guò)選擇，以保證在正常狀態(tài)下過(guò)熱開(kāi)關(guān)不會(huì )觸發(fā)。如使用成本和空間所允許的最好散熱器，則可以保證任何半導體設備長(cháng)時(shí)間穩定地工作。
3.功耗和散熱
在播放模式時(shí)，它的工作電流是常量，與輸入信號幅度無(wú)關(guān)。因此，功耗對于給定的電壓是一定的，可以用公式PDMAX=Icc×(Vcc-Vee)來(lái)表示。對PDMAX的一個(gè)快速計算方法是：在電流約為25mA的時(shí)候，用整個(gè)電壓與它相乘即可(電流在工作范圍內會(huì )有微小的變化)。
對高功率放大器的散熱器進(jìn)行選擇完全是為了將晶圓的溫度保持在一定的水平上，以保證在一定的水平上熱保護系統不被觸發(fā)。晶圓與外界空氣間的熱阻θJA(JunctiontoAmbient)與環(huán)境相關(guān)，它由3個(gè)熱阻組成，分別為θJC(晶圓到封裝外殼)、θCS(封裝外殼到散熱片)、θSA(散熱片到環(huán)境)。θJC在LM4702中為0.8℃/W。使用耐熱合金后，θCS大約為0.2℃/W。因為熱流(功耗)類(lèi)似于電流流動(dòng)，所以熱阻就像電阻，溫度的降低就像電壓下降。LM4702的功耗也可表示為
PDMAX=(TJMAx-TAMB)/θJA
當TJMAx=150℃時(shí)，TAMB是系統的環(huán)境溫度，且θJA=θJC+θCS+θSA散熱片的最大熱阻θSA為
θSA=[(TJMAX-TAMB)-PDMA×(θJC+θCS)]/PDMAX
再次說(shuō)明，θSA的數值與系統設計師對放大器的要求有關(guān)。如果放大器的環(huán)境溫度高于25℃，那么在其他條件不變的情況下散熱器的熱阻需要更小一些。
4.外部器件的恰當選擇
為了滿(mǎn)足應用的設計要求，應對外部器件進(jìn)行恰當的選擇。下面就來(lái)談?wù)勍鈬骷䲠抵档倪x擇將影響增益和低頻響應。每個(gè)非反向放大器的增益都是由電阻RF和Ri決定的，如圖2所示。放大器的增益可表示為
Av=1+Rf/Ri
為了獲得最好的信噪比表現，可以使用更低的電阻值。Ri通常采用1kΩ，然后再根據設計的放大倍數來(lái)確定Rf的值。對于LM4702，放大倍數必須不小于26dB，如果小于26dB將是不穩定的。Ri與Ci串聯(lián)(如圖2所示)構成了一個(gè)高通濾波器，低頻響應就由這兩個(gè)元件來(lái)決定。這個(gè)-3dB的頻率點(diǎn)可以由下式來(lái)得到
fi=1/(2πRiCi)
如果一個(gè)輸入耦合電容被用來(lái)阻斷來(lái)自輸入的直流，那里將會(huì )產(chǎn)生一個(gè)高通濾波器(CIN與RIN的結合)。當使用輸入耦合電容時(shí)，必須用RIN來(lái)設置放大器輸入端的直流偏置點(diǎn)。CIN與RIN結合后產(chǎn)生的-3dB頻率響應可以由下式來(lái)表示
fIN=1/(2πRINCIN)
當輸入端懸空時(shí)，在輸出端有可能會(huì )觀(guān)測到RIN值的大幅變化。減小RIN的值或輸入平穩就可以使這種變動(dòng)消失。在RIN減小的時(shí)候，CIN應該相應加大以保證-3dB的頻率響應不變。
5.用作雙極性輸出時(shí)避免熱失控
當對LM4702使用雙極性晶體管作輸出級的時(shí)候(如圖2所示)，設計者必須注意熱失控的問(wèn)題。熱失控是由于對Vbe(晶體管的固有性質(zhì))的溫度依賴(lài)所造成的。當溫度上升時(shí)，Vbe下降。實(shí)際上，電流流過(guò)雙極性晶體管的時(shí)候加熱了晶體管，但又降低了Vbe，這又反過(guò)來(lái)增加了電流強度，并且開(kāi)始循環(huán)這個(gè)過(guò)程。如果系統沒(méi)有恰當的設計，這種正反饋機制將會(huì )毀壞輸出級的雙極性晶體管。第一種推薦方法是在雙極性輸出晶體管上使用散熱器來(lái)避免熱失控，這將使晶體管的溫度降低。
第二種推薦方法是使用發(fā)射極負反饋電阻(EmitterDegenerationResistor，圖2中的Re1、Re2、Re3、Re4)。當電流增加的時(shí)候，發(fā)射極負反饋電阻的電壓也在增加，這樣便可減小基極與發(fā)射極之間的電壓。這種機制可以幫助限制電流，并中和熱失控。
第三種推薦的方法是使用一種“Vbe乘法器”來(lái)鉗位雙極性輸出級，如圖2所示。這種Vbe乘法器包括了一個(gè)雙極性晶體管(Qmult,如圖2所示)和兩個(gè)電阻，一個(gè)從基極到集電極(圖2中的Rb2和Rb4)，另一個(gè)從基極到發(fā)射極(圖2中的Rb1和Rb3)。從集電極到發(fā)射極的電壓(同時(shí)也是輸出級的偏置電壓)Vbias=Vbe(1+Rb2/Rb1)，這也就是為什么這個(gè)循環(huán)叫做Vbe乘法器的原因。當Vbe乘法器晶體管Qmult像雙極性輸出晶體管一樣連接散熱器時(shí)，它的溫度將與輸出晶體管的溫度同步。它的Vbe也與溫度有關(guān)，所以當輸出晶體管使它變熱時(shí)，它將吸收更多的電流。這將限制基極進(jìn)入輸出晶體管的電流，從而中和熱失控。
表1為L(cháng)M4702C工作電壓在±75V和±50V時(shí)的電氣特性。表2為L(cháng)M4702A、B工作電壓在±100V時(shí)的電氣特性。
表1LM4702C的電氣特性
(Imute=1.5mA，除非特別說(shuō)明，否則TA=25℃)
注：1.典型值在25℃下測定，代表參數的標準。
2.測試范圍保證美國國家半導體公司的平均出廠(chǎng)質(zhì)量水平。
3.數據的最大/最小規格范圍得到設計、測試和統計分析的保證。 |
