| 當前位置：首頁(yè)->技術(shù)分享 |
|
| IRF1404功率場(chǎng)效應管概述及特性 |
|
|
| 文章來(lái)源： 更新時(shí)間：2011/3/12 16:23:00 |
在線(xiàn)咨詢(xún)： |
| |
IRF1404 概述
IR的HEXFET功率場(chǎng)效應管IRF1404采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導通阻抗。IRF1404這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著(zhù)稱(chēng)的HEXFET設計，使得IRF1404成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。TO-220封裝的IRF1404普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF1404得到業(yè)內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF1404適用于貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說(shuō)是功率最高，導通阻抗最低。TO-262是IRF1404的通孔安裝版，適合較低端的應用。
IRF1404 特性
- 先進(jìn)的工藝技術(shù)
- 貼片安裝（IRF1404S）
- 低端通孔安裝（IRF1404L）
- 超低導通阻抗
- 動(dòng)態(tài)dv/dt率
- 175℃工作溫度
- 快速轉換速率
- 車(chē)工級產(chǎn)品
- 無(wú)鉛環(huán)保
| IRF1404 參數 |
| IRF1404 基本參數 |
| VDSS |
|
40 V |
| ID @25℃ |
|
162 A |
| RDS(on) Max |
|
4.0 mΩ |
| IRF1404 其他特性 |
| FET極性 |
|
N型溝道 |
| Qg Typ |
|
160 nC |
| IRF1404 封裝與引腳 |
| TO-220AB, TO-263, TO-262 |
引腳布局
|
| |
|
|
|
|
|
| |
|
| |
|
|
