美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）日前宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅動(dòng)器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅動(dòng)器，與使用分立驅動(dòng)器的設計相比，其可減少75％的組件數量，并還能縮小多達85％的印刷電路板（PCB）面積。

磚式電源模塊和通信基礎設施設備的設計人員需要以最小的外形尺寸實(shí)現更高的功效。與標準金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）相比，由于具有較低的導通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）以及超小的體積，增強型GaN FET可以實(shí)現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動(dòng)這類(lèi)器件也面臨著(zhù)新的重大挑戰。美國國家半導體的LM5113驅動(dòng)集成電路化解了這些挑戰，使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢。

為了滿(mǎn)足增強型GaN FET嚴格的柵極驅動(dòng)要求，我們需要多個(gè)分立器件和大量的電路以及PCB設計工作。美國國家半導體的LM5113完全集成的增強型GaN FET驅動(dòng)器大大減少了電路的數量和PCB的設計工作，并實(shí)現了業(yè)界最佳的功率密度和效率。

宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation)的創(chuàng )始人之一兼首席執行官Alex Lidow表示：“美國國家半導體的LM5113橋式驅動(dòng)器有助于設計人員通過(guò)簡(jiǎn)化設計來(lái)發(fā)揮eGaN FETs的性能。LM5113大大減少了元件數量，與我們的eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實(shí)現更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的設計是做不到這一點(diǎn)的。”

LM5113橋式驅動(dòng)器的技術(shù)特點(diǎn)

美國國家半導體的LM5113是一款針對增強型GaN FET的100V橋式驅動(dòng)器。該器件采用專(zhuān)有技術(shù)，可將高邊浮動(dòng)自舉電容電壓調節到大約5.25V，以?xún)?yōu)化驅動(dòng)增強型GaN功率FET，而不會(huì )超過(guò)最高柵-源額定電壓。LM5113還具有獨立的匯/源輸出，可實(shí)現靈活的導通強度和關(guān)斷強度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低閾值電壓增強型GaN功率FET提供了一種快速、可靠的關(guān)斷機制，有助于最大限度地提高高頻電源設計的效率。LM5113集成了一個(gè)高邊自舉二極管，進(jìn)一步縮小了PCB面積。LM5113還為高邊和低邊驅動(dòng)器提供了獨立的邏輯輸入，從而可以靈活運用于各種隔離式和非隔離式電源拓撲結構。

封裝、價(jià)格及供貨情況

美國國家半導體的LM5113采用10引腳4mm×4mm LLP封裝。采購均以1,000顆為單位，單顆售價(jià)為1.65美元�，F已可提供樣品，并將于九月份量產(chǎn)。