橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商及電子設備EEPROM存儲器供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出新款存儲器產(chǎn)品，擁有在緊急情況發(fā)生時(shí)儲存重要數據的快速數據記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷電的系統數據恢復以及發(fā)現設備故障或事故原因的黑匣子記錄器等應用。 

通過(guò)M35B32 EEPROM芯片，系統能夠在1毫秒內完成大量關(guān)鍵信息 (2Kbits)的儲存 ，當檢測到系統故障或事故時(shí)可立即做出反應。如果發(fā)生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數據存儲器可以保存系統恢復所需的信息。  

這款高速存儲器的主要目標應用包括游戲機、電池供電設備、電表、智能電網(wǎng)設備、工業(yè)系統以及醫療設備。相較于市場(chǎng)上的同類(lèi)非易失性存儲器，M35B32的寫(xiě)入速度約為標準32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美閃存的寫(xiě)入速度。意法半導體全新的存儲器產(chǎn)品的功耗約為閃存的十分之一，當系統電源意外失效時(shí)，設計人員只需使用一個(gè)正常尺寸十分之一的后備電源電容器即可完成寫(xiě)入操作，從而大幅度節省材料成本和電路板空間。相較于高速FRAM技術(shù)，M35B32的EEPROM技術(shù)更具成本與品質(zhì)優(yōu)勢。  

M35B32擁有32-Kbit的存儲容量， 分為事件記錄和正常系統EEPROM兩個(gè)存儲區。這兩個(gè)存儲區可讓用戶(hù)按照不同的應用要求調整存儲空間。256 bytes的大容量存儲頁(yè)準許一次寫(xiě)入大量數據，當向事件記錄區尋址時(shí)，信息寫(xiě)入時(shí)間小于1毫秒，這個(gè)特性可提升系統性能，并節省軟件開(kāi)銷(xiāo)。M35B32內置標準SPI串行接口，可直接替代標準SPI串口存儲器。 

M35B32已投入量產(chǎn)，采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型貼裝。汽車(chē)質(zhì)量級產(chǎn)品將于2012年初推出，新產(chǎn)品將簡(jiǎn)化汽車(chē)系統如ABS的設計。