橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）擴大RFID/NFC無(wú)線(xiàn)存儲器芯片產(chǎn)品陣容，推出新款可為小型產(chǎn)品供電的16-Kbit 存儲器，新產(chǎn)品只利用收集的能量而無(wú)需電池。
能量收集技術(shù)能夠將芯片從外界收集的能量轉化成電能以驅動(dòng)小型系統。我們的周?chē)h(huán)境存在各種形式的能量，如無(wú)線(xiàn)電波、余熱、消費者的動(dòng)能以及風(fēng)能和太陽(yáng)能，大自然為我們免費提供這些能量，而且沒(méi)有二氧化碳或其它污染物排放。電池或外部電源會(huì )提高設計成本，產(chǎn)生尺寸和重量限制，或使安裝變得復雜化，因此，這項節能技術(shù)可讓設計人員節約這些資源。由于無(wú)需設備電源線(xiàn)、無(wú)需為電池充電或更換電池，能量收集技術(shù)有望降低設備的保養成本，因此，這項技術(shù)正受到消費者的廣泛關(guān)注。
意法半導體的雙接口存儲器，包括新推出的16-Kbit產(chǎn)品，配備1個(gè)低功耗的I2C接口和1個(gè)13.56-MHz ISO15693非接觸式無(wú)線(xiàn)射頻接口。這個(gè)射頻接口可收集周?chē)鶵FID電子標簽讀寫(xiě)機發(fā)射的無(wú)線(xiàn)電波，并將收集的無(wú)線(xiàn)電波轉化成輸出電壓，驅動(dòng)其它的電子元器件。
EEPROM的收集能量功能將催生新的微型化電子元器件。意法半導體成功地實(shí)現了M24LR16E無(wú)線(xiàn)存儲器的能量收集功能，這款芯片利用收集的能量點(diǎn)亮了LED指示燈，以及為無(wú)電池的STM8L Discovery評估板供電。其它的潛在目標應用包括電子文件產(chǎn)品，如電子貨架標簽、工業(yè)自動(dòng)化、感應與監視系統以及個(gè)人保健產(chǎn)品。
意法半導體存儲器產(chǎn)品部總理Benoit Rodrigues表示：“開(kāi)創(chuàng )性的M24LR16E將加強意法半導體雙接口存儲器產(chǎn)品組合，為消費者提供新的存儲容量選擇，同時(shí)還提供一個(gè)從外界收集能量的方法，讓電子產(chǎn)品實(shí)現創(chuàng )新的應用。這款新產(chǎn)品擴大了意法半導體的創(chuàng )新高科技產(chǎn)品綠色能源解決方案組合，有助于人類(lèi)社會(huì )的可持續發(fā)展，提高人們的生活品質(zhì)。”
現有的M24LR64系列均為64Kbit的雙接口無(wú)線(xiàn)存儲器，而新產(chǎn)品M24LR16E是16Kbits的非易失性EEPROM存儲器，為消費者增加了一個(gè)低容量的存儲器選擇。目前電子標簽RFID技術(shù)被廣泛用于供應鏈，ABI Research的研究數據報告顯示，截至2015年，配備N(xiāo)FC技術(shù)手機的年銷(xiāo)售量將超過(guò)5億，因此，意法半導體預計將會(huì )有更多的消費者使用RFID/NFC兼容的設備。
M24LR16E的主要特性：
·16-Kbit EEPROM用戶(hù)存儲器
·40年數據保存期限，100萬(wàn)次擦寫(xiě)周期
·13.56MHz射頻接口，兼容下列讀寫(xiě)設備：
o射頻識別（RFID）讀寫(xiě)機
oISO15693 NFC（近距離通信）設備
·400 kHz低功耗I2C接口
·1.8V到5.5V電源電壓
·Vout模擬輸出（能量收集）
·射頻（RF）狀態(tài)數字輸出
M24LR16E現已投入量產(chǎn)，封裝采用SO8、TSSOP8或MLP8貼裝。新產(chǎn)品可按照客戶(hù)要求提供裸片。
詳細技術(shù)信息
意法半導體的雙接口存儲器是EEPROM非易失性存儲器，用于存儲系統參數、外部輸入數據或軟件代碼。每款產(chǎn)品均配備兩個(gè)不同的接口，1個(gè)I2C串行接口和1個(gè)無(wú)線(xiàn)射頻接口，其中射頻接口兼容ISO-IEC 15693 RFID 13.56MHz射頻標準和ISO15693 NFC系統。該存儲器能夠像標準串口EEPROM一樣通過(guò)串行通信接口與主機系統器通信，消費者也可使用RFID讀寫(xiě)機或手機直接讀寫(xiě)存儲器。無(wú)線(xiàn)通信需要一個(gè)天線(xiàn)可在印刷電路板上被簡(jiǎn)易蝕刻。
芯片內置一個(gè)數據保護機制，包括32位密碼保護，防止數據安全受到威脅，如意外覆寫(xiě)和非法訪(fǎng)存或篡改數據。
新產(chǎn)品 M24LR16E增加一個(gè)電源管理電路，能夠收集外界的能量并轉換成電能，通過(guò)一個(gè)輸出引腳向印刷電路板上的其它器件供電。標稱(chēng)輸出電壓范圍為1.7V至2.3V，讓存儲器能夠驅動(dòng)多種類(lèi)芯片，包括低壓CMOS芯片。
驅動(dòng)外部器件的有效電量與多種因素有關(guān)，如讀寫(xiě)機的射頻功率、讀寫(xiě)機與存儲器所連天線(xiàn)的距離，以及讀寫(xiě)機與存儲器天線(xiàn)的相對尺寸。在射頻讀寫(xiě)或近距離通信范圍內，如射頻功率足夠強，消費者可使用1個(gè)RFID芯片驅動(dòng)多個(gè)設備。EEPROM的能量收集模式可打開(kāi)或關(guān)閉，通過(guò)設置一個(gè)內部寄存器可在300µA至6mA范圍內調整最大輸出電流。
為了演示雙接口 M24LR16E EEPROM的能量收集功能，意法半導體已發(fā)布ROBOT-M24LR16E-A評估板。
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