杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領(lǐng)域繼續推出新品----內置650V高壓MOS管的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD6853/6854。該產(chǎn)品帶有可編程的線(xiàn)損補償和峰值電流補償功能，采用PFM調制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩定性和平均效率。廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。
SD6853/6854是離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源集成電路，內置高壓MOS管、帶有線(xiàn)損補償和峰值電流補償的高端開(kāi)關(guān)電源控制器，采用了士蘭微電子自主知識產(chǎn)權的專(zhuān)利技術(shù)。通過(guò)檢測變壓器原級線(xiàn)圈的峰值電流和輔助線(xiàn)圈的反饋電壓，間接控制系統的輸出電壓和電流，從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。在一定的輸出功率范圍內，可通過(guò)反饋電阻設定輸出電壓；可通過(guò)峰值電流采樣電阻設定輸出電流。也可以根據需要設置線(xiàn)損補償和峰值電流補償，以達到最佳的輸出電壓、輸出電流的調整率。
正常的工作周期分為峰值電流檢測和反饋電壓檢測：當MOS管導通，通過(guò)采樣電阻檢測原級線(xiàn)圈的電流，輸出電容對負載供電，輸出電壓VOUT下降；當原級線(xiàn)圈的電流到達峰值時(shí)，MOS管關(guān)斷，檢測FB端電壓，存儲在次級線(xiàn)圈的能量對輸出電容充電，輸出電壓VOUT上升，并對負載供電。當同時(shí)滿(mǎn)足恒壓、恒流環(huán)路控制的開(kāi)啟條件后，MOS管才開(kāi)啟，芯片再次進(jìn)入峰值電流檢測。
此外，芯片內部集成了溫度保護電路，環(huán)路開(kāi)路保護、限流電路、過(guò)壓保護、欠壓鎖定等多重功能電路，以保證芯片的工作環(huán)境正常，延長(cháng)其使用壽命。
目前，SD6853提供4.0W輸出功率（5V /800mA），SD6854提供5.0W輸出功率（5V /1A），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線(xiàn)纜），待機功耗小于100mW，輸出電壓的負載調整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線(xiàn)電壓調整率優(yōu)于±0.6%，整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。后續SD6853提供輸出功率范圍可達到3W~5W，SD6854提供輸出功率范圍可達到5W~12W。
SD6853/6854基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內置高壓MOS管的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點(diǎn)。采用SD6853/6854設計整機系統，無(wú)需光耦和Y電容，可省去次級反饋控制、環(huán)路補償，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統，大幅節省了系統耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶(hù)精簡(jiǎn)設計布局，降低開(kāi)發(fā)和制造成本。
小型充電設備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，不斷推出新品。預計2012年上半年將推出升級版SD6852/6853/6854，滿(mǎn)足能源之星2.0標準、LEVEL 5規格的電路，待機功耗小于30mW，平均效率可以達到70%。 |
