橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應用中可實(shí)現最高的能效和功率密度；現在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽(yáng)能光電轉換器，新產(chǎn)品的成功推出在節能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。

意法半導體功率晶體管市場(chǎng)總監Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯并鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導地位，MDmesh V體現了意法半導體最新的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗的Multi-Drain Mesh技術(shù)，新產(chǎn)品的性能提升讓客戶(hù)能夠降低應用設計能耗，同時(shí)強化了意法半導體關(guān)于提供對環(huán)境負責的產(chǎn)品同時(shí)通過(guò)設計研發(fā)創(chuàng )新產(chǎn)品為客戶(hù)提供卓越性能的承諾。”

新產(chǎn)品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態(tài)電阻僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場(chǎng)上通態(tài)電阻最低的產(chǎn)品，打破了同樣是MDmesh V器件創(chuàng )造的0.038 Ω的原行業(yè)基準。設計工程師可直接將新產(chǎn)品替代通態(tài)電阻較高的MOSFET來(lái)提高終端應用的能效，或并聯(lián)更少的MOSFET晶體管，從而減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本。

相較于同類(lèi)600V競爭產(chǎn)品，意法半導體的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V產(chǎn)品的安全邊際更高，從而提高M(jìn)OSFET對交流電力線(xiàn)上常見(jiàn)電涌的承受能力。

意法半導體經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗的MDmesh V產(chǎn)品采用多種類(lèi)型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。

TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。