日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動(dòng)器。LM5114 可驅動(dòng)同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動(dòng)器 LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò )以及數據中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉換驅動(dòng)器解決方案。如欲了解詳情或訂購樣片與評估板，敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.ti.com/gan-pr。

LM5114 可通過(guò) 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出（sink and source output）驅動(dòng)標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關(guān)斷電流功能。此外，提高的下拉強度還有助于該器件驅動(dòng) GaN FET。獨立源極與汲極輸出可取消驅動(dòng)器路徑中的二極管，準確控制升降時(shí)間。

LM5114 低側柵極驅動(dòng)器的主要特性與優(yōu)勢：

·可優(yōu)化升降時(shí)間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率；

·+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用；

·0.23 歐姆的開(kāi)漏下拉汲極輸出可避免無(wú)意接通；

·7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅動(dòng)器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響；

·匹配反相及非反相輸入之間的延遲時(shí)間，可降低停滯時(shí)間損耗；

·12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時(shí)，支持高開(kāi)關(guān)頻率；

·高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；

·-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。

供貨情況與封裝

LM5114 現已開(kāi)始批量供貨，可通過(guò) TI 及其授權分銷(xiāo)商進(jìn)行訂購。該器件采用 6 引腳 SOT-23 封裝或裸焊盤(pán) 6 引腳 LLP 封裝。 

了解有關(guān) TI 電源管理產(chǎn)品系列的更多詳情：

·訂購最新 GaN FET 驅動(dòng)器的樣片與評估板：www.ti.com/lm5114-prcn ；

·全面了解所有 TI GaN FET 驅動(dòng)器解決方案：www.ti.com/gan-pr；

·觀(guān)看 LM5113 的實(shí)驗室演示：http://www.ti.com/lm5113-prv；

·通過(guò) 德州儀器在線(xiàn)技術(shù)支持社區咨詢(xún)問(wèn)題： www.deyisupport.com。