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TVS二極管:為便攜電子設備提供有效的ESD保護
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2012/6/9 11:15:00
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ESD保護對高密度、小型化和具有復雜功能的電子設備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時(shí),最小擊穿電壓和擊穿電流、最大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數對電路的影響及選擇準則,并針對便攜消費電子設備、機頂盒、以及個(gè)人電腦中的視頻線(xiàn)路保護、USB保護和RJ-45接口等介紹了一些典型應用。

隨著(zhù)移動(dòng)產(chǎn)品、打印機、PC,DVD、機頂盒(STB)等產(chǎn)品的迅速發(fā)展,消費者正要求越來(lái)越先進(jìn)的性能。半導體組件日益趨向小型化、高密度和功能復雜化,特別是像時(shí)尚消費電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求嚴格的應用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細線(xiàn)寬布線(xiàn)的復雜半導體功能電路,對電路瞬變過(guò)程的影響更加敏感,將導致上述的問(wèn)題更加激化。

ESD保護原理

電路保護元件存在幾種技術(shù),當選擇電路保護元件時(shí),若設計師選擇不當的保護器件將只能提供錯誤的安全概念。電路保護元件的選擇應根據所要保護的布線(xiàn)情況、可用的電路板空間以及被保護電路的電特性來(lái)決定。此外,了解保護元件的特性知識也非常必要,需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓,它是被保護IC的應變電壓。

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因為利用先進(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄,柵極氧化層更易受到損害。這意味著(zhù)較高的箝位電壓將在被保護IC器件上產(chǎn)生較高的應變電壓,并且增加了失效的概率。

很多保護元件都被設計成可吸收大量的能量,由于元件結構或設計上的原因也導致其具有很高的箝位電壓。由于變阻器的箝位電壓太高,他們不能夠提供有效的ESD保護。此外,由于變阻器的高電容他們也不能給高速數據線(xiàn)路提供保護。TVS二極管正是為解決此問(wèn)題而產(chǎn)生的,它已成為保護便攜電子設備的關(guān)鍵性技術(shù)。

TVS二極管是專(zhuān)門(mén)設計用于吸收ESD能量并且保護系統免遭

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TVS相關(guān)參數

處理瞬時(shí)脈沖對器件損害的最好辦法是將瞬時(shí)電流從敏感器件引開(kāi)。TVS二極管在線(xiàn)路板上與被保護線(xiàn)路并聯(lián),當瞬時(shí)電壓超過(guò)電路正常工作電壓后,TVS二極管便發(fā)生雪崩,提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路,其結果是瞬時(shí)電流通過(guò)二極管被引開(kāi),避開(kāi)被保護器件,并且在電壓恢復正常值之前使被保護回路一直保持截止電壓。當瞬時(shí)脈沖結束以后,TVS二極管自動(dòng)回復高阻狀態(tài),整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓。許多器件在承受多次沖擊后,其參數及性能會(huì )發(fā)生退化,而只要工作在限定范圍內,二極管將不會(huì )發(fā)生損壞或退化。

從以上過(guò)程可以看出,在選擇TVS二極管時(shí),必須注意以下幾個(gè)參數的選擇:

1. 最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBR是TVS最小的擊穿電壓,在25℃時(shí),低于這個(gè)電壓TVS是不會(huì )發(fā)生雪崩的。當TVS流過(guò)規定的1mA電流(IR)時(shí),加于TVS兩極的電壓為其最小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度,可把VBR分為5%和10%兩種。對于5%的VBR來(lái)說(shuō),VWM=0.85VBR;對于10%的VBR來(lái)說(shuō),VWM=0.81VBR。為了滿(mǎn)足IEC61000-4-2國際標準,TVS二極管必須達到可以處理最小8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD沖擊,有的半導體生產(chǎn)廠(chǎng)商在自己的產(chǎn)品上使用了更高的抗沖擊標準。對于某些有特殊要求的便攜設備應用,設計者可以按需要挑選器件。

2. 最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM這是二極管在正常狀態(tài)時(shí)可承受的電壓,此電壓應大于或等于被保護電路的正常工作電壓,否則二極管會(huì )不斷截止回路電壓;但它又需要盡量與被保護回路的正常工作電壓接近,這樣才不會(huì )在TVS工作以前使整個(gè)回路面對過(guò)壓威脅。當這個(gè)額定反向關(guān)斷電壓VWM加于TVS的兩極間時(shí)它處于反向關(guān)斷狀態(tài),流過(guò)它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。

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3. 最大箝位電壓VC和最大峰值脈沖電流IPP。當持續時(shí)間為20mS的脈沖峰值電流IPP流過(guò)TVS時(shí),在其兩端出現的最大峰值電壓為VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱(chēng)為箝位因子,一般在1.2~1.4之間。VC是二極管在截止狀態(tài)提供的電壓,也就是在ESD沖擊狀態(tài)時(shí)通過(guò)TVS的電壓,它不能大于被保護回路的可承受極限電壓,否則器件面臨被損傷的危險。

4. Pppm額定脈沖功率,這是基于最大截止電壓和此時(shí)的峰值脈沖電流。對于手持設備,一般來(lái)說(shuō)500W的TVS就足夠了。最大峰值脈沖功耗PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功耗值。在給定的最大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大。在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且,TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時(shí)間與間歇時(shí)間之比)為0.01%。如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的累積,有可能損壞TVS。

5. 電容量C。電容量C是由TVS雪崩結截面決定的,是在特定的1MHz頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C太大將使信號衰減。因此,C是數據接口電路選用TVS的重要參數。電容對于數據/信號頻率越高的回路,二極管的電容對電路的干擾越大,形成噪聲或衰減信號強度,因此需要根據回路的特性來(lái)決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應盡量小(如LCTVS、低電容TVS,電容不大于3pF),而對電容要求不高的回路電容選擇可高于40pF。

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ESD應用

1.底部連接器的應用

底部連接器設計廣泛應用在移動(dòng)消費類(lèi)產(chǎn)品上,目前市場(chǎng)上應用產(chǎn)品主要為移動(dòng)電話(huà)、PDA、DSC(數碼相機)以及MP3等便攜產(chǎn)品。

由于是直流回路,可選用高電容器件。此端口可能會(huì )受到高能量的沖擊,可以選用集成了TVS和過(guò)流保護功能的器件。

如圖1所示,是便攜產(chǎn)品的底部連接器保護電路的示意圖,其中的數據線(xiàn)保護IC為NZQA5V6XV5T1、NZQA6V2XV5T1、NZQA6V8XV5T1、NZQA8V2XV5T1、NZQA5V6AXV5T1、NZQA6V8AXV5T1、MSQA6V1W5T2、SMF05T1和NSQA6V8AW5T2。

以上產(chǎn)品都帶4個(gè)單相獨立線(xiàn)路ESD保護,其中MSQA系列、NSQA系列和SMF05的封裝形式是SC-88A,NZQA系列的封裝形式是SOT-553。其中NZQA5V6XV5是5.6V單向式TVS保護器件;NZQA6V2XV5是6.2V單向式TVS保護器件;NZQA6V8XV5是6.8V單向式TVS保護器件;NZQA6V8AXV5是6.8V單向式、低電容TVS保護器件;NUP4102XV6是14V雙向式、低電容TVS。這些SOT5xx封裝的TVS器件均針對260℃回焊溫度處理工藝生產(chǎn),符合100%無(wú)鉛和靜電放電保護的要求,比傳統的SC88封裝減少電路板空間達36%,降低厚度40%,適合用于對電路板空間要求嚴格的便攜設備,如手機、數碼相機、MP3播放器。

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2 RJ-45(10/100M以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò ))

RJ-45接口廣泛應用在網(wǎng)絡(luò )連接的接口設備上,典型的應用就是10/100M以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò )。

如圖2所示,RJ-45數據線(xiàn)保護主要應用了安森美公司的低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管--SL05,工作電壓是5V。實(shí)際上該公司有一系列的SLXX產(chǎn)品,產(chǎn)品從SL05到SL24,工作電壓覆蓋5V、12V、15V、24V。符合IEC 61000-4-2(ESD)15kV(空氣)8kV(接觸)/IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)/IEC 61000-4-5(Lightning)12A(8/20us)標準,除了用在LAN/WAN設備上,還適合用于高速數據線(xiàn)保護,移動(dòng)電話(huà)和USB端口的保護。

3. 視頻線(xiàn)路的保護

目前視頻常見(jiàn)的輸出端口設計有D-SUB(如圖3)、DVI(28線(xiàn))、SCART(19線(xiàn))和D-TERMINAL(主要日系產(chǎn)品在用)。視頻數據線(xiàn)具有高數據傳輸率,數據傳輸率高達480Mbps,有的視頻數據傳輸率達到1G以上,因而要選擇低電容LCTVS,它通常是將一個(gè)低電容二極管與TVS二極管串聯(lián),以降低整個(gè)線(xiàn)路的電容(可低于3pF),達到高速率回路的要求。ONSEMI半導體公司的SRDA05-4具有良好的低電容特性,能夠提供4路ESD保護,而它的后繼產(chǎn)品SRDA05-6能夠提供多達6路ESD保護。SRDA05-X系列產(chǎn)品適用于所有高速通訊線(xiàn)路的保護。

4. SIM卡數據線(xiàn)路保護

SIM卡數據線(xiàn)路保護一直是各個(gè)公司的產(chǎn)品重點(diǎn),而且專(zhuān)門(mén)為此類(lèi)端口設計的集ESD(TVS)/EMI/RFI防護于一個(gè)芯片的器件,充分體現了片式器件的無(wú)限集成方案。

在針對不同用途選擇器件時(shí),要避免使器件工作在其設計參數極限附近,還應根據被保護回路的特征及可能承受ESD沖擊的特征選用反應速度足夠快、敏感度足夠高的器件,這對于有效發(fā)揮保護器件的作用十分關(guān)鍵,另外集成了其它功能的器件也應當首先考慮。

眾多半導體廠(chǎng)商提供了多種不同的TVS二極管封裝形式,尤其是像SOT23和SC-70,以及與芯片同等大小的倒裝芯片之類(lèi)的微型封裝,在板上只占約4.8mm2的位置,卻可以同時(shí)保護多個(gè)線(xiàn)路。最近的許多新產(chǎn)品更是適應便攜設備高集成度、小型化要求,將EMI/RFI/ESD保護集成在一個(gè)器件中,不但可以有效縮小空間,還大大減少了成本,降低了器件采購成本和加工成本,對于同時(shí)需要這幾種保護功能的端口來(lái)說(shuō),可謂設計者的首選(圖4)。

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5. USB保護

一般USB的ESD保護分上行(圖5)和下行(圖6)兩種情況。針對USB 1.1的ESD保護下行主要采用了NUF2101,上行ESD保護采用STF202或者NUF2221W1T2。這些產(chǎn)品即能滿(mǎn)足USB線(xiàn)路終端的ESD保護,還具有良好的濾波功能。

6. 音頻/揚聲器數據線(xiàn)路保護

在音頻數據線(xiàn)路保護方面(圖6),由于音頻回路的信號速率比較低,對器件電容的要求不太高,100pF左右都是可以接受的。有的手機設計中將耳機和麥克風(fēng)合在一起,有的則是分立線(xiàn)路。前一種情況可以選擇單路TVS,而后一種情況如果兩個(gè)回路是鄰近的,則可以選用多路TVS陣列,只用一個(gè)器件就能完成兩個(gè)回路的保護。

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7. 按鍵/開(kāi)關(guān)

對于按鍵和開(kāi)關(guān)回路,這些回路的數據率很低,對器件的電容沒(méi)有特殊要求,用普通的TVS陣列都可以勝任。

本文總結

以上的產(chǎn)品主要是針對數據線(xiàn)路的ESD保護。在表1中所列器件中有四款是專(zhuān)為為USB、以太網(wǎng)、防火墻和其他高速數據應用設計的濾波器。這些器件符合USB的所有要求,包括電磁干擾濾波和上行/下行端口的線(xiàn)路終端。這些新型集成元件均能替代目前需采用12個(gè)元件的分立元件解決方案。八款新型器件提供靜電放電(ESD)保護,具有業(yè)界最低電容。這些新型保護器件均通過(guò)了15千伏接觸放電測試,測試標準高于IEC61000的8千伏ESD標準。這些器件具有1.5皮法電容典型值,確保了數據線(xiàn)速度以及數據完整性。

此外,對于便攜式設備來(lái)說(shuō),各類(lèi)集成電路的復雜性和精密度的提高使它們對ESD也更加敏感,以往的通用回路設計也不再適合。合理的PCB布局最重要的是要在使用TVS二極管保護ESD損害的同時(shí)避免自感。ESD設計很可能會(huì )在回路中引起寄生自感,會(huì )對回路有強大的電壓沖擊,導致超出IC的承受極限而造成損壞。負載產(chǎn)生的自感電壓與電源變化強度成正比,ESD沖擊的瞬變特征易于誘發(fā)高強自感。減小寄生自感的基本原則是盡可能縮短分流回路,必須考慮到包括接地回路、TVS和被保護線(xiàn)路之間的回路,以及由接口到TVS的通路等所有因素。所以,TVS器件應與接口盡量接近,與被保護線(xiàn)路盡量接近,這樣才會(huì )減少自感耦合到其它鄰近線(xiàn)路上的機會(huì )。

在電路板設計中還應注意以下幾點(diǎn):盡量避免在保護線(xiàn)路附近走比較關(guān)鍵的信號線(xiàn),盡量將接口安排在同一個(gè)邊上;采用高集成度器件,二極管陣列不但可以大大節約線(xiàn)路板上的空間,而且減少了由于回路復雜可能誘發(fā)的寄生性線(xiàn)路自感的影響;避免被保護回路和未實(shí)施保護的回路并聯(lián),將接口信號線(xiàn)路和接地線(xiàn)路直接接到保護器件上,然后再進(jìn)入回路的其它部分,將復位、中斷、控制信號遠離輸入/輸出口,遠離PCB的邊緣;各類(lèi)信號線(xiàn)及其饋線(xiàn)所形成的回路所環(huán)繞面積要盡量小,必要時(shí)可考慮改變信號線(xiàn)或接地線(xiàn)的位置;在可能的地方都加入接地點(diǎn)。

 
 
 
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