擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低頻段 RF 混頻器，該混頻器可通過(guò)在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統減少互調失真增強用戶(hù)的移動(dòng)連接體驗。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收發(fā)信機（BTS）多樣混頻器可通過(guò)減少功耗改進(jìn)系統三階互調失真（IM3），針對移動(dòng)通信（EGSM）頻率范圍涵蓋 450 MHz、長(cháng)期演進(jìn)（LTE）和擴展的全球系統。

IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器，與標準混頻器相比，可改進(jìn) IM3 超過(guò) 15 dB，同時(shí)減少功耗超過(guò) 40%。這些性能品質(zhì)可為改進(jìn)服務(wù)品質(zhì)（QoS）實(shí)現更好的信噪比（SNR），同時(shí)減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求（5V 時(shí) 1.15W，高達 +43 dBm IP3O）。F1102 可提供無(wú)與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系統的理想選擇。

IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理 Tom Sparkman 表示：“在發(fā)現我們高頻段和低頻段混頻器優(yōu)異的性能之后，客戶(hù)開(kāi)始需要這款產(chǎn)品。我們的零失真技術(shù)可幫助客戶(hù)增加射頻卡的前端增益以改進(jìn) SNR，同時(shí)在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變增益放大器（VGA）產(chǎn)品組合，業(yè)界領(lǐng)先的計時(shí)、串行交換、數據轉換和數據壓縮產(chǎn)品，IDT 成為通信信號鏈解決方案的一站式提供商。”

F1102 與 IDT 其他混頻器產(chǎn)品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時(shí)間和恒定的本機振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶(hù)在時(shí)分雙工（TDD）接收機插槽間關(guān)閉混頻器，從而進(jìn)一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，與市場(chǎng)上現有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級選擇。

供貨

IDT F1102 目前正向合格客戶(hù)提供樣品，提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。欲了解 IDT RF 信號通道解決方案的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.idt.com/go/RF。