相比于士蘭微電子前期推出的產(chǎn)品，SD6835內置了極限輸出功率補償電路，可以平衡寬電壓范圍的極限輸出功率；也內置斜坡補償電路和CS異常過(guò)流保護，分別可以適應更寬的變壓器應用和改善短路反峰值。

SD6835采用了多項士蘭微電子自主研發(fā)的專(zhuān)利技術(shù)，如交錯式頻率抖動(dòng)技術(shù)和峰值電流補償技術(shù)等。其中交錯式頻率抖動(dòng)技術(shù)可以使得芯片振蕩頻率不斷變化，以減小芯片在某個(gè)單一頻率的對外輻射，并使振蕩頻率在一個(gè)很小的范圍內變動(dòng)，從而可以有效地降低EMI，簡(jiǎn)化EMI設計。峰值電流補償技術(shù)可以抑制峰值電流的過(guò)沖，還可以在電路初始化后有效地減小芯片啟動(dòng)時(shí)變壓器的應力，實(shí)現軟啟動(dòng)功能。這些專(zhuān)利技術(shù)的應用使得該產(chǎn)品在市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品的競爭中占據優(yōu)勢。

同時(shí)，該新品具有較好的性能特性，可以根據輸出的負荷情況調節開(kāi)關(guān)頻率（25~67KHz）和峰值電流，可以通過(guò)輕負載的降頻模式和峰值電流控制功能提供更高的效率，也可以通過(guò)讓芯片在待機模式下進(jìn)入打嗝模式降低芯片的待機功耗。

此外，SD6835內部集成了各種異常狀態(tài)保護功能，以保證芯片正常的工作狀態(tài)。包括欠壓鎖定，過(guò)壓保護，過(guò)載保護，過(guò)溫保護和脈沖前沿消隱功能。在芯片發(fā)生保護以后，芯片可以不斷自動(dòng)重啟，直到系統正常為止。另外，芯片內置CS異常過(guò)流保護，當CS超過(guò)特定值時(shí)開(kāi)關(guān)不輸出，低于此值時(shí)，下一個(gè)周期即可開(kāi)關(guān)解鎖。