TriQuint半導體公司推出全球最小的線(xiàn)性EDGE發(fā)射模塊---QUANTUM Tx™ TQM6M9085。該模塊的體積比前代產(chǎn)品小35%，為現今結構緊湊的移動(dòng)設備節省寶貴的電路板空間。同時(shí)，該模塊具有功率附加效率為45%的一流性能，提供更長(cháng)電池續航時(shí)間，給予移動(dòng)設備使用者更長(cháng)操作時(shí)間。

與領(lǐng)先的芯片供應商配合，TriQuint的新QUANTUM Tx™ TQM6M9085發(fā)射模塊提供更多的保證。在一個(gè)結構緊湊的5.25 x 6mm占位面積，此新的模塊向手機設計者提供砷化鎵 (GaAs) 異質(zhì)結雙極晶體管 (HBT) 性能的所有優(yōu)勢。其在低直流電源下的高增益線(xiàn)性工作模式使它非常適用于要求高效率的下一代設備。該集成式模塊還具有附加開(kāi)關(guān)端口以支持更多頻帶，為智能手機、功能手機和低成本的純語(yǔ)音手機提供更大的設計靈活性。 

該新產(chǎn)品是獲得市場(chǎng)成功的TriQuint QUANTUM Tx™發(fā)射模塊系列的最新成員，該系列產(chǎn)品已深深扎根于射頻市場(chǎng)。一些世界領(lǐng)先的移動(dòng)手持終端制造商包括三星、華為和中興通訊,都選擇了TriQuint的QUANTUM Tx發(fā)射模塊。迄今，TriQuint的出貨量已接近2億單元。TriQuint在2011年增加了40%的制造能力，以支持客戶(hù)不斷增加的移動(dòng)設備產(chǎn)品組合的需求。

TriQuint新的TQM6M9085發(fā)射模塊是一種完全匹配式SP8T WEDGE的發(fā)射模塊，提供2G 射頻功率放大、功率控制和3G頻帶切換的功能。與分立解決方案相比，由于不需要對放大器和開(kāi)關(guān)之間進(jìn)行優(yōu)化匹配，該模塊可以幫助客戶(hù)加快產(chǎn)品上市速度。它提供最先進(jìn)GSM/EDGE效率，可減少總體物料清單，并允許進(jìn)行靈活的單一手機電路板布局，最多可支持四個(gè)WCDMA/LTE的工作頻帶。

TQM6M9085設計采用了TriQuint先進(jìn)的InGaP HBT技術(shù)及CuFlip™工藝封裝，提供最先進(jìn)的可靠性、溫度穩定性和堅固性。

與分立解決方案相比，TriQuint高集成度的發(fā)射模塊提供：

更低成本 – 用一個(gè)緊湊模塊替代多達九個(gè)分立部件，幫助減少物料清單和庫存。

更佳性能 – 實(shí)現高功率附加效率 (PAE) 來(lái)延長(cháng)電池續航時(shí)間。

更小尺寸 – 利用CuFlip™等先進(jìn)技術(shù)來(lái)顯著(zhù)減少印刷電路板空間占用。

TriQuint的QUANTUM Tx發(fā)射模塊已獲得了多個(gè)設計項目開(kāi)發(fā)。早些時(shí)候推出的TQM6M4068是業(yè)內最小的發(fā)射模塊并獲得了2011年EDN China創(chuàng )新獎中的“最佳產(chǎn)品”獎。該模塊已獲準用于MediaTek的芯片組參考設計，并已被許多新的2G手機平臺選用。TQM6M9069模塊具有同樣小的5x6 mm占位面積，但增加了3G/4G支持。兩種模塊都有助于簡(jiǎn)化移動(dòng)設備設計，并顯示了TriQuint在集成領(lǐng)域的優(yōu)勢。