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高效HIT太陽(yáng)能光伏電池設計
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2013/3/5 10:42:00
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HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的縮寫(xiě),意為本征薄膜異(膜厚5~10nm)質(zhì)結.HIT太陽(yáng)能電池是以光照射側的p/i型a-Si膜和背面側的i/n型a-Si膜(膜厚5~10nm)夾住單結晶Si片的來(lái)構成的.

 

圖一.HIT太陽(yáng)能光伏電池結構

HIT太陽(yáng)能光伏電池基板以硅基板為主;在硅基板上沉積高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜,表層再沉積透明導電膜,背表面有著(zhù)背表面電場(chǎng)。通過(guò)優(yōu)化硅的表面織構,可以降低透明導電氧化層(TCO)和a-Si層的光學(xué)吸收損耗。HIT太陽(yáng)能光伏電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率,而增強n型c-Si的光吸收率。

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HIT太陽(yáng)能光伏電池在技術(shù)上的優(yōu)勢

由于HIT太陽(yáng)能電池使用a-Si構成pn結,所以能夠在200℃以下的低溫完成整個(gè)工序。和原來(lái)的熱擴散型的結晶太陽(yáng)電池的形成溫度(~900℃)相比較,大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對稱(chēng)構造和低溫工藝的特征,減少了因熱量或者膜形成時(shí)產(chǎn)生的Si晶片的變形和熱損傷,對實(shí)現晶片的輕薄化和高效化來(lái)說(shuō)是有利的,具有業(yè)界領(lǐng)先的高轉換效率(研究室水平為23%,量產(chǎn)水平為20%),即使在高溫下,轉換效率也極少降低,利用雙面單元來(lái)提高發(fā)電量。

 
 
 
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