前幾天發(fā)過(guò)一個(gè)電源開(kāi)關(guān)控制電路的原理內容，現在以下圖的LVDS power control電路進(jìn)行深入分析學(xué)習，在處理電子精密時(shí)序問(wèn)題時(shí)可以用得上。
R196與C167組成RC 積分電路，裝前端輸入的矩形波轉變?yōu)橛猩舷逻呏蔚牟ㄐ巍?/font>
取R200,C161,C163為輸入變量，Trising ,Tfalling,Vmax作為輸出變量。
C163放電阻看輸出變量是否有規律
| R200 |
C161 |
C163 |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
| 100k |
1uf |
1k |
3.186 |
0.912 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
2k |
3.151 |
1.13 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
2.7k |
3.131 |
1.3 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
3.9k |
3.12 |
1.53 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
4.7k |
3.156 |
1.66 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
10k |
3.1 |
2.78 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
1m |
3.166 |
8.5 |
12.4 |
| 100k |
1uf |
nc |
3.18 |
8.52 |
12.4 |
可以看出，只有Tfalling 與MOS后端C163有關(guān)，R增大，Tfalling增大
C163放電容看輸出變量是否有規律
| R200 |
C161 |
C163(uf) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
| 100k |
1uf |
0.47 |
3.065 |
8.52 |
12.3 |
| 100k |
1uf |
1 |
3.178 |
8.5 |
12.3 |
| 100k |
1uf |
2.2 |
17.72 |
7.66 |
13.1 |
| 100k |
1uf |
4.7 |
16.57 |
1.95 |
13.2 |
| 100k |
1uf |
10 |
17 |
1.92 |
13.1 |
可以看出，當電容小的時(shí)候，因只對高頻有作用，不影響Trising，Tfalling。
當電容大的時(shí)候，會(huì )加大Surge 電壓Vmax ,Trising也會(huì )變大，且因其ESR變大，將使Tfalling變小。
C161變化或R200變化看輸出變量是否有規律
| R200 |
C161 |
C163(Ohm) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
| 100k |
1uf |
1k |
13.7 |
1.32 |
13.3 |
| 100k |
2.2uf |
1k |
13.8 |
1.37 |
13.1 |
| 100k |
4.7uf |
1k |
14.4 |
1.37 |
13.1 |
| 100k |
10uf |
1k |
15 |
1.35 |
13.1 |
| R200 |
C161 |
C163(Ohm) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
| NC |
1uf |
1k |
17.2 |
1.38 |
13.2 |
| 200k |
1uf |
1k |
15.3 |
1.36 |
13.1 |
| 150k |
1uf |
1k |
12.8 |
1.37 |
13.1 |
| 100k |
1uf |
1k |
13.7 |
1.32 |
13.3 |
| 75k |
1uf |
1k |
12.6 |
1.36 |
13.1 |
| 47k |
1uf |
1k |
12.8 |
1.38 |
13.1 |
當C161變化或R200變化時(shí)，因為T(mén)=2PI*R*C，Trising時(shí)間增大，但不明顯。在實(shí)際應用中需要兩個(gè)同時(shí)變化反復實(shí)驗，得到一組理想值。
R113功能：當Q114導通時(shí)，B極電壓恒定0.7V，增加電阻可有效防止控制端由于電壓強制拉低導致端口損壞。
Q104：利用三極管導通特性，Q105：場(chǎng)效應管導通特性導通
R111:開(kāi)關(guān)管導通瞬間限流作用
C112:利用電容充放電性能，降低導通瞬間電流功能 |
