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東芝開(kāi)發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器多層單元結構MROM
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2013/6/18 14:00:00
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東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布開(kāi)發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元,以提供更好的單元電流特性,并且單元尺寸不會(huì )增加。這一進(jìn)展是通過(guò)采用多層單元結構實(shí)現的,該結構還可以保證高速運轉。詳細信息將于6月14日在2013年超大規模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì )(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布,此次研討會(huì )將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

MROM的主要作用是存儲引導裝載程序或固件。智能手機和平板電腦等數字應用的SoC部署的MROM密度正逐年增加,為了縮短存取時(shí)間,有必要將每一代的MROM單元尺寸減半。

在典型的MROM位單元(單層單元)中,隨著(zhù)SoC工藝技術(shù)的進(jìn)步,制造方面的變化不斷增多,并且單元晶體管的溝道面積不斷縮小。因此40納米一代的存取時(shí)間比先前一代工藝有所增加?s短存取時(shí)間需要更大的晶體管,因為更大的單元面積可以保證更大的溝道面積。

東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種使用面積達到標準單層單元兩倍的多位單元,使單元晶體管中的溝道寬度成功擴大了三倍。這也使得單元的電流特性提升了三倍,并且單位面積存儲容量未發(fā)生任何變化。它使得制造變化的影響降低了42%。

東芝已經(jīng)使用40納米一代工藝開(kāi)發(fā)了MROM單元,并計劃于2014年為部署該單元的數字應用交付SoC。

關(guān)于東芝

東芝是一家全球領(lǐng)先的多元化制造商、解決方案提供商以及先進(jìn)電子電氣產(chǎn)品及系統的營(yíng)銷(xiāo)商。東芝集團將創(chuàng )新和想象力帶入廣泛的業(yè)務(wù)之中,包括:LCD電視、筆記本電腦、零售解決方案和多功能一體機(MFP)在內的數碼產(chǎn)品;半導體、存儲產(chǎn)品和材料在內的電子器件;發(fā)電系統、智能社區解決方案、醫療系統以及扶手電梯和升降機在內的工業(yè)及社會(huì )基礎設施系統,以及家用電器。

東芝成立于1875年,如今已成為一家有著(zhù)550多家附屬公司的環(huán)球企業(yè),全球擁有202,000名員工,年銷(xiāo)售額逾6.1萬(wàn)億日元(740億美元)。

 
 
 
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