圖1中的電路為兼有新型3.3V和老式5V器件的轉換電路供電。另外，由于穩壓器既接受3.3V也接受5V輸入，因此可以直接將其用于新型3.3V系統，或老式5V系統。

　　電路包括兩個(gè)部分：一個(gè)DC/DC轉換器，還有一個(gè)雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)。DPDT開(kāi)關(guān)包括一對雙N溝道MOSFET(Q2和Q3)，以及它們相應的高側驅動(dòng)器。

　　在上電時(shí)， I C 2中的比較器檢測電路的狀態(tài)。IC 2比較器的輸出(第6腳)接到MOSFET驅動(dòng)器IC1的輸入端。驅動(dòng)器內部生成一個(gè)比器件供電電壓高8.8V的柵極驅動(dòng)電壓。這個(gè)大電壓驅動(dòng)Q 2和Q 3中的相應MOSFET。

　　圖1，當從5V元件轉用3.3V元件時(shí)，用圖中這種雙輸出穩壓器可設計出能使用3.3V和5V器件的表面安裝PC板。此外，這款新穎的穩壓器還能同時(shí)接受3.3V或5V的輸入電源。

　　IC2亦是一個(gè)飛電容降壓/升壓DC/DC轉換器的核心。與其它開(kāi)關(guān)穩壓方案不同，這種結構不需要變壓器。晶體管Q1控制著(zhù)這個(gè)部分的輸出電壓VS。當VIN為5V時(shí)，Q1關(guān)斷，使該部分工作為一個(gè)步進(jìn)降壓轉換器。在此模式下，這個(gè)部分產(chǎn)生3.3V，通過(guò)Q3B而輸出。另外在此模式下，5V電源直接通過(guò)Q2A，而Q2B和Q3A均關(guān)斷。

　　當VIN為3.3V時(shí)，IC1使Q1導通，將140kΩ電阻短路，并使DC/DC轉換器部分進(jìn)入步進(jìn)升壓模式。在此模式下，轉換器部分在VS上產(chǎn)生5V，通過(guò)Q2B提供5V輸出。另外在此模式下，3.3V通過(guò)Q3A直接從電路的輸入到輸出。Q2A和Q3B均關(guān)斷。

　　無(wú)負載下的靜態(tài)耗電大約為500μA。低頻轉換器可降低功耗，代價(jià)是要用較大的電感。兩種模式下，DC/DC轉換器部分的效率均為73%。但由于這一功率只是電路輸出功率的一半，因此電路的總效率在VIN=3 . 3 V 時(shí)約為8 0%， V IN=5 V 時(shí)為86%。