共集電極(CC)以及共漏極(CD)電路是將它們的集電極或漏極連接到低阻抗點(diǎn)（即交流地），如圖3.7(a)所示。因為集電極或漏極的電流只從集電極到發(fā)射極或漏極到源極，PIC24HJ64GP206-I/PT所以基極或柵極是一個(gè)很差的輸出端。結果在CC／CD組態(tài)中唯一可能輸出端就是發(fā)射極或源極。類(lèi)似地，因為集電極和漏極電流跟基極或柵極的電壓有很強的關(guān)系，并且是唯一可用的其他端口，所以基極或柵極為輸入端。假設理想電流源。

          
    圖3.7(a)共集電極射極跟隨器和共漏極源跟隨器；(b)各自的大信號響應
    大信號工作狀態(tài)
    與共射極和共源極組態(tài)不同，．當它們的輸入電壓低時(shí)，輸出電壓也低，反之亦
然，意味著(zhù)本質(zhì)上不反相。在N型CC或CD紐態(tài)輸出端開(kāi)始上升時(shí)的輸入電壓與得到足夠的負載電流Ihias所需要的基極到發(fā)射極或柵極到源極的直流電壓相符合，此處的電壓V。接近于0.65～0.8V，為1～1.5V。由于相同的原因，最大的輸出電壓比電源電壓低一個(gè)。(即o．65～1. 5V)。另外，最小輸出電壓，根據CC或CD即將關(guān)閉時(shí)的電壓（就是沒(méi)有電流），當進(jìn)入三極管范圍時(shí)，偏置晶體管將拉到地電壓。
    低頻小信號響應
    與CE/CS組態(tài)一樣，模擬電路設計師通常將CC或CD晶體管偏置在它的高增益模式（BJT的正向有源區或微飽和狀態(tài)和MOSFET的飽和狀態(tài)），此時(shí)電路有最高的增益。然而在這種情況下，增益較大且穩定，所對應的VIN和Vc，UT范圍相對比較寬，這可以從圖3.7(b)中大信號響應中得出。致使線(xiàn)性范圍寬的原因就是增益接近1，因為在VIN絕大部分范圍內，對于保持偏置電流的任何電壓，VHF和vcs一直不變。對于所有的實(shí)際目的，這種不變的電壓等于在基極到發(fā)射極或柵極到源極之間引入直流偏移電壓，換句話(huà)說(shuō)，就是在VI\I和V()UT之間有個(gè)無(wú)信號增益的電壓，這就是這些電路通常被稱(chēng)為發(fā)射極或源極跟隨器的原因。
    如圖3.8所示，通過(guò)替換CC和CD晶體管各自的小信號等效模型，提供了一種更精確的方法計算電路的電壓增益。在開(kāi)始前，理解流過(guò)體效應跨導的電流與它兩端的電壓成比例是很有意義的，用一個(gè)阻值為1／gMn的電阻表示這個(gè)效果：