功率因數校正（PFC）市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類(lèi)似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設備的諧波標準。由于北美沒(méi)有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類(lèi)產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的附加驅動(dòng)因素。

主動(dòng)PFC有兩種通用模式：使用三角形和梯形電流波形的不連續電流模式（DCM）和連續電流模式（CCM）。DCM模式一般用于輸出功率在75W到300W之間的應用；CCM模式用于輸出功率大于300W的應用。當輸出功率超過(guò)250W時(shí)，PFC具有成本效益，因為其它方面（比如效率）得到了補償性的提高，因此實(shí)際上不增加額外的成本。

主動(dòng)PFC是服務(wù)器系統架構（SSI）一致性的要求：供電模塊應該采用帶主動(dòng)功率因數校正的通用電源輸入，從而可以減少諧波，符合EN61000-3-2和JEIDA MITI標準。這就需要高功率密度應用能夠提供較寬的輸入電壓范圍（85~265V），從而給PFC級電路使用的半導體提出了特殊的要求。

在輸入85V交流電壓時(shí)，必須有最低的Rdson，因為傳導熱損失與輸入電壓的3次方成反比關(guān)系。這種MOSFET管的高頻工作能夠顯著(zhù)減少升壓抑制。因此晶體管的快速開(kāi)關(guān)特性是必須的。升壓二極管應該具有快速開(kāi)關(guān)、低Vf和低Qrr特性。為了減少MOSFET在接通時(shí)的峰值電流壓力，低Qrr是必須的。如果沒(méi)有這一特性，升壓MOSFET將增加溫度和Rdson，導致更多的功率損失，從而降低效率。在高功率密度應用中效率是取得較小體積（30W/cm3英寸）和減少無(wú)源器件尺寸的關(guān)鍵因素。因此高的開(kāi)關(guān)頻率必不可少。

為了設計效率和外形尺寸最優(yōu)的CCM PFC，升壓二極管還必須具備以下一些特性：較短的反向恢復和正向恢復時(shí)間；最小的儲存電荷Q；低的漏電流和最低的開(kāi)關(guān)損耗。過(guò)壓和浪涌電流能力非常重要，它們能夠用來(lái)處理PFC中由啟動(dòng)和交流回落引起的浪涌和過(guò)電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管（SiC肖特基二極管）才能實(shí)現。

由于SiC肖特基二極管中缺少正向和反向恢復電荷，因此可以用更小的升壓MOSFET.這樣做除了成本得到降低外，器件溫度也會(huì )降低，從而使SMPS具有更高的可靠性。

由于SiC肖特基二極管的開(kāi)關(guān)行為獨立于正向電流（Iload）、開(kāi)關(guān)速度（di/dt）和溫度，因此這種二極管在設計中很容易使用。在設計中采用SiC肖特基二極管能夠實(shí)現最大的開(kāi)關(guān)工作頻率（最高可達1MHz），從而可以使用更小體積的無(wú)源器件。

最低的開(kāi)關(guān)損耗和低的Vf能使用更小的散熱器或風(fēng)扇。另外，由于具有正的溫度系數，SiC肖特基二極管能夠非常方便地并行放置。

thinQ！2G向理想的高電壓二極管邁進(jìn)

新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ！2G）融合了普通SiC肖特基二極管和雙極pn結構，從而具有非常高的浪涌電流承受能力和穩定的過(guò)壓特性。

圖1對SiC肖特基二極管結構與合并后的pn肖特基二極管概念進(jìn)行比較。p區域針對發(fā)射極效率和電導率作了優(yōu)化，因此在正向電壓超過(guò)4V時(shí)能用作浪涌電流的旁路通道。

圖1：（a）傳統SiC肖特基二極管的截面圖；（b）具有合并p摻雜島的thinQ！2G SiC二極管

改進(jìn)的浪涌電流能力

thinQ！2G提供改進(jìn)的浪涌電流功能，允許針對應用中的平均電流條件進(jìn)行設計，也就是說(shuō)，大多數的啟動(dòng)和AC回落引起的浪涌和過(guò)流能很好地獲得處理。圖2表明，在正常工作狀態(tài)，thinQ！2G的行為與具有零反向恢復電荷的普通肖特基二極管沒(méi)什么兩樣，在大電流狀態(tài)其正向特性如同雙極pn二極管一樣，能夠顯著(zhù)減少功率損耗。

圖2：SiC肖特基二極管和thinQ！2G的浪涌電流比較

由于改進(jìn)的浪涌電流能力使得在指定應用中采用更低標稱(chēng)電流的二極管進(jìn)行設計成為可能。到目前為止，二極管的浪涌電流額定值仍是重要的設計考慮因素。已經(jīng)具有良好浪涌電流標稱(chēng)值的6A二極管IFSM=21A@10ms的thinQ！被極大地增強為IFSM 49A@10ms的thinQ！2G.

對實(shí)際應用（6A IFX第一代SiC肖特基二極管、PFC、寬范圍）進(jìn)行的測試證實(shí)了這些改進(jìn)：6A第一代SiC肖特基二極管足以用來(lái)處理啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流，結溫會(huì )升高到50℃。這種情況非常接近由于肖特基特性而引起的熱失控，如圖2所示。在通常情況下可以使用更小體積的二極管。

新的4A thinQ！2G能夠更好地處理同一應用中的啟動(dòng)狀況。溫度只升高到35℃。由于是雙極特性，因此到達最高結溫時(shí)不會(huì )產(chǎn)生熱量失控。設計工作于正常情況的thinQ！2G具有足夠的余量來(lái)處理異常情況。

穩定的過(guò)壓特性

除了改進(jìn)的浪涌電流功能外，融合pn肖特基概念的thinQ！2G能夠承受實(shí)際的雪崩電流擊穿條件。這對目前市場(chǎng)上的任何其它SiC肖特基二極管來(lái)說(shuō)都是不可能的。這是低電阻率和合并肖特基結構中p島的設計造成的，它能保證在肖特基接口處的電場(chǎng)到達破壞性值前開(kāi)始雪崩（圖3）。

圖3：thinQ！2G穩定的過(guò)壓特性

正溫度系數使thinQ！2G具有了穩定的雪崩和過(guò)壓行為，并使直接與電力網(wǎng)連接的電信和服務(wù)網(wǎng)中的PFC級應用在瞬時(shí)脈沖和過(guò)壓狀態(tài)下具有更高的可靠性、抗擾性和魯棒性。

在PFC級中的瞬態(tài)變化期間，過(guò)壓可以被500~550V左右的大電容（對于常用的450V大電容）齊納擊穿。在這種應力條件下，thinQ！2G能夠遠離危險的過(guò)壓行為。這種改進(jìn)的過(guò)壓和浪涌電流能力可以使二極管的壓力減小，使應用具有更高的可靠性。

SiC肖特基二極管——適合各種供電條件的解決方案

利用具有獨特性能的碳化硅作為器件材料，能制造出接近理想功能特性的升壓二極管，并適合PFC應用中的各種功率級別。SiC肖特基二極管具有的無(wú)反向恢復電荷、反向特性與開(kāi)關(guān)速度、溫度和正向電流無(wú)關(guān)的特性均能減少PFC應用中的功率損耗。這對服務(wù)器和高端PC電源來(lái)說(shuō)尤其重要，因為效率提高的要求變得越來(lái)越重要，特別是要滿(mǎn)足80plus等法規要求時(shí)。

圖4：英飛凌的thinQ！ 2G碳化硅肖特基二極管

thinQ！2G在這些重要性能的基礎上增加了獨特的過(guò)流和過(guò)壓能力。浪涌電流能力有助于設計穩態(tài)工作時(shí)的額定電流值，由于可以采用更低額定電流值的二極管，因此具有成本優(yōu)勢。過(guò)壓特性在電信和無(wú)線(xiàn)基礎應用等苛刻環(huán)境中非常重要。在這些應用中，能夠克服過(guò)壓尖峰和異常線(xiàn)路狀態(tài)并由此提高可靠性的健壯能力是必須的。

通過(guò)使用能夠提供最低開(kāi)關(guān)損耗的SiC二極管來(lái)提高效率在UPS和太陽(yáng)能逆變器等系統中經(jīng)常會(huì )用到，在這些系統中每次損耗的減少都能直接帶來(lái)良好的回報。針對日益提高的效率目標，我們希望碳化硅二極管的應用能轉移到更低的功率級別：利用thinQ！2G可以滿(mǎn)足更多的需要更高環(huán)境溫度、更高器件溫度和更高可靠性的應用。