先上電路圖:
先談?wù)凱CB LAYOUT注意點(diǎn):
大家都知道,EMC對地線(xiàn)走線(xiàn)畢竟有講究,針對PSR的初級地線(xiàn),可以分為4個(gè)地線(xiàn),如圖中所標示的三角地符號。這4個(gè)地線(xiàn)需采用“一點(diǎn)接地”的布局。
1.C8的地線(xiàn)為電源輸入地。
2.R5的地為功率地。
3.C2的地為小信號地。
4.變壓器PIN3的地為屏蔽地。

這4個(gè)地的交接點(diǎn)為C8的負端,即:輸入電壓經(jīng)整流橋后過(guò)C1到C8地,R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨連線(xiàn)直接引致C8負端相連,連線(xiàn)盡量短;R5地線(xiàn)因考慮到壓降和干擾應盡量寬些。
C5,R10,U1PIN7和PIN8地線(xiàn)匯集致C2負端再連接于C8負端。
若為雙面板,以上4條地線(xiàn)盡量不要采用過(guò)孔連接,不得以可以采用多個(gè)過(guò)孔陣列以減小過(guò)孔壓降。
以上地線(xiàn)布局恰當,產(chǎn)品的共模干擾會(huì )很小。
因PSR線(xiàn)路負載時(shí)工作在PFM狀態(tài)下的DCM模式,DI/DT的增大和頻率的提升,所以較難處理的是傳導150K~5M差模干擾。
就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進(jìn)行逐個(gè)分析。
1.保險絲
將保險絲換用保險電阻理論上來(lái)講對產(chǎn)品效率是有負面影響的,但實(shí)際表現并不明顯,所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來(lái)降低150K附近的差模干擾,對通過(guò)5級能耗并無(wú)太大影響,且成本也有所降低。
2.C1,L2,C8
PSR工作在DCM模式,相對而言其輸入峰值電流會(huì )大很多,所以輸入濾波很重要。
峰值電流的增大會(huì )導致低壓輸入時(shí)母線(xiàn)電壓較低,且C8的溫升也會(huì )增加;為了提高母線(xiàn)電壓和降低C8的溫升,需提高C1的容量和使用LOWESR的 C1和C8.因為提高C1的容量后,C1和C8的工作電壓會(huì )上升,在輸出功率不變的情況下,輸入的峰值電流就會(huì )降低。因L2的作用,實(shí)際表現為增加C1的 容量比增加C8的容量抑制EMC會(huì )更有效。
一般取C1為6.8uF,C8為4.7uF效果較好,若受空間限制,采用8.2u與3.3u也比采用2個(gè)2.7u的EMC抑制效果好。L2一般從成 本考慮采用色環(huán)電感,因色環(huán)電感的功率有限,電感量太大會(huì )嚴重影響效率,一般取330u~2mH,2mH是效率影響開(kāi)始變得明顯,330u對差模干擾的作 用不夠分量,為了使效率影響最低且對差模干擾抑制較佳,建議采用1mH。
因為“一點(diǎn)接地”的布局匯集點(diǎn)在C8的負端,在C8負端輸入電流的方向是經(jīng)過(guò)C1和BD1流回輸入端,根據傳導測試的原理,這樣產(chǎn)生消極影響,所以 需在C1與C8的地線(xiàn)上作處理,有空間的可以再中間增加磁珠跳線(xiàn),空間受限可以采用PCBlayout曲線(xiàn)來(lái)實(shí)現,雖然效果會(huì )弱些,但相比直線(xiàn)連接會(huì )改善不少。
3.R6,D2,R2,C4
RCD吸收對EMC的影響大家都應該已經(jīng)了解,這里主要說(shuō)下R6與D2對EMC的影響。R6的加入和D2采用恢復時(shí)間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負作用,但對傳導有益。所以在整改EMC時(shí)此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。
4.R5
R5既為電流檢測點(diǎn)也是限功率設置點(diǎn)。所以R5的取值會(huì )影響峰值電流也會(huì )影響OPP保護點(diǎn)。建議在OPP滿(mǎn)足的情況下盡量取大些。一般不低于2R,建議取2.2R。
5.R4,R10,D3,R3,C2
在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。因IC內部的檢測有采用積分電路,所以當VCC電壓設置過(guò)高,就需要更長(cháng)的積分時(shí)間,在周期不 變的情況下,TON的時(shí)間就會(huì )增加,輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會(huì )增加,在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會(huì )增加,且 D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用,會(huì )使輸出電壓的過(guò)沖加劇,同時(shí)影響延時(shí)檢測的開(kāi)啟時(shí)間。這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。
根據經(jīng)驗,結合變壓器漏感考慮,VCC電壓在滿(mǎn)載事最大值不宜超過(guò)19V,所以為使空載時(shí)VCC不至于太低導致蕩機,建議VCC電壓設計在15V,變壓器漏感最大不宜超過(guò)15%。
6.C5
C5是IC內部延時(shí)檢測補償設置端。C5的取值大了會(huì )導致電壓檢測的周期加長(cháng),小了會(huì )導致電壓檢測的周期變短。檢測周期的變化會(huì )影響電壓的采樣率,也就會(huì )影響整個(gè)產(chǎn)品各處的電流紋波,對EMC也會(huì )造成一定影響,一般選取0.01~0.1uF。
7.C3,C7
前面提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過(guò)沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩定性。但C3,C7的容量也不是越大越好,它會(huì )對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會(huì )導致第5點(diǎn)講到的峰值電流加大,所以不能盲目選擇。
對PSR原邊反饋控制開(kāi)關(guān)電源的設計和調試經(jīng)驗講解到此就告一段落了,希望能給大家的實(shí)際設計帶來(lái)幫助。