半導體放電管作為開(kāi)關(guān)型的過(guò)壓器件一般都是并聯(lián)在電路上，器件不動(dòng)作時(shí)，阻值最高，可視為開(kāi)路，對電路幾乎沒(méi)有影響。當有異常脈沖時(shí)，阻值瞬間下降，瞬間釋放電流。當異常高壓消失，其恢復到高阻狀態(tài)，電路正常工作。除了這個(gè)大眾皆知的工作原理外，小碩還為大家整理了半導體放電管在工作時(shí)阻斷區、雪崩區、負阻區和低阻通態(tài)區的反應狀態(tài).
反向工作狀態(tài)（K端接正、A端接負）
正向工作狀態(tài)（A端接正、K端接負）
①阻斷區：此時(shí)器件兩端所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，起了阻擋電流的作用，外加電壓幾乎都加在了J2上。
②雪崩區：當外加電壓上升接近J2結的雪崩擊穿電壓時(shí)，反偏J2結空間電荷區寬度擴展的同時(shí)，結區內電場(chǎng)大大增強，從而引起倍增效應加強。于是，通過(guò)J2結的電流突然增大，并使流過(guò)器件的電流也增大，這就是電壓增加，電流急劇增加的雪崩區。
③負阻區：當外加電壓增加到大于VBO時(shí)，由于雪崩倍增效應而產(chǎn)生了大量的電子空穴對，此時(shí)這些載流子在強場(chǎng)的作用下，電子進(jìn)入n2區，空穴進(jìn)入p1區，由于不能很快復合而分別堆積起來(lái)，使J2空間電荷區變窄。由此使p1區電位升高、n2區電位下降，起了抵消外電壓的作用。隨著(zhù)J2結區電場(chǎng)的減弱，降落在J2結上的外電壓將下降，雪崩效應也隨之減弱。另一方面，J1、J3結的正向電壓卻有所增加，注入增強，造成通過(guò)J2結的電流增大，于是出現了電流增加電壓減小的負阻現象。
④低阻通態(tài)區：如上所述，雪崩效應使J2結兩側形成空穴和電子的積累，造成J2結反偏電壓減��；同時(shí)又使J1、J3結注入增強，電流增大，因而J2結兩側繼續有電荷積累，結電壓不斷下降。當電壓下降到雪崩倍增完全停止，結電壓全部被抵消后，J2結兩側仍有空穴和電子積累時(shí)，J2結變?yōu)檎�。此時(shí)，J1、J2和J3全部為正偏，器件可以通過(guò)大電流，因而處于低阻通態(tài)區。完全導通時(shí)，其伏安特性曲線(xiàn)與整流元件相似。 |
