SLC、MLC和TLC

X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術(shù)接棒后，架構演進(jìn)為1個(gè)存儲器儲存單元存放2位元。

2009年TLC架構正式問(wèn)世，代表1個(gè)存儲器儲存單元可存放3位元，成本進(jìn)一步大幅降低。

如同上一波SLC技術(shù)轉MLC技術(shù)趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠(chǎng)東芝(Toshiba)引發(fā)戰火，之后三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰局，使得整個(gè)TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)且應用在終端產(chǎn)品上。

TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

象是內嵌世紀液體應用、智能型手機(Smartphone)、固態(tài)硬碟(SSD)等技術(shù)門(mén)檻高，對于NAND Flash效能講求高速且不出錯等應用產(chǎn)品，則一定要使用SLC或MLC芯片。

2010年NAND Flash市場(chǎng)的主要成長(cháng)驅動(dòng)力是來(lái)自于智能型手機和平板計算機，都必須要使用SLC或MLC芯片，因此這兩種芯片都處于缺貨狀態(tài)，而TLC芯片卻是持續供過(guò)于求，且將整個(gè)產(chǎn)業(yè)的平均價(jià)格往下拉，使得市調機構iSuppli在統計2010年第2季全球NAND Flash產(chǎn)值時(shí)，出現罕見(jiàn)的市場(chǎng)規�？s小情況發(fā)生，從2010年第1季43億美元下降至41億美元，減少6.5%。

U盤(pán)MP3中使用的SLC、MLC、TLC閃存芯片的區別：

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長(cháng)，價(jià)格超貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格)，約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫(xiě)壽命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠(chǎng)家叫8LC，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫(xiě)壽命，目前還沒(méi)有廠(chǎng)家能做到1000次。

目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋U盤(pán)產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星MLC中的原裝A級芯片。讀寫(xiě)速度：采用H2testw v1.4測試，三星MLC寫(xiě)入速度: 4.28-5.59 MByte/s，讀取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC寫(xiě)入速度: 8.5MByte/s，讀取速度: 14.3MByte/s。

需要說(shuō)明的閃存的壽命指的是寫(xiě)入(擦寫(xiě))的次數，不是讀出的次數，因為讀取對芯片的壽命影響不大。

下面是SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異

SLC 利用正、負兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)柵存儲1個(gè)bit的信息，約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。

MLC 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)柵存儲2個(gè)bit的信息，約一萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。

TLC 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)柵存儲3個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫(xiě)壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。

閃存產(chǎn)品壽命越來(lái)越短，現在市場(chǎng)上已經(jīng)有TLC閃存做的產(chǎn)品了

鑒于SLC和MLC或TLC閃存壽命差異太大

強烈要求數碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標明是SLC和MLC或TLC閃存產(chǎn)品

許多人對閃存的SLC和MLC區分不清。就拿目前熱銷(xiāo)的MP3隨身聽(tīng)來(lái)說(shuō)，是買(mǎi)SLC還是MLC閃存芯片的呢?在這里先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質(zhì)量、數據的安全性、機器壽命等方面要求較高，那么SLC閃存芯片的首選。但是大容量的SLC閃存芯片成本要比MLC閃存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低價(jià)格的MP3多是采用MLC閃存芯片。大容量、低價(jià)格的MLC閃存自然是受大家的青睞，但是其固有的缺點(diǎn)，也不得不讓我們考慮一番。

什么是SLC?

SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。

SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫(xiě)入數據時(shí)通過(guò)對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過(guò)源極，即可將所儲存的電荷消除，通過(guò)這樣的方式，便可儲存1個(gè)信息單元，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，不過(guò)此技術(shù)受限于Silicon efficiency的問(wèn)題，必須要由較先進(jìn)的流程強化技術(shù)(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術(shù)。

什么是MLC?

MLC英文全稱(chēng)(Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。

英特爾(Intel)在1997年9月最先開(kāi)發(fā)成功MLC，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)Floating

Gate(閃存存儲單元中存放電荷的部分)，然后利用不同電位(Level)的電荷，通過(guò)內存儲存的電壓控制精準讀寫(xiě)。MLC通過(guò)使用大量的電壓等級，每個(gè)單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個(gè)值，而MLC架構可以一次儲存4個(gè)以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。

與SLC比較MLC的優(yōu)勢：

簽于目前市場(chǎng)主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存。SLC架構是0和1兩個(gè)值，而MLC架構可以一次儲存4個(gè)以上的值，因此MLC架構的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來(lái)提高產(chǎn)品的容量，無(wú)須額外投資生產(chǎn)設備，擁有成本與良率的優(yōu)勢。

與SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過(guò)改進(jìn)，MLC的讀寫(xiě)性能應該還可以進(jìn)一步提升。

與SLC比較MLC的缺點(diǎn)：

MLC架構有許多缺點(diǎn)，首先是使用壽命較短，SLC架構可以寫(xiě)入10萬(wàn)次，而MLC架構只能承受約1萬(wàn)次的寫(xiě)入。

其次就是存取速度慢，在目前技術(shù)條件下，MLC芯片理論速度只能達到6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。

再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。

雖然與SLC相比，MLC缺點(diǎn)很多，但在單顆芯片容量方面，目前MLC還是占了絕對的優(yōu)勢。由于MLC架構和成本都具有絕對優(yōu)勢，能滿(mǎn)足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場(chǎng)需求。