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2015年全球非易失性存儲器（NVM）新興技術(shù)與市場(chǎng)趨勢報告
文章來(lái)源： 更新時(shí)間：2015/6/8 13:10:00
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日前宣布加入的“新興非易失性存儲器（NVM）技術(shù)與市場(chǎng)趨勢報告”報告他們的產(chǎn)品。

“新興非易失性存儲器（NVM）技術(shù)與市場(chǎng)趨勢報告”

在過(guò)去的兩年中，新興的復雜非易失性存儲器（NVM）的情況已經(jīng)大大簡(jiǎn)化。

在2014年，美光，主相變存儲器（PCM）啟動(dòng)的獨立內存，停止積極推銷(xiāo)PCM芯片以下銷(xiāo)售目標萎縮的入門(mén)級手機市場(chǎng)的崩潰。與此同時(shí)，美光開(kāi)發(fā)了一種電阻式隨機存取存儲器（RRAM或ReRAM的）芯片與索尼，其包括導電性橋的RAM（CBRAM）的技術(shù)類(lèi)的一部分。

在16 GB的美光，索尼RRAM具有在新興NVM技術(shù)商業(yè)化密度最高。因此，我們認為PCM現在退賽的獨立內存。對于嵌入式微控制器單元（MCU）的應用程序2015年將是一個(gè)關(guān)鍵的一年，意法半導體在這個(gè)市場(chǎng)的主要PCM啟動(dòng)，將選擇PCM是否將繼續留在它的路線(xiàn)圖。

因此新興的NVM報告集中在兩個(gè)最有前途的技術(shù)：RRAM和磁阻RAM（MRAM）。 MRAM的最有吸引力的類(lèi)別是自旋轉移矩磁阻RAM（STTMRAM），其提供更高的可擴展性/密度。一個(gè)主要的選擇標準存儲器是芯片的可擴展性/密度，因為這會(huì )影響性能和成本。該Yole報告提供了技術(shù)節點(diǎn)，芯片密度和定價(jià)方面準確記憶的路線(xiàn)圖。

目標報告：

•介紹了半導體存儲器市場(chǎng)的概況
•提供新興的NVM應用的理解：
•介紹市場(chǎng)預測新興NVM業(yè)務(wù)：
•描述新興技術(shù)的NVM
•描述和分析競爭格局
 
 
 
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