Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點(diǎn)轉換器，為專(zhuān)用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網(wǎng)絡(luò )控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò )接口控制器、交換機、數字用戶(hù)線(xiàn)路適配器、以及服務(wù)器和機頂盒等設備的處理器。

降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來(lái)提升設計靈活性，同時(shí)從開(kāi)關(guān)元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能，可盡量提高3.3V到1V降壓轉換器的效率，并驅動(dòng)高達3A的負載。這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開(kāi)關(guān)周期都處于導通狀態(tài)的低側N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低導通電阻，還有為P通道MOSFET而設，Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷，從而把開(kāi)關(guān)損耗減到最低。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側開(kāi)關(guān)元件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡(jiǎn)化設計及減少元件數量。與采用了相同尺寸封裝的獨立MOSFET相比，這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補式雙 MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。

新產(chǎn)品以三千個(gè)為出貨批量。