晶振的標稱(chēng)值在測試時(shí)有一個(gè)“負載電容”的條件，在工作時(shí)滿(mǎn)足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標稱(chēng)值一致。一般 來(lái)講，有低負載電容（串聯(lián)諧振晶體），高負載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型；一只腳 接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒(méi)有原型號，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例 如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調電容。
常見(jiàn)的晶振大多是二只腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個(gè)晶振（或其它諧振元件）和兩個(gè)電容 組成回路，為便于簡(jiǎn)化電路及工藝，人們便研制生產(chǎn)了這種復合件。其3個(gè)引腳中，中間的1個(gè)腳通常是2 個(gè)電容連接一起的公共端，另外2個(gè)引腳即為晶振兩端，也是兩個(gè)電容各自與晶振連接的兩端。由此可見(jiàn)，這種復合件可用一個(gè)同頻率晶振和兩個(gè) 100～200pF的瓷片電容按常規連接后直接予以代換。
單片機晶振旁的2個(gè)電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標稱(chēng)頻率附近的誤差范圍內。
最好按照所提供的數據來(lái)，如果沒(méi)有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。
在某些情況下，也可以通過(guò)調整這兩個(gè)電容的大小來(lái)微調振蕩頻率，當然可調范圍一般在10ppm量級。
晶振 等效于電感/電容/內阻
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