瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723），先進(jìn)半導體解決方案的領(lǐng)先供應商，今天宣布其成功的片上一個(gè)新的雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的開(kāi)發(fā)IN-車(chē)載信息娛樂(lè )系統級芯片（SoC的）的16納米（nm）和后人。新的SRAM被優(yōu)化用作視頻緩沖存儲器中的汽車(chē)信息娛樂(lè )系統芯片以實(shí)現所需的將來(lái)自主駕駛車(chē)輛技術(shù)的實(shí)時(shí)圖像處理能力。當測試在國家的​​最先進(jìn)的16納米制程的新的SRAM，它實(shí)現了兩個(gè)688皮秒（PS）的0.7伏的低電壓條件和行業(yè)領(lǐng)先的高集成密度下的高速運行3.6兆位/平方毫米。

近日，車(chē)載信息娛樂(lè )系統，如汽車(chē)導航系統和先進(jìn)駕駛輔助系統（ADAS），已經(jīng)為未來(lái)的自主車(chē)，準備取得了顯著(zhù)進(jìn)展。在這些系統中，實(shí)時(shí)圖像處理技術(shù)是實(shí)現自主駕駛車(chē)輛關(guān)鍵的，并且是有限制通過(guò)僅增加了與更精細的特征尺寸的集成密度和使用較高的時(shí)鐘頻率，以改善這種實(shí)時(shí)處理能力。

要解決這些限制，也一直在努力通過(guò)使用分手圖像轉換成更小的部分和處理各條并行算法，進(jìn)一步提高性能。雙端口片上SRAM現在希望與這些算法的使用，因為它可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作的同時(shí)，實(shí)現約標準的單端口的片上SRAM兩倍的性能。相比單端口SRAM，然而，這雙端口SRAM的幾個(gè)問(wèn)題，其中不僅包括需要更多的芯片面積受到影響，同時(shí)也增加了功率消耗，當接入速度提高了，更糟糕的下限電壓容限等問(wèn)題。

通過(guò)采用對的FinFET器件優(yōu)化的雙端口SRAM存儲單元，瑞薩已經(jīng)成功地解決了這些問(wèn)題。該公司還應用了字線(xiàn)升壓型輔助單端口SRAM來(lái)實(shí)現高速讀寫(xiě)操作是在較低電壓穩定，并允許功耗小的芯片面積來(lái)抑制開(kāi)發(fā)的電路技術(shù)。

新的SRAM的主要特點(diǎn)：

（1）字線(xiàn)超速型輔助電路，這需要的FinFET器件的功能優(yōu)勢，實(shí)現了低電壓高速運行

由于增加的變化與更精細的特征尺寸在半導體工藝相關(guān)聯(lián)的設備元件，出現了一種趨勢設備下限工作電壓變得更糟。要解決此問(wèn)題，電路技術(shù)（“輔助電路”）的使用電路的改進(jìn)進(jìn)行了介紹。先前，其中字線(xiàn)電壓在訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間稍微降低的優(yōu)化以在讀取操作期間保證穩定的運行。

這種技術(shù)，然而，有問(wèn)題，如寫(xiě)入期間運作余量正在退化和讀出速度被顯著(zhù)降低。瑞薩提出了單端口SRAM，然后通過(guò)，輔助電路的方法，它接受的FinFET器件的特性?xún)?yōu)勢，相反比起早期的方法，稍微增加字線(xiàn)電壓和調整過(guò)程中的read和寫(xiě)入脈沖寬度操作。隨后，瑞薩已經(jīng)延長(cháng)了單端口SRAM開(kāi)發(fā)了這種輔助電路技術(shù)和雙端口SRAM進(jìn)行圖像處理采用了。測試評估的國家的最先進(jìn)的16納米制程的結果是瑞薩的0.7 V的低電壓條件下，驗證了穩定，高速運行的688 PS

（2）通過(guò)存儲單元的最佳的雙端口SRAM，達到3.6兆比特的業(yè)界領(lǐng)先的集成度/平方毫米

不像單端口SRAM中，對于雙端口SRAM的有幾種不同的布局拓撲位單元。雖然平面MOSFET結構已經(jīng)通過(guò)到現在的過(guò)程中通過(guò)28奈米世代，瑞薩采用了新的FinFET器件，它采用了鰭狀結構，抑制在16納米制程工藝的變化，并清楚地提高了設備​​的特性。這個(gè)新的FinFET裝置具有極為嚴格的布局的限制，并且它是很難使用，這是最適合于早期的平面型器件的布局結構。此外，對稱(chēng)布局結構，需要穩定地操作的設備中，由于MOS特性大起大落。在這個(gè)新的SRAM，瑞薩新通過(guò)該FinFET器件優(yōu)化的雙端口存儲器單元具有最高級的對稱(chēng)性，并優(yōu)化了外圍電路的SRAM作為實(shí)時(shí)圖像處理的設計。其結果是，實(shí)現了瑞薩3.6兆位/平方毫米，集成密度的業(yè)內領(lǐng)先的高層次的密度。這些結果使這種技術(shù)支持納入更大的片上SRAM秤，其需求與并行處理的需求不斷增加沿。

瑞薩新開(kāi)發(fā)的雙端口SRAM用于實(shí)時(shí)圖像處理實(shí)現的速度和穩定運行預計是問(wèn)題，因為半導體制造工藝則移動(dòng)到更精細的特征尺寸，并進(jìn)一步抑制功耗，并實(shí)現減少芯片面積。該SRAM預計顯著(zhù)在自駕車(chē)改進(jìn)的實(shí)時(shí)圖像處理性能和未來(lái)技術(shù)領(lǐng)先的駕駛輔助系統作出貢獻。

新開(kāi)發(fā)的SRAM將在國家的最先進(jìn)的瑞薩系統級芯片的16納米FinFET的過(guò)程中被采用。通過(guò)提供這些設備以非凡的速度，瑞薩旨在促進(jìn)建立一個(gè)安全，可靠和令人愉快的駕駛體驗。

瑞薩提出這項研究結果在國際電子器件會(huì )議2015年（IEDM 2015），十二月七日至2015年12月9日舉行，在華盛頓特區。