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溫度變化對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2016/1/9 11:55:00
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晶體管是一個(gè)溫度敏感器件,當溫度變化時(shí),其特性參數(β、ICBO、UBE)的變化比較顯著(zhù),實(shí)驗表明:溫度每升高1℃,β約增大0.1%左右,UBE減。2~2.5)mV,溫度每升高10℃,ICBO 約增加一倍。晶體管參數隨溫度的變化,必然導致放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)發(fā)生漂移,這種漂移稱(chēng)為溫漂。

以基本共射放大電路為例,當溫度t↑升高、UBE ↓、其靜態(tài)電流IB↑、β↑則IC↑↑;

可見(jiàn),無(wú)論是UBE的減小,還是β、ICBO的增大,都使IC增大,從而使Q點(diǎn)向飽和區移動(dòng)。

靜態(tài)工作點(diǎn)的移動(dòng),將影響放大電路的放大性能,為此,必須設法穩定靜態(tài)工作點(diǎn)。穩定靜態(tài)工作點(diǎn)的方法常用的主要有負反饋法和參數補償法兩種

 
 
 
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