許多IC 都包含POR電路
（上電復位，即Power-on Reset）
（上電復位，即Power-on Reset）
（上電復位，即Power-on Reset）!重要的事情說(shuō)三遍！
其作用是保證板子上電后，模擬和數字模塊初始化至已知狀態(tài)。
POR三步走：電源電壓達到閾值電壓——POR電路就會(huì )釋放內部復位信號——狀態(tài)機開(kāi)始初始化器件。
在初始化完成之前，器件忽略外部信號，包括傳輸的數據。唯一例外是復位引腳，它會(huì )利用POR信號內部選通。

1.1POR電路長(cháng)什么樣？
先通俗的科普一個(gè)概念，窗口比較器：常用兩個(gè)比較器組成（雙比較器），它有兩個(gè)閾值電壓VT2（高閾值電壓）及VT1（低閾值電壓），若VT1≤VA≤VT2，Vout輸出高電平；若VA＜VT1，VA＞VT2，則Vout輸出低電平。

圖 1  雙比較器 

POR電路可以表示為窗口比較器，也就是一旦工作電壓落在高低閾值之間，電路就自動(dòng)復位。如圖1.1所示。

圖2  簡(jiǎn)化的POR電路 

1.2POR怎么運作？
比較器窗口通常由數字電源電平定義。數字模塊控制模擬模塊，數字模塊全面工作所需的電壓與模擬模塊工作所需的最小電壓相似。
較高的VT2閾值對模擬模塊會(huì )更好，若過(guò)于接近推薦最小電源電壓，當電壓略微降低時(shí)，可能會(huì )意外觸發(fā)復位。
如果器件包括獨立的模擬電源和數字電源，則避免故障的一種策略是增加一個(gè)POR電路，使兩個(gè)模塊保持復位狀態(tài)，直至電源電壓高到足以確保電路正常工作。

1.3POR怎么對付短暫斷電？

POR 電路有時(shí)會(huì )集成一個(gè)掉電檢測器（BOD），用于防止電路在電壓非常短暫地意外降低時(shí)發(fā)生復位。實(shí)際上，掉電電路給POR模塊所定義的閾值電壓增加了遲滯，通常為300mV左右。BOD保證，當電源電壓降至VT2以下時(shí)，POR不會(huì )產(chǎn)生復位脈沖，除非電源電壓降至另一閾值VBOD（VT2-300mv）以下，如圖1.2所示。

圖 3  掉電檢測 

掉電閾值電平足以保證數字電路保留信息，但不足以保證其正常工作。這樣，如果電源電平只是非常短暫地降低的話(huà)，控制器可以在電源降至某一電平以下時(shí)中止活動(dòng)，使整個(gè)器件都免于重新初始化。

1.4正確上電要掌握的三種情況
一、單調性電源有震蕩時(shí)
實(shí)際的POR電路比圖1.1所示的簡(jiǎn)化版本要復雜得多， POR電路需要一個(gè)啟動(dòng)模塊來(lái)產(chǎn)生啟動(dòng)脈沖，這種情況下必須使用單調性電源（單調上升或下降而沒(méi)有震蕩的電源），因為若使用非單調性電源，當偏差接近任何閾值電平時(shí)，非單調性斜坡可能會(huì )引起問(wèn)題。
較高的閾值偏差會(huì )引起同樣的非單調性序列對某一個(gè)元件有效，而對其他元件無(wú)效，如圖1.3所示。

圖4  非單調性電源斜坡 

圖 5  單調性電源斜坡

解決方法：使用單調性電源，避免斜坡引起問(wèn)題。

二、系統無(wú)法啟動(dòng)？可能是殘壓
某些時(shí)候，即使斷開(kāi)電源（禁用LDO），儲能電容也會(huì )保留一定的殘余電壓，POR將無(wú)法正確復位，器件將無(wú)法正確初始化。如圖1.4所示。

圖6  殘壓 

解決方法：此電壓應盡可能小，以便保證殘壓能降至VT1 以下。

三、上電時(shí)序該如何安排？
某些數據手冊給出了應當應用于具有一個(gè)以上電源引腳的器件的推薦供電“時(shí)序”。遵守這個(gè)序列是很重要的。例如，想想一個(gè)具有兩個(gè)獨立電源的器件。

圖 7  推薦上電時(shí)序 

解決方法：推薦供電序列要求數字電源先于模擬電源供電（這是常規，因為數字模塊控制模擬模塊，所以必須首先為數字模塊供電），該模塊必須首先初始化。哪個(gè)電源首先開(kāi)始上升不重要，但數字電源必須先于模擬電源跨過(guò)閾值，如圖1.5所示。如果電源之間的延遲為100 μs左右，則影響應當很小，器件應能正確初始化。

四、其他小結
由于內部三極管寄生效應，數百ms 的慢速電源斜坡可能會(huì )引起問(wèn)題。POR 電路要在各種壓擺率下進(jìn)行評估，以保證其在正常電源條件下能正確工作。數據手冊會(huì )說(shuō)明是否需要快速電源斜坡（100 μs或更短）。
例如，對于用細電纜連接電源的電路板，不良的接地連接會(huì )具有高阻抗，它可能會(huì )在上電期間產(chǎn)生毛刺。另外，在某些電磁環(huán)境(EME)下，MOS晶體管的寄生柵極電容可能會(huì )充電，導致晶體管不能正常工作，除非讓該電容放電。這可能引起POR初始化失敗。
漂移和容差也需要考慮。某些情況下，電容等分立元件具有高容差（高達40%）和高漂移（隨溫度、電壓和時(shí)間的漂移）。此外，閾值電壓具有負溫度系數。例如，VT1 在室溫下為0.8V，在-40°C下為0.9 V，在+105°C 為0.7V。