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KF8L12Z08 全球首顆寬電壓帶跨阻放大器的低功耗MCU
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2016/7/18 11:55:00
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KF8L12Z08是ChipON 8位超低功耗MCU中的第一款,特點(diǎn)是集成了低功耗的跨阻放大器,能夠以非常簡(jiǎn)單的線(xiàn)路實(shí)現小電流檢測。

跨阻放大器(TIA)是電流轉至電壓的轉換器。在傳感器應用中,特別是高靈敏度傳感器,很多是輸出電流的,要計算有多少電流通過(guò)該傳感器, 通常采用把電流信號轉化為電壓信號的跨阻放大器來(lái)測量。

KF8L12Z08 在正常運行模式情況的功耗是 150uA @1MHz / 3.0 V ,具有多種低功耗模式,在深度休眠模式下的功耗是0.42uA @3.0 V,看門(mén)狗打開(kāi)功耗為1.01uA @3.0 V, 而且供電電壓范圍寬達 2.1V~5.5V, 這是業(yè)界最寬的 電壓范圍。

1、 KF8L12Z08功耗模式 1.1 三種功耗模式

 

KF8L12有三種功耗模式:

正常運行模式 (Normal run mode, NRM)

休眠狀態(tài)下:

休眠模式 (Sleep mode, SLP)

深度休眠模式 (Deep sleep mode, DSLP)

1.2 低功耗外設配置

在SLP模式下可以開(kāi)啟不同的外設組合,使開(kāi)發(fā)者能充分利用其自由組合享受到降低功耗的樂(lè )趣。

外設休眠工作配置列表

外設

休眠模式下工作配置方式

T1

l 休眠模式下T1可選工作時(shí)鐘配置方式:

1. T1CTL.T1CS=1(T1選擇T1CK作為計數時(shí)鐘)

2. 將P0.5配置位數字輸入口

l T1計數器使能配置方式:

T1CTL.T1ON=1 (使能T1計數)

T2

l 休眠模式下T2可選工作時(shí)鐘配置方式:

1. T2CTL.T2CS<1:0>=01(自動(dòng)使能內部低頻振蕩器)

2. T2CTL.T2CS<1:0>=11(自動(dòng)使能外部32.768K低頻晶振)

l T2計數器使能配置方式:

T2CTL.T2ON=1 (使能T2計數)

T3

l 休眠模式下T3可選工作時(shí)鐘配置方式:

1. T3CTL.T3CS<1:0>=01(自動(dòng)使能內部低頻振蕩器)

2. T3CTL.T3CS<1:0>=11(自動(dòng)使能外部32.768K低頻晶振)

l T3計數器使能配置方式:

T3CTL.T3ON=1 (使能T3計數)

WDT

配置位WDTEN=1或者PCTL.SWDTEN=1 (默認使用內部低頻振蕩器)

1.3 低功耗工作典型功耗

具體見(jiàn)下表,可以看到:

深度休眠典型功耗:0.42uA@3V ,0.77uA@5V ;

休眠模式下看門(mén)狗開(kāi):1.01uA@3V ,1.49uA@5V ;

外部32.768K晶振驅動(dòng)定時(shí)器T2計時(shí): 1.1uA@3V ,1.55uA@5V

外部31.5K晶振驅動(dòng)定時(shí)器T2計時(shí): 1.01uA@3V ,1.5uA@5V

測試條件:25°C

序號

測試參數

測試條件

最小值

典型值

最大值

單位

VDD(V)

1

休眠模式(SLP)

IMOD=0

所有外設及時(shí)鐘源禁止

5

1.13

uA

3.3

0.75

3

0.68

2

休眠模式(SLP)

WDT_ON

(INTLF_ON)

5

1.49

3.3

1.08

3

1.01

3

休眠模式(SLP)

T2_ON

(INTLF_ON)

5

1.50

3.3

1.10

3

1.01

4

休眠模式(SLP)

T2_ON XTAL32.768K_ON)

WDT_ON (INTLF_ON)

5

1.92

3.3

1.51

3

1.43

5

休眠模式(SLP)

T2_ON

(XTAL32.768K_ON)

5

1.55

3.3

1.16

3

1.10

6

深度休眠模式(DSLP)

IMOD=1

所有外設及時(shí)鐘源禁止

5

0.77

3.3

0.47

3

0.42

2、 KF8L12Z08芯片內部資源

KF8L12Z08是一顆高集成度的微控制器系統,能達到工業(yè)級標準。集成了光電檢測單元、高精度內部高頻、低頻振蕩器、可擦寫(xiě)100萬(wàn)次EEPROM、12位ADC以及四路PWM。具體資源如下所述:

8K字節FLASH程序存儲器,可以擦寫(xiě)10萬(wàn)次;

400字節的數據存儲器;

128字節的DATA EEPROM,可以擦寫(xiě)100萬(wàn)次;

內嵌上電復位電路;

低電壓檢測及低電壓復位;

硬件看門(mén)狗;

內部高頻時(shí)鐘精度4MHz±1%(常溫);

內部校正低頻31.25KHz時(shí)鐘;

支持在線(xiàn)串行編程,低功耗休眠模式;

1個(gè)2通道12位ADC模塊,采樣速率最高300KSPS;

4路8位脈寬調制PWM模塊;

1個(gè)I2C/SPI模塊;

1個(gè)跨阻檢測模塊;

4個(gè)定時(shí)器,其中1個(gè)8位定時(shí)器,3個(gè)16位定時(shí)器;

工作電壓: 2.1V~5.5V

工作溫度范圍:-40~85℃

3、 適應物聯(lián)網(wǎng)需求而生

KF8L12Z08的寬工作電壓和滿(mǎn)足工業(yè)特性,使得它不僅僅適合于低功耗的電池應用,而且適合于工業(yè)應用。

近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng),核心技術(shù)不斷成熟,物聯(lián)網(wǎng)與傳統產(chǎn)業(yè)、IT技術(shù)的交叉 融合在逐級深入,催生諸多新興業(yè)態(tài)和新的應用。工業(yè)領(lǐng)域的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)4.0將深化物聯(lián)網(wǎng)的應用帶動(dòng)了以智能硬件為代表的物聯(lián)網(wǎng)新 興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

對于物聯(lián)網(wǎng)世界里數量更為龐大的無(wú)線(xiàn)傳感節點(diǎn),功耗和續航時(shí)間直接關(guān)系到產(chǎn)品的可行性。比如在散布在橋梁或者隧道中用于檢測位移形變的傳感器節點(diǎn),數量龐大且只能依靠電池供電,要求電池續航時(shí)間通常達十年以上,這對MCU的功耗提出了非?量痰囊。即使對于很多方便供電的應用(如智能家居),在當前綠色環(huán)保低碳口號的號召下,廠(chǎng)商也在想盡辦法降低系統功耗。而如何在低功耗的前提下又能實(shí)現較高的運算能力,成為擺在MCU廠(chǎng)商面前的一 道難題。

物聯(lián)網(wǎng)對于其中每個(gè)節點(diǎn)最理想的要求是智能化,即能夠通過(guò)傳感器感知外界信息,通過(guò)處理器進(jìn)行數據運算,通過(guò)無(wú)線(xiàn)通訊模塊發(fā)送/接收數據。

物聯(lián)網(wǎng)的實(shí)現本質(zhì)就是傳感器+低功耗MCU+無(wú)線(xiàn)傳輸,KF8L12Z08集成了光電傳感器檢測和低功耗MCU,通過(guò)SPI和外物無(wú)線(xiàn)模塊進(jìn)行通信,可以選取sub-G、wi-fi或者藍牙等方式。KF8L12Z08內部有400Byte RAM和8KByte字節flash,尤其適合于一些私有協(xié)議的物聯(lián)網(wǎng)應用場(chǎng)景。 KF8L12Z08不僅適用于煙霧、粉塵、PIR等光電傳感器檢測,還可以用于電力監控、醫療、健康和健身、樓宇自動(dòng)化及個(gè)人電子設備等領(lǐng)域 。
 
 
 
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