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臺積電將推出GaN快充芯片 挑戰TI、恩智浦
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2016/8/29 14:25:00
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晶圓龍頭臺積電先進(jìn)制程技術(shù)再次向前大步躍進(jìn),看好快充電源管理IC市場(chǎng)潛力,協(xié)同合作夥伴戴樂(lè )格半導體Dialog Semiconductor),將于明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片,挑戰快充晶片龍頭德儀(TI)及恩智浦NXP)霸主地位。

喧騰已久氮化鎵制程,臺積電終于宣布跨入氮化鎵先進(jìn)制程,為合作客戶(hù)德商戴樂(lè )格量身打造,采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)制程技術(shù),生產(chǎn)首顆氮化鎵手機快充晶片,預計在明年第1季產(chǎn)出,該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時(shí)間減半等優(yōu)勢,適用于手機及平板等行動(dòng)快充,將挑戰業(yè)界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

據悉,臺積電在氮化鎵領(lǐng)域布局已久,技術(shù)也相當成熟,不過(guò),因客戶(hù)考量成本及下游應用問(wèn)題,對氮化鎵制程需求不高,還是以傳統矽制程為主,因此,臺積電也僅能按兵不動(dòng)、等待時(shí)機。如今手機快充應用逐漸浮上臺面,手機晶片
聯(lián)發(fā)科及高通相繼力推快充規格,展訊及海思也推出快充規格因應,而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手機的快充功能,蘋(píng)果也將加入快充行列,快充市場(chǎng)逐漸成熟,臺積電適時(shí)大展拳腳。

業(yè)界表示,采用氮化鎵制程生產(chǎn)晶片除可應用于手機快充,還可大幅縮減筆電外接電源供應器體積,未來(lái)應用于伺服器、車(chē)用及智慧電網(wǎng)等市場(chǎng)商機龐大。因此,相關(guān)電源管理IC解決方案的國際晶片大廠(chǎng)德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關(guān)電源管理IC方案,推出晶片多以氮化鎵制程生產(chǎn),此次,臺積電與戴格樂(lè )合作,除了挑戰霸主地位,更展現臺積電在氮化鎵制程成熟技術(shù),向相關(guān)電源管理IC廠(chǎng)客戶(hù)招手。
 
 
 
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