Linear推出IEEE 802.3bt 受電設備 (PD) 接口控制器 LT4295，該器件適用于要求接受高達 71W 功率的應用。下一代以太網(wǎng)供電 (PoE) 標準 IEEE 802.3bt 使制造商能夠超越 2009 IEEE 802.3at 標準分配的 25.5W 功率。凌力爾特準備率先提供符合下一代 IEEE 標準的產(chǎn)品。這個(gè)新標準又稱(chēng)為 PoE++ 或 4PPoE，提高了功率預算以實(shí)現新型應用和功能，同時(shí)支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T)，并保持與較舊版本 IEEE 設備的向后兼容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求，支持新宣布的功能，包括所有新增加的 PD 類(lèi)別 (5、6、7 和 8)、新增加的 PD 類(lèi)型 (3 類(lèi)和 4 類(lèi)) 以及 5 事件分級。
LT4295 是一款單特征 802.3bt PD 控制器，集成了一個(gè)隔離式開(kāi)關(guān)穩壓器控制器，提供輔助電源支持，能夠在采用高效率正向拓撲和無(wú)光耦合反激式拓撲時(shí)同步運行。由于集成度很高，所以減少了所需組件和所需占用的電路板空間，從而簡(jiǎn)化了前端 PD 設計，使 LT4295 僅憑自身這一個(gè) IC，就能夠高效地向PD 負載供電。與集成功率 MOSFET 的傳統 PD 控制器不同，LT4295 控制一個(gè)外部 MOSFET，以顯著(zhù)地降低 PD 產(chǎn)生的總體熱量，并最大限度提高電源效率，由于 802.3bt 的功率水平更高，因此這一點(diǎn)尤其重要。一個(gè)外部 MOSFET 這種架構使用戶(hù)能夠按照應用要求選擇 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的標準實(shí)現方案一般選用 30mΩ RDS(ON) MOSFET。
LT4295 有工業(yè)和汽車(chē)溫度級版本，分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作溫度范圍。LT4295 的千片批購價(jià)為每片 2.75 美元，已開(kāi)始生產(chǎn)供貨。LT4295 為包括 LT4276 和 LT4275 在內的凌力爾特現有 PoE+ PD 控制器提供了一條升級途徑。為了進(jìn)一步最大限度提高可用功率，減少 PD 產(chǎn)生的熱量，可使用 LT4321 理想二極管橋式控制器。
性能概要： LT4295
· 具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受電設備 (PD)
· 外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 用于實(shí)現最低功耗和最高系統效率
· 支持高達 71W 的 PD
· 5 事件分級檢測
· 出色的浪涌保護 (100V 絕對最大值)
· 寬結溫范圍 (–40°C 至 125°C)
· 采用 LT4321 理想二極管橋時(shí)提供 >94% 的端到端效率
· 無(wú)光耦合反激模式運行
· 輔助電源支持低至 9V
· 采用 28 引線(xiàn) 4mm x 5mm QFN 封裝 |
