-Silicon Labs（亦名“芯科科技”，NASDAQ: SLAB）日前推出了基于CMOS技術(shù)的突破性隔離型場(chǎng)效應晶體管（FET）驅動(dòng)器家族產(chǎn)品，這使得開(kāi)發(fā)人員能夠使用自己選擇的特定應用和高容量的FET去替代過(guò)時(shí)的機電繼電器（EMR）和基于光耦合器的固態(tài)繼電器（SSR）。新型Si875x系列產(chǎn)品是業(yè)內首款隔離型FET驅動(dòng)器，設計旨在利用集成的CMOS隔離柵傳輸電源，這消除了通常所需的隔離的次級側開(kāi)關(guān)電源，減少了系統成本和復雜性。當與分立FET搭配時(shí)，Si875x驅動(dòng)器提供業(yè)內一流的EMR/SSR替代解決方案，適用于電機和閥門(mén)控制器、HVAC繼電器、電池監控、交流干線(xiàn)與通信交換機、HEV/EV汽車(chē)充電系統和其他工業(yè)和汽車(chē)應用等。

開(kāi)發(fā)人員傳統上在開(kāi)關(guān)應用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且這兩種技術(shù)都有局限性。EMR是昂貴、慢速、笨重和產(chǎn)生噪聲的，EMR的這些劣勢導致SSR的使用上有兩位數增長(cháng)率，但是即使這樣也面臨諸多挑戰�；�于光耦合器的SSR有固有的限制，例如由于LED老化而導致更短使用壽命、更高溫度時(shí)降低性能和可靠性、較差的噪聲抗干擾性。另外，它們也只能選擇受限的集成FET，進(jìn)一步損害了性能、成本和功耗。

Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔離型FET驅動(dòng)器提供了更好的選擇，能夠為使用SSR或EMR的應用降低系統成本和功耗，增強系統性能。因為Si875x驅動(dòng)器不使用LED或光學(xué)元件，它們提供整個(gè)使用壽命和溫度范圍的極佳穩定性。極小封裝的Si875x器件提供完全無(wú)聲的開(kāi)關(guān)特性，這使得它們成為笨重EMR的理想替代解決方案，這些EMR通常受限于電子開(kāi)關(guān)噪聲、老化問(wèn)題，以及量產(chǎn)帶來(lái)的挑戰問(wèn)題。

Si875x器件通過(guò)使用標稱(chēng)10.3V、極低1mA輸入電流和1.1ms響應時(shí)間來(lái)驅動(dòng)FET門(mén)。增加輸入電流到10mA可實(shí)現極快的94µs接通時(shí)間。獨特的電源優(yōu)化選項能夠快速獲得最大導通電流，然后一旦可選的外部電容放電時(shí)，靜態(tài)保持電流最多可降低到最大導通電流的90%。靈活的2.25至5.5V的輸入側電壓支持平滑連接到低功率控制器。Si875x驅動(dòng)器也具有可選的米勒鉗位能力，防止外部FET的意外開(kāi)啟。

Si875x器件具有2.5kVrms隔離等級，能夠在整個(gè)工業(yè)和汽車(chē)級溫度范圍（高達+125℃）進(jìn)行操作，設計符合嚴格的UL、CSA、VDE、CQC標準。多功能輸入提供數字CMOS引腳控制（Si8751器件）或二極管仿真（Si8752器件），能夠很好的適應目標應用，并且靈活的輸出支持AC和DC負載配置。

Silicon Labs電源產(chǎn)品副總裁Ross Sabolcik表示：“憑借獨一無(wú)二的將功能強大、可靠的基于CMOS的隔離技術(shù)和通過(guò)隔離柵傳輸電源整合的創(chuàng )新能力，Silicon Labs的Si875x驅動(dòng)器為陳舊的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解決方案。新型Si875x家族產(chǎn)品為開(kāi)發(fā)人員選擇應用所需的具有成本效益的FET提供了極大靈活性，也為最先進(jìn)的固態(tài)開(kāi)關(guān)帶來(lái)最簡(jiǎn)單的遷移方案�！�

Si875x隔離型FET驅動(dòng)器系列產(chǎn)品優(yōu)勢特點(diǎn)
-業(yè)內首款基于CMOS的隔離型SSR解決方案，支持特定應用的FET。
-一流的噪聲抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔離等級。
-高壓條件下長(cháng)使用壽命（1000V條件下可達100年）。
-高效開(kāi)關(guān)：10.3V門(mén)電壓，僅僅1mA輸入電流。
-2.25至5.5V寬輸入電壓可實(shí)現節能。
-獨特引腳特性可在功耗/開(kāi)關(guān)時(shí)間之間優(yōu)化權衡。
-米勒鉗位防止外部FET意外開(kāi)啟。
-小型SOIC-8封裝，集成了隔離和用于低功耗應用的功率電容器。
-AEC-Q100認證的汽車(chē)級器件選項。