功率半導體及芯片供應商AOS萬(wàn)國半導體推出業(yè)界第一個(gè)單N溝道45V MOSFET：AON6152， 在10V Vgs 時(shí)Rdson可達到超低1.15mohm。

AON6152提供了極高的電源轉換效率及具有高驅動(dòng)能力來(lái)降低開(kāi)關(guān)功率損耗的最優(yōu)性能。此產(chǎn)品拓寬了AOS的中壓產(chǎn)品組合的應用范圍，包括AC/DC和DC/DC變換器副邊同步整流，以及工業(yè)和電機驅動(dòng)的應用。

AON6152使用了AOS先進(jìn)的工藝技術(shù)，作為AC/DC或DC/DC變換器的副邊同步整流，可顯著(zhù)降低功耗，并最大限度地提高轉換效率。AON6152漏源擊穿電壓（BVDSS）達到45V，且具有超低的Rdson 1.15mohm。AON6152使設計工程師能夠獲得最高的效率，同時(shí)又滿(mǎn)足可靠的電壓余量?jì)?yōu)化設計的要求。AON6152 封裝為DFN5x6及100%的RG和UIS雪崩測試。

AOS的MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監馮雷說(shuō)：“AON6152是一個(gè)新的里程碑，該產(chǎn)品不僅簡(jiǎn)單易用且能達到效率更高，更好的熱性能，以及更高的功率密度的性能。該產(chǎn)品可提供電源設計師設計更低溫度及提高系統整體可靠性產(chǎn)品的解決方案”。