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肖特基二極管應用要點(diǎn)
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2016/10/31 11:46:00
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肖特基二極管廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中,每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽(tīng)過(guò)肖特基,但我們是否真正了解,肖特基內部結構、應用范圍以及為什么肖特基廣泛應用于高頻開(kāi)關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們想要的答案。

二極管有多種類(lèi)型:按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結構可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩壓二極管、變容二極管、光電二極管、發(fā)光二極管、開(kāi)關(guān)二極管、快速恢復二極管等;按照結類(lèi)型又可分為半導體結型二極管和金屬半導體結型二極管,然而肖特基二極管就屬于金屬半導體結型二極管。

 

 

一、肖特基二極管的內部結構

肖特基(Schottky)二極管也稱(chēng)肖特基勢壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD),是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二極管如圖 1所示,其主要特點(diǎn)是正向導通壓降。s0.45V),反向恢復時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別,它的內部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構成,如圖1所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時(shí),肖特基勢壘層變窄,其內阻變;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢壘層則變寬,其內阻變大。

圖 1

 

肖特基二極管存在的問(wèn)題是耐壓比較低,反向漏電流比較大。目前應用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下,平均電流在100A以下,反向恢復時(shí)間在10~40ns。肖特基二極管應用在高頻低壓電路中,是比較理想的。

二、肖特基二極管應用

開(kāi)關(guān)電源當中我們經(jīng)常會(huì )用到肖特基二極管,但是由于不同廠(chǎng)商等原因性能上就相差很大,我們選擇肖特基時(shí)必須要考慮以下幾點(diǎn)參數:

1、導通壓降VF

VF為二極管正向導通時(shí)二極管兩端的壓降,當通過(guò)二極管的電流越大,VF越大;當二極管溫度越高時(shí),VF越小。

2、反向飽和漏電流IR

IR指在二極管兩端加入反向電壓時(shí),流過(guò)二極管的電流,肖特基二極管反向漏電流較大,選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。

3、額定電流IF

指二極管長(cháng)期運行時(shí),根據允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。

4. 最大浪涌電流IFSM

允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個(gè)值相當大。

5.最大反向峰值電壓VRM

即使沒(méi)有反向電流,只要不斷地提高反向電壓,遲早會(huì )使二極管損壞。這種能加上的反向電壓,不是瞬時(shí)電壓,而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓,它的最大值是規定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前肖特基最高的VRM值為150V。

6. 最大直流反向電壓VR

上述最大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓,VR是連續加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路,最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的.

7.最高工作頻率fM

由于PN結的結電容存在,當工作頻率超過(guò)某一值時(shí),它的單向導電性將變差。肖特基二極管的fM值較高,最大可達100GHz。

8.反向恢復時(shí)間Trr

當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí),二極管工作的理想情況是電流能瞬時(shí)截止。實(shí)際上,一般要延遲一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間。決定電流截止延時(shí)的量,就是反向恢復時(shí)間。雖然它直接影響二極管的開(kāi)關(guān)速度,但不一定說(shuō)這個(gè)值小就好。也即當二極管由導通突然反向時(shí),反向電流由很大衰減到接近IR時(shí)所需要的時(shí)間。大功率開(kāi)關(guān)管工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí),此項指標至為重要。

9. 最大耗散功率P

二極管中有電流流過(guò),就會(huì )吸熱,而使自身溫度升高。在實(shí)際中外部散熱狀況對P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過(guò)的電流加上反向恢復損耗。

三、肖特基與快恢復二極管對比

快恢復二極管是反向恢復時(shí)間很短的二極管(5us以下),其正向壓降高于普通二極管(0.8~2V)反向耐壓在1200V以下,在性能上可以分為快恢復和超快恢復,后者可以達到100ns以下。

肖特基二極管反向恢復時(shí)間在10ns以下,反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V多用于低壓場(chǎng)合。

肖特基二極管和快恢復二極管區別:前者的恢復時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復時(shí)間大約為幾納秒。前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速;后者有較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓,反向漏電小,可用于電壓較高且頻率較高的場(chǎng)合。

另外肖特基二極管的ESD承受能力低于快恢復二極管。

 
 
 
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