Navitas(音譯:納薇)半導體今天宣布重大技術(shù)突破，推出業(yè)界首個(gè)集成半橋氮化鎵(GaN)功率IC。半橋電路是電力電子行業(yè)的重要基礎，可以廣泛應用到智能手機和筆記本充電器，電視，太陽(yáng)能電池板，數據中心和電動(dòng)汽車(chē)。

Navitas專(zhuān)有的AllGaN半橋氮化鎵(GaN)功率IC采用iDrive™單芯片技術(shù)，集成了所有半橋功能，提供高達2MHz開(kāi)關(guān)速度，在提供更快充電的同時(shí)，大大減少尺寸，成本和重量。硅的半橋組件開(kāi)關(guān)速度緩慢，寄生功率損耗高，開(kāi)關(guān)速度比氮化鎵(GaN)慢30倍。

第一個(gè)半橋氮化鎵(GaN)功率IC產(chǎn)品是650V的NV6250，采用6x8mm QFN封裝，具有上下管驅動(dòng)器，電平轉換器，兩個(gè)560mohm功率FET，自舉電路和多種保護功能。簡(jiǎn)單數字PWM輸入信號在所有頻率下能輕松驅動(dòng)半橋，為電源系統設計人員提供了極大的易用性和布局靈活性。 NV6250與業(yè)界IC合作伙伴的模擬和數字控制器兼容。

Navitas全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Stephen Oliver說(shuō)：“采用有源鉗位反激電路（Active Clamp Flyback, ACF），NV6250適合用于20W至30W的智能手機快速充電器，平板電腦，IoT，可穿戴設備等的外部適配器。我們計劃推出65W ACF 半橋氮化鎵(GaN) IC，可用在200WLLC拓撲中”

Navitas首席執行官Gene Sheridan說(shuō)：“這是電力電子領(lǐng)域激動(dòng)人心的時(shí)刻。高壓，高速的電力系統已經(jīng)現實(shí)可行，這將使新型的高密度，快速充電和低成本的電力系統成為可能。Navitas首次在2015年的APEC 展示了單芯片半橋技術(shù)，我們已經(jīng)與合作伙伴緊密合作，設計有突破性尺寸和效率的下一代適配器和充電器。我們早前宣布的AllGaN平臺的JEDEC認證說(shuō)明了氮化鎵(GaN)功率管已經(jīng)成熟和可以量產(chǎn)”

“半橋拓撲在高頻應用中常常遇到的困難是如何精確，快速，高效地對上管開(kāi)關(guān)供電和控制�！盌elta作為全球電源設計和制造的領(lǐng)導者，其全球研發(fā)高級副總裁Milan M. Jovanovic博士說(shuō)到“通過(guò)集成電平轉換，自舉和雙驅動(dòng)這些重要功能，所有在氮化鎵(GaN)應用中主要挑戰已經(jīng)解決，為MHz級高壓電源系統的設計鋪平了道路�！�

麻省理工電力電子研究集團（MIT Power Electronics Research Group）的領(lǐng)頭人David Perreault教授說(shuō)，“麻省理工學(xué)院在研究高頻功率變換器有十多年經(jīng)驗。在許多設計中的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是驅動(dòng)高端管時(shí)高速電平轉換和門(mén)極驅動(dòng)的限制，隨著(zhù)集成高速門(mén)極驅動(dòng)的高壓氮化鎵(GaN)功率IC的推出，高速驅動(dòng)在許多應用中有巨大的潛力。恭喜Navitas！”

Navitas現在可以提供NV6250的樣品和樣機，NV6250計劃于2017年第二季度開(kāi)始生產(chǎn)。合格的客戶(hù)請聯(lián)系Navitas。