杭州士蘭微電子公司近期推出了內置MOSFET的SSR反激電源管理系列芯片SDH866XQ。該系列芯片滿(mǎn)足六級能效標準，待機功耗低于40mW，并且采用了自有的高壓EDMOS專(zhuān)利技術(shù)和谷底鎖定專(zhuān)利，分別實(shí)現高壓?jiǎn)��?dòng)和降低EMI，可廣泛適用于各類(lèi)通用適配器（如機頂盒、顯示器、平板電視等）。

SDH866XQ系列芯片合封了具有專(zhuān)利技術(shù)的功率EDMOS，并采用了具有專(zhuān)利技術(shù)的高壓?jiǎn)��?dòng)控制芯片，因此省略了傳統芯片的啟動(dòng)電阻，使得芯片待機功耗低至40mW，具有快速啟動(dòng)，輕載高效等優(yōu)點(diǎn)。由于芯片在啟動(dòng)過(guò)程中采用高壓耗盡型MOSFET進(jìn)行高壓充電，啟動(dòng)后高壓啟動(dòng)控制器控制該MOSFET關(guān)斷，相比其他高壓?jiǎn)��?dòng)方式可靠性更高，更易通過(guò)雷擊浪涌測試。

此外，該系列芯片還使用了士蘭微電子自有的谷底鎖定專(zhuān)利技術(shù)，當出現谷底跳變時(shí)，會(huì )根據負載選定在特定的谷底開(kāi)通MOSFET，并通過(guò)邏輯控制使它保持鎖定在這個(gè)谷底導通MOSFET，解決了傳統QR模式中谷底跳變引起的異音問(wèn)題。芯片還內置了準諧振（QR）模式，即系統工作于DCM時(shí)原邊高壓MOSFET在振蕩波形谷底開(kāi)通，可以降低MOSFET開(kāi)通損耗和芯片溫升，提高DCM的平均效率（0.5%左右），一致性和可靠性。

SDH866XQ系列芯片還使用多項技術(shù)，如：

Ø 抖頻控制技術(shù)：在系統工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略，優(yōu)化抖頻控制，有效的降低了系統EMI噪聲。以12V/1.25A整機為例，QR模式下，采用優(yōu)化抖頻后的SDH8664Q比無(wú)抖頻IC的傳導噪聲低5dB左右。

Ø 低壓升頻技術(shù)：減小了變壓器體積，并改善了高低壓OCP一致性

Ø VCC HOLD功能：可以防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟

Ø 完善的保護功能：包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 輸入OVP，輸出OVP，原邊電流采樣電阻短路保護，輸出短路保護，副邊整流管短路保護等

另外，SDH866XQ采用了外置原邊電流采樣電阻，以改善峰值輸出功率的離散性，同時(shí)也便于調節系統的輸出功率，可用同一顆IC實(shí)現系列機型設計。

該系列芯片SDH8663/4/5/6Q, 采用DIP8/TO252-5L封裝，可以滿(mǎn)足12W-36W功率范圍，具體參數如下表示：

DEMO測試情況如下表所示：

小型充電設備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，不斷推出新品。