作者： Brian Curbo，安森美半導體
同步降壓動(dòng)力總成設計是當今最普遍使用的轉換器拓撲結構之一，但為中低壓同步降壓轉換器選擇合適 的動(dòng)力總成元件可能是一項艱巨的任務(wù)。設計人員必須從一系列看似無(wú)限的器件中選擇功率MOSFET，簡(jiǎn)單的質(zhì)量因數(FOM)比較通常不會(huì )有最佳的轉換能 效或成本。
要縱觀(guān)全局，如果通過(guò)常規方法嘗試，必須使用實(shí)際的電路中損耗和能效數據進(jìn)行比較，這是一個(gè)繁瑣和耗時(shí)的過(guò)程。如果通過(guò)手工計算來(lái)指定無(wú)源元 件，如輸出濾波電感、電容器和緩沖器，也會(huì )是耗時(shí)費力的�？紤]到工程師們所面臨的這些挑戰，安森美半導體開(kāi)發(fā)了一種新型同步降壓動(dòng)力總成設計工具。
完整的動(dòng)力總成設計和分析
新的同步降壓動(dòng)力總成設計工具提供完整的動(dòng)力總成系統的設計和分析，包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容和可選的緩沖，所以您可以在更短的時(shí) 間完成一個(gè)方案。它的工作原理就像電源設計工具Power Supply WebDesigner一樣。在幾分鐘內完成一個(gè)設計，只需輸入您的系統要求，點(diǎn)擊“自動(dòng)完成”，或在所有的設計步驟中使用指導設計來(lái)微調，從損耗和能效 分析到原理圖、物料單(BOM)和設計報告。具備有用的“信息注釋”，無(wú)需參考應用注釋。建基于我們用于分立元件分析的FETBench ，支持單、雙級 對稱(chēng)和雙級不對稱(chēng)（功率級）配置的達250V BVDSS的MOSFET。至于最終的靈活性方面，您仍然可以結合任何您想用的控制器或驅動(dòng)器來(lái)使用。
快速“自動(dòng)設計”或分步微調
同步降壓動(dòng)力總成工具通過(guò)指導的器件選擇，自動(dòng)搜索MOSFET的綜合數據庫，并推薦滿(mǎn)足您的系統要求的高邊和低邊開(kāi)關(guān)。用戶(hù)可以從合適器件的預排 序列表中任選另一個(gè)FET�？梢院�(jiǎn)單和迅速地在所選表格的右邊對用于不同的高邊和低邊FET的參數數據、損耗和結溫進(jìn)行比較。完成動(dòng)力總成，推薦和選擇一 個(gè)真正的電感器編碼，并根據系統要求指定輸出電容器。最后，還可以指定用于開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的R-C緩沖器。
易于對比MOSFET數據和性能
新的同步降壓型動(dòng)力總成設計工具擁有提高的精度，通過(guò)MOSFET的損耗計算，包括迭代的Rds(on)對比溫度的影響和可選的定制熱阻抗來(lái)調整您 的印刷電路板設計�？梢暂斎肽氖走x控制器/驅動(dòng)器數據，如獨立的高低邊門(mén)極驅動(dòng)電壓、源/汲電阻、延遲時(shí)間和門(mén)阻尼電阻以實(shí)現更高的精度。
此工具提供更詳細的損耗和能效分析，如產(chǎn)生MOSFET損耗的明細（傳導、開(kāi)關(guān)、反向恢復等）。動(dòng)力總成總損耗可按各元件分析，并為各種不同的輸入和負載條件提供損耗和能效圖。
MOSFET損耗明細
詳細的損耗和能效分析
該工具的開(kāi)發(fā)結合了安森美半導體工程師幾十年的電源訣竅。通過(guò)內置所有這些功能和靈活性，您將實(shí)現用更少的時(shí)間和精力完成您的動(dòng)力總成方案。 |
