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新的集成DAC如何提高效率并減少模擬量輸出模塊中的電路板空間
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2017/7/12 13:10:00
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新的集成DAC如何提高效率并減少模擬量輸出模塊中的電路板空間

工業(yè)4.0已經(jīng)徹底改變了制造業(yè),改變了工廠(chǎng)的設計和實(shí)施方式。在工廠(chǎng)自動(dòng)化和過(guò)程控制應用中,Industry 4.0的影響歸結為兩個(gè)基本概念:分散式系統和智能確定性系統的擴散。分散式系統固有地需要進(jìn)行模塊化設置,并具靈活性。高效、低功耗和熱優(yōu)化的設計是這些系統的關(guān)鍵推動(dòng)因素。智能確定性系統是可以早期檢測故障并提高可靠性的模塊。

在工廠(chǎng)自動(dòng)化和過(guò)程控制應用中,數模轉換器(DAC)通常在用于可編程邏輯控制器(PLC)和傳感器發(fā)射器的模擬輸出中被發(fā)現。這兩種情況下,DAC都可用于傳送電壓輸出或電流輸出。

DAC8775是TI最新的高精度DAC,通過(guò)包括4-20mA驅動(dòng)器、電壓輸出和片上自適應電源管理在行業(yè)中最具集成性。在這篇博文中,將提供與DAC8775相關(guān)的設計技術(shù)示例,并探索如何設計這個(gè)行業(yè)的當前趨勢。

許多系統控制器由于傳感器數量的增加而處理數百個(gè)輸入/輸出(I / O)點(diǎn)。這給設計人員提供了一個(gè)挑戰,即將更多的I / O通道融入一個(gè)小型形狀系數,增加了對熱優(yōu)化和高效率系統的需求。大多數模擬輸出模塊4-20mA驅動(dòng)電路采用具有增益級的高側電壓—電流轉換電路。圖1所示為典型的架構。

由放大器A1建立的回路將DAC輸出電壓轉換成電流。通過(guò)負反饋,放大器A1將RSET兩側的電壓設置為等于DAC輸出。RSET兩側的這個(gè)電壓降將設定流過(guò)第一級IM的電流。(假設IRSET等于IM的理想情況)。通過(guò)使用由放大器A2和RMIRROR和RSENSE電阻對的組合建立的回路,產(chǎn)生的電流IM進(jìn)一步被增益。放大器A2將強制RSENSE兩側的電壓等于VMIRROR。通過(guò)與RMIRROR和RSENSE的比例成正比的因子,這產(chǎn)生了從IM增益的負載電流。如圖1所示,RLOAD通常表示線(xiàn)性執行器負載,如同PLC系統的情況。由于目前通過(guò)RMIRROR不提供負載,這將直接降低系統的效率。良好的設計實(shí)踐是將該電流最小化,將其設置為小于輸出電流的1%。出于計算的目的,假設RMIRROR和RSENSE之間的高比率(> 1到100),我們忽略IM。

“圖1:高側電壓

圖1:高側電壓 - 電流轉換器

在典型情況下,VPOS電壓可以在12-36V之間變化。RLOAD也可以從短電阻到1kΩ變化。為了說(shuō)明這一點(diǎn),可以考慮我們的第一個(gè)示例,即VPOS等于36V,RLOAD等于1Ω的情況。當閥門(mén)設定為滿(mǎn)量程時(shí),控制器將通過(guò)負載驅動(dòng)20mA。這意味著(zhù)負載消耗的功率是PLOAD = I2R = 0.4mW。

所產(chǎn)生的總功率為Pgenerated = VI = 0.72W。從這個(gè)例子可以看出,電壓— 電流轉換電路耗散剩余的功率:0.72W-0.4mW = 0.7196W。這是一個(gè)非常低效的系統,并將導致系統溫度的不必要地增加。

考慮第二個(gè)示例,其中負載阻抗較高,為1kΩ。在這種情況下,PLOAD = I2R = 0.4W。所產(chǎn)生的總功率為Pgenerated = VI = 0.72W。電壓 - 電流轉換電路耗散其余功率:0.72W-0.4W = 0.32W。

您可以想象,如果存在大量的功率損耗,在這么小的空間中增加更多的通道將變得不可持續,這直接增加系統溫度,降低可靠性并增加故障。我給出的示例顯示單通道設計的功率損耗。在存在四個(gè)通道的情況下,第一個(gè)和第二個(gè)示例中的功率損耗分別接近2.8W和1.2W。

由于功率損耗隨著(zhù)更高通道數模塊的使用而急劇增加,一種可能的解決方案是根據負載自適應地更改VPOS供應。您可以通過(guò)添加一個(gè)簡(jiǎn)單的反饋網(wǎng)絡(luò )并使用降壓/升壓轉換器為負載提供必要的電源來(lái)實(shí)現。這樣的系統將如圖2所示的框圖。

“圖2:具有降壓/升壓轉換器的高端電壓—電流轉換器”

圖2:具有降壓/升壓轉換器的高端電壓—電流轉換器

在這種設計技術(shù)中,降壓/升壓轉換器將檢測驅動(dòng)負載的輸出FET的漏極—源極電壓,并產(chǎn)生內部成比例的誤差電流。通過(guò)復雜的狀態(tài)機算法,設備將決定降低或提升電源。該技術(shù)在四通道DAC8775中得以實(shí)現,從而實(shí)現更高的效率。

如果使用與第一個(gè)示例相同的值,當負載為1Ω時(shí),降壓/升壓轉換器會(huì )將DAC的電源降低,從而獲得所需的最小電源。在DAC8775的情況下,將低至4.5V。
如在第一個(gè)示例中,PLOAD = I2R = 0.4mW。產(chǎn)生的總功率為Pgenerated = VI = 0.09W。電壓—電流轉換電路耗散其余功率:0.09W-0.4mW = 89.6mW。因此,與示例1相比,功耗提高了8倍。

對于1kΩ負載情況,PLOAD = I2R = 0.4W。所產(chǎn)生的總功率為Pgenerated = VI= 0.46W,因為降壓/升壓轉換器將VPOS設置為23V。電壓 - 電流轉換電路耗散其余功率:0.46W-0.4W = 0.06W。因此,與沒(méi)有降壓/升壓轉換器反饋的設計相比,功耗提高了五倍。

DAC8775的效率也導致需要更多的熱優(yōu)化系統。在具有和不具有自適應功率反饋電路的四通道設計中比較芯片的結溫顯示了芯片溫度的顯著(zhù)改善。圖3和圖4所示為DAC8775的測量結果,比較了在1Ω和1kΩ RLOAD情況下,使用和不使用降壓/升壓轉換器的模溫。從圖3可以看出,這種技術(shù)可以將結溫提高至高達36°C。

當將越來(lái)越多的通道擠入更小的空間時(shí),熱優(yōu)化成為區分模塊功能的關(guān)鍵性能參數。在熱量未優(yōu)化的模塊中,系統故障是常見(jiàn)的,且由于溫度漂移較大,性能下降。DAC8775由于其高集成度和高效率而解決了這兩個(gè)挑戰,并具有出色的DC和漂移性能。

“圖3:RLOAD的模溫為1Ω”

圖3:RLOAD的模溫為1Ω

“圖4:1KΩ的RLOAD的模溫”

圖4:1KΩ的RLOAD的模溫

如果芯片溫度超過(guò)150℃,DAC8775提供過(guò)溫報警,這是豐富的智能診斷功能的其中一個(gè)特色,可幫助早期檢測故障。這些包括開(kāi)路負載、短路、循環(huán)冗余校驗(CRC)、看門(mén)狗定時(shí)器和合規電壓。除了故障警報之外,設備還允許您選擇便于可靠的系統操作的預設操作。您可以告知設備什么都不做、停機或進(jìn)入預編程的安全碼。

 
 
 
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