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電容性負載和相位裕度
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2017/8/9 12:44:00
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作者:Farhana Sarder 安森美半導體

為何在輸出端連接一個(gè)電容時(shí),我的運算放大器會(huì )振蕩?

驅動(dòng)一個(gè)集成運算放大器的電容性負載可能是棘手的。如果負載電容太高,這會(huì )造成不穩定,使運算放大器輸出振蕩。

足夠的相位裕度對實(shí)現穩定性至關(guān)重要。隨著(zhù)負載電容增大,相位裕度會(huì )減小。如果您發(fā)現一個(gè)運算放大器輸出振蕩,首先要查看的是負載。

圖1. 在運算放大器輸出端的電容性負載會(huì )導致振蕩

圖1. 在運算放大器輸出端的電容性負載會(huì )導致振蕩

負載電容可以包括任何連接到輸出的電容以及任何外部電容或由系統產(chǎn)生的寄生電容,包括PCB和探針。這個(gè)電容增加相位滯后,降低相位裕度。結合內部輸出電阻,負載電容產(chǎn)生一個(gè)移動(dòng)增益和相位圖的極點(diǎn)。這種效應如圖2所示。

圖2. NCS2005增益和相位與頻率的關(guān)系。

圖2. NCS2005增益和相位與頻率的關(guān)系。

例如,安森美半導體的NCS2005是個(gè)8 MHz的運算放大器,設計用于驅動(dòng)達1 nF的電容性負載。請注意,隨著(zhù)負載電容增加,相位裕度開(kāi)始下降得更快。負載電容1 nF,相位裕度下降到約25-30°,根據經(jīng)驗法則,這是設計一個(gè)系統應提供的最小相位裕度。一個(gè)25 pF的較小的負載電容在該增益和相位圖推動(dòng)該極點(diǎn)到更高的頻率,提高相位裕度至65°。

另一種提高相位裕度的方法是在輸出端增加一個(gè)小的串聯(lián)電阻。通常情況下,使用電阻值在10Ω 至50Ω之間的電阻。這串聯(lián)電阻本質(zhì)上有助于隔離運放輸出與負載電容。反饋是在串聯(lián)電阻前從運算放大器輸出取得。外部串聯(lián)電阻通常大于運放的輸出電阻,所以相移主要在于串聯(lián)電阻而不是運放。這種技術(shù)的缺點(diǎn)可能包括由于添加的電阻或低通濾波器外置R和C產(chǎn)生有限的頻率響應造成的直流誤差,但有其它(更復雜)的技術(shù)避免這缺點(diǎn)。

圖3. 在電容器前添加電阻可幫助提高相位裕度

圖3. 在電容器前添加電阻可幫助提高相位裕度

最后,提高相位裕度的另一種方法是增加電路的閉環(huán)增益。由于低輸出阻抗,單位增益最易受到不穩定的影響。

在選擇運放時(shí),檢查相位裕度對電容性負載的響應總是個(gè)好辦法。一些運算放大器,如NCS2005,旨在驅動(dòng)較大的負載。對于其他運放,如果您察覺(jué)到振蕩,請嘗試這其中一種技術(shù)來(lái)提高相位裕度。

 
 
 
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