| EOS是英文Electrical Over Stress的首字母縮寫(xiě)，其意為電氣過(guò)應力 ，意思就是有過(guò)高的電壓和/或電流信號加到了受試對象上，它受不了了，被損壞了，所以說(shuō)“過(guò)”了。
要生成EOS可以有三種方法：高電壓，大電流，高電壓+大電流，其實(shí)ESD事件只是EOS的其中一種短時(shí)間的高壓，所以針對EOS，必須要考慮更大的電流和持續時(shí)間。
我們的手機的充電環(huán)境越來(lái)越復雜，有車(chē)充，有太陽(yáng)能充電器，有墻充，山寨充電、快充等，脆弱的手機必須承受各類(lèi)充電器的。 而更多手機因為充電回路的過(guò)壓過(guò)流造成PMU,或者充電IC的損傷,形成故障。
欠發(fā)達國家，例如印度和非洲已經(jīng)是EOS事件的重災區，這些都是電網(wǎng)在落后地區更不穩定的原因。所以手機方案公司都已經(jīng)針對EOS 提供可靠的解決方案了。
雷卯電子根據華為、OPPO等客戶(hù)的需求，研發(fā)了可靠的多種解決方案，供大家參考下目前EOS的解決方案。
EOS測試需求指標：
國內目前標準里還沒(méi)有具體的過(guò)壓測試的指標，但是涉及出口的產(chǎn)品，都會(huì )提出相關(guān)的需求，從2015年的過(guò)壓浪涌300V，到目前已經(jīng)有客戶(hù)需要測試500V。都顯示了客戶(hù)對過(guò)壓可靠性的高要求。
過(guò)壓保護其實(shí)很簡(jiǎn)單，但是在手機中確實(shí)有難點(diǎn)，難點(diǎn)在哪兒，在于手機的空間有限，我們必須設計出足夠大的芯片，封裝在足夠小的體積中。
以上組合方案用到三顆料特點(diǎn)介紹下：
PSMFJ24CA 是SOD-123FL封裝的大功率TVS芯片，功率可以達到5000W，經(jīng)過(guò)測試可以滿(mǎn)足250A，箝位電壓30V的性能要求，初級保護根據終端要求，可以選擇7V和12V產(chǎn)品。
OVP3881是過(guò)壓保護芯片，其保護電壓是可以根據主芯片的門(mén)限電壓大小調節至客戶(hù)需要的數值，
后端選用SD4501P4-3也是大功率的TVS，封裝DFN2020，由于電壓低，能保護的電流也很大，以下是這顆TVS的測試數據列表
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