| Gabino Alonso - 市場(chǎng)策略工程師
LTspice半導體二極管模型對于仿真非常重要，特別是當您想要查看包含擊穿行為和復合電流的結果時(shí)。 然而，與LTspice中的半導體二極管模型一樣完整，有時(shí)您需要一個(gè)簡(jiǎn)單的“理想二極管”模型來(lái)快速仿真，例如有源負載，電流源或限流二極管。 為了提供幫助，LTspice提供了一個(gè)理想的二極管模型。
要在LTspice中使用此理想化模型，請為二極管（D）插入一個(gè).model語(yǔ)句，并指定一個(gè)或多個(gè)以下參數：Ron，Roff，Vfwd，Vrev或Rrev。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2）
LTspice中的理想二極管模型具有三個(gè)線(xiàn)性傳導區域：導通，關(guān)斷和反向擊穿。 正向導通和反向擊穿可以進(jìn)一步用限流參數Ilimit和revIlimit來(lái)指定。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1）
此外，為了平滑關(guān)閉狀態(tài)和導通狀態(tài)之間的切換，還可以定義參數epsilon和revepsilon。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1 Epsilon = 1 RevEpsilon = 1）
二態(tài)函數也被用在斷態(tài)和導通狀態(tài)之間，使得理想化的二極管IV曲線(xiàn)在數值和斜率上是連續的，從而在由epsilon和revepsilon值指定的電壓上發(fā)生轉變。
在原理圖中插入.model語(yǔ)句后，可以編輯組件屬性中的二極管符號的值（Ctrl +右鍵單擊）以匹配您在語(yǔ)句中指定的名稱(chēng)。 有關(guān)LTspice二極管模型的更多信息，請參閱幫助主題（F1）。
為了好玩，在下面的電路示例中，使用理想化的二極管模型來(lái)模擬非同步降壓控制器中的MOSFET的RDS（ON）。 通過(guò)使用理想的二極管模型而不是傳統的肖特基二極管，可以很容易地比較同步整流的傳導損耗。
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