在2018AETF亞太消費電子技術(shù)論壇峰會(huì )上，來(lái)自TI的BMS中國市場(chǎng)和應用經(jīng)理——文司華（Simon Wen）進(jìn)行了主題為“TI 新生代高效充電芯片”的演講，為大家分析了快速充電為系統設計帶來(lái)的挑戰，并且講解了TI電源管理解決方案和產(chǎn)品如何助力手機的設計與開(kāi)發(fā)。

快速充電設計面臨挑戰

隨著(zhù)智能手機性能需求不斷提高，TI也在推陳出“芯“和優(yōu)化產(chǎn)品，以提供更小的方案尺寸和更優(yōu)質(zhì)的用戶(hù)體驗。在TI，你將了解到全新酷炫的消費電子技術(shù)，以及它們如何助力設計和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

文司華表示：“想要實(shí)現快速充電所要面臨的挑戰是很多的，如何突破傳統適配器輸入功率限制？在許可的終端設備的外殼溫度下，如何最大化充電電流？如何讓充電芯片提升功率轉化效率，降低損耗？如何在快充情況下，保證電池安全及壽命？這些都是我們需要思考并解決的問(wèn)題”。

01

效率提升為什么是關(guān)鍵？

從TI的芯片數據來(lái)看，早一代芯片產(chǎn)品是黃色線(xiàn)條，新產(chǎn)品是藍色線(xiàn)條�？梢钥吹�，效率差，損耗會(huì )更高，如果效率提高2.5%，在同等的熱損要求下，電流提升可以達到27%。即基本上1%的效率提升能夠允許10%的電流提升。提高效率，能較大幅度的提升許可充電電流上限，從而帶來(lái)更大的充電設計自由度！

兩代芯片性能對比圖

02

功率損耗和充電IC

從手機系統設計的層面看，高效率的DCDC降壓芯片（亦即目前充電芯片的主流構架）通常要求采用更大的電感以實(shí)現更小的損耗，但是在手機設計中，容許的空間是有限的，所以有時(shí)不得不犧牲效率并限制最大電流來(lái)減少電感體積。另外，許可的充電熱損取決于手機的具體設計目標，一般選擇在0.7~0.9W之間。在此前提下，依據效率和電流要求篩選充電芯片， 而且往往是先有一個(gè)基本充電電流的目標，再選取合適的充電芯片。單顆芯片功率不夠的情況下，可能會(huì )考慮雙充電芯片并行的構架。

功率損耗和充電IC

快速充電為我們帶來(lái)設計上的難度，依靠超高效率、小尺寸、高功率密度的新 Chargerbq25910可以突破這些挑戰，實(shí)現半小時(shí)內充電70%的飛躍！

bq25910給你驚喜連連

bq25910特點(diǎn)及優(yōu)勢

• 并聯(lián)充電器可在雙充電器配置下提供快速充電

• 高效的 750kHz 開(kāi)關(guān)模式三級降壓并聯(lián)充電器

• 單個(gè)輸入，支持 USB 輸入和可調高壓適配器

• 靈活的 I 2 C 模式，可實(shí)現最優(yōu)系統性能

• 高集成度，包括所有 MOSFET、電流檢測和環(huán)路補償

• 待機模式下具有小于 10µA 的低電池泄漏電流

• 高精度

• 安全

• 采用 36 焊球 WCSP 封裝