推出電動(dòng)汽車(chē)（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車(chē)遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動(dòng)車(chē)輛皆可與基于內燃機的車(chē)輛媲美。
電動(dòng)車(chē)獲得成功的一個(gè)關(guān)鍵因素在于消費者的接受度。由于鋰電池價(jià)格下降，各地區的短期法規支持，消費者預計電動(dòng)汽車(chē)的價(jià)格會(huì )出現下降，因此并不擔心價(jià)格問(wèn)題。但是，他們更關(guān)心充電速度是否加快，或者說(shuō)充電時(shí)間是否減少。已經(jīng)習慣于幾分鐘內加滿(mǎn)油箱的消費者們會(huì )有耐心等待充電嗎？
ICE車(chē)輛加滿(mǎn)油耗時(shí)不到五分鐘，而電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電池組的耗時(shí)明顯更長(cháng)。再者，充電樁的數量稀少，這意味著(zhù)消費者甚至可能需要排隊充電，使得充電耗時(shí)更長(cháng)。
如何可以改善電動(dòng)汽車(chē)，從而快速充電呢？高效電力傳輸和更高功率級別是改善車(chē)載和車(chē)外充電速度的一種方法。通常電池充電采用恒流方法來(lái)避免損壞，基于地區限制，增加電流既不有利，也不被允許。另外，增加電流會(huì )導致線(xiàn)束問(wèn)題，反過(guò)來(lái)又增加了車(chē)輛重量。
增加電壓到400V或更高才是可行的解決方案。采用電力電子器件的寬帶隙解決方案 - 碳化硅（SiC），即可在高壓下有效地傳輸電力。
SiC是一種寬帶隙半導體，已成為替代硅基電源開(kāi)關(guān)（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT）的顛覆性材料。憑借低損耗（提高效率）及承受高壓的能力，眾多汽車(chē)制造商和充電器供應商已紛紛采用SiC。因此，隨著(zhù)純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）的電池電壓增加（400V及以上），以及車(chē)載充電器和車(chē)外直流充電器（50kW及以上）的電力等級增加（>10kW），采用SiC用作電子電力開(kāi)關(guān)將越來(lái)越重要。
如表1所示，與硅相比，SiC具有優(yōu)異的材料特性，包括低導通電阻、高導熱、高擊穿電壓和高飽和速度，因此可實(shí)現低損耗和高壓操作。
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屬性
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定義
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硅
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SiC-4H
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Eg（eV）
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帶隙能源
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1.12
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3.26
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Ebr（MV/cm）
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臨界場(chǎng)擊穿電壓
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0.3
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3.0
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vs（x107cm/s）
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飽和速度
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1.0
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2.2
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μ （cm2/V.s）
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電子遷移率
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1400
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900
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λ （W / cm.K）
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熱導率
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1.3
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3.7
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表1：SiC的固有材料特性
了解如何驅動(dòng)SiC電子器件也很重要�？刂破髦甘倦娏﹄娮与娐飞嫌行щ娏鬏數拈_(kāi)關(guān)接通和關(guān)閉。柵極驅動(dòng)器作為控制器和電力器件之間接口的關(guān)鍵元件，起著(zhù)放大器的作用，它接收控制器信號，放大信號以驅動(dòng)電力設備。
由于SiC FET的卓越特性，如何定義柵極驅動(dòng)器要求則變得非常關(guān)鍵，這是由于這些要求與驅動(dòng)硅MOSFET或IGBT的要求不同。 |
