該系列新設備在符合JEDEC標準的11.5 x 13mm封裝中集成了96層BiCS FLASH™ 3D閃存和控制器。該控制器執行錯誤校正、耗損均衡、邏輯地址向物理地址的轉換以及壞塊管理等功能，便于簡(jiǎn)化系統開(kāi)發(fā)。

全部三款設備均符合JEDEC UFS Ver.3.0標準，包含HS-GEAR4，每個(gè)通道理論接口速度最高可達11.6Gbps（2通道=23.2Gbps），同時(shí)具備抑制功耗增加功能。512GB設備的順序讀取和寫(xiě)入性能分別比上一代設備[5]提高了約70%和80%。

注
[1] 128GB設備樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，該系列其他產(chǎn)品將在三月之后陸續啟動(dòng)樣品發(fā)貨。 樣品規格將不同于商用產(chǎn)品的規格。
[2] 數據來(lái)源：東芝存儲器株式會(huì )社，截至2019年1月23日。
[3] 通用閃存(UFS)是一種產(chǎn)品類(lèi)別，即一類(lèi)根據JEDEC UFS標準規范生產(chǎn)的嵌入式存儲器產(chǎn)品。由于采用串行接口，UFS支持全雙工，支持在主處理機和UFS設備之間進(jìn)行并發(fā)讀取和寫(xiě)入。
[4] 產(chǎn)品存儲密度基于產(chǎn)品內置的內存芯片的密度來(lái)確定，而非最終用戶(hù)數據存儲的可用存儲器容量。由于開(kāi)銷(xiāo)數據區域、格式設置、壞塊及其他制約因素，用戶(hù)可用容量會(huì )減少，根據不同的主機設備和應用，用戶(hù)可用容量可能也會(huì )有所差異。請參考適用的產(chǎn)品規格了解詳情。定義1GB = 230字節= 1,073,741,824字節。
[5] 東芝存儲器株式會(huì )社上一代256GB設備“THGAF8T1T83BAIR”