何謂 EOS？

EOS是一個(gè)通用術(shù)語(yǔ)，表示因為過(guò)多的電子通過(guò)相應路徑試圖進(jìn)入電路，導致系統承受過(guò)大壓力。有一點(diǎn)需要注意，這是一個(gè)隨功率和時(shí)間變化的函數。

如果將復雜電路看作一個(gè)簡(jiǎn)單的消耗功率的元件，例如，將它視為一個(gè)電阻。在額定功率為1 W的1 Ω電阻上施加1.1 V電壓，計算功耗的公式如下：

計算得出，消耗的功率為1.21 W。雖然電阻的額定功率為1 W，但是可能存在一些余量，所以暫時(shí)不用擔心這一點(diǎn)。但并不能夠始終如此。

將電壓增加到2 V，會(huì )出現什么情況？如果功耗達到之前示例的4倍，那么電阻可能會(huì )像一個(gè)空間加熱器在很有限的時(shí)間內提高環(huán)境溫度，但是請記住這個(gè)公式：

如果將電壓增加到10 V，但僅持續10毫秒呢？有趣的地方就在這里：如果不了解部件，以及設計處理部件的目的，您就無(wú)法真正了解會(huì )對該部件產(chǎn)生什么影響�，F在，來(lái)看看整個(gè)元件系統。

哪些部分易受EOS影響？

一般而言，任何包含電子元件的部分都容易受到EOS影響。特別薄弱的部分是那些與外界的接口，因為它們很可能是最先接觸到靜電放電(ESD)、雷擊等的部分。我們感興趣的部件包括USB端口、示波器的模擬前端，以及最新的高性能物聯(lián)網(wǎng)混合器的充電端口等。

圖1. 8 kV時(shí)的理想接觸放電電流波形。

如何知道要防范哪些問(wèn)題？

雖然我們想要保護系統免受電氣過(guò)載，但是這個(gè)術(shù)語(yǔ)太寬泛了，對于決定如何保護系統沒(méi)有任何幫助。為此，IEC（以及許多其他組織）做了大量工作來(lái)弄清楚在現實(shí)生活中可能會(huì )遇到的EOS類(lèi)型。接著(zhù)將重點(diǎn)探討IEC規范，因為它們涵蓋廣泛的市場(chǎng)應用，而與該規范相關(guān)的混亂狀況也說(shuō)明需要本文來(lái)厘清。表1顯示了三個(gè)規范，它們定義了系統可能遇到的EOS狀況類(lèi)型。在本文中只對ESD做深入探討，同時(shí)也會(huì )讓大家熟悉電快速瞬變(EFT)和浪涌。

圖2. 符合IEC61000-4-4標準的電快速瞬變4級波形。

表1. IEC規范

集成電路制造商如何應對芯片ESD？

芯片中的保護主要用于應對制造過(guò)程中的ESD，而不是在系統通電狀態(tài)下的ESD。這一差異非常重要，因為在放大器連接電源和沒(méi)連接電源時(shí)，其在遭受靜電時(shí)的反應截然不同。例如，內部保護二極管可消除在無(wú)電源供電時(shí)對部件的靜電放電沖擊。但是，當有電源供電時(shí)，對部件的靜電放電沖擊可能會(huì )使內部結構傳導的電流超過(guò)其設計承受水平，這可能導致該部件損毀，具體由部件和電源電壓決定。

這是全球范圍內亟待解決的問(wèn)題！如何保護IC免受這種潛在威脅？

希望您能夠意識到，這個(gè)挑戰涉及很多因素，一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案是無(wú)法應用于所有情況的。下方是一個(gè)涉及因素列表，列出了決定部件能否承受EOS事件的因素。這些因素分為兩組：無(wú)法控制的因素和可以控制的因素。

無(wú)法控制的因素：

圖3. IEC61000-4-5浪涌在8 μs/20 μs電流波形位置轉為正常狀態(tài)。

可以控制的因素：

• PCB布局：部件離沖擊的位置越近，其電能波形就越高。這是因為，當沖擊波形沿某條路徑傳播時(shí)，從傳播路徑輻射出去的電磁波會(huì )有能量損耗、這是由于路徑電阻產(chǎn)生的熱量以及與周邊導體耦合的寄生電容和電感所導致。

• 保護電路：這是對器件的生存能力最有意義的部分。上述無(wú)法控制的因素將會(huì )影響保護方案的設計。

現在有過(guò)壓保護(OVP)和過(guò)限額(OTT)特性�？梢岳�用這些特性來(lái)保護電路不受高壓瞬變影響嗎？

OVP和OTT特性讓部件的輸入在承受超過(guò)電源電壓的電壓時(shí)，本身不會(huì )受到損壞。依靠這些特性來(lái)保護電路不受高壓瞬變影響，就像是依靠雨靴來(lái)應對高壓沖水機一樣。雨靴只對水深不超過(guò)其高度的淺水沆有效，就像OVP和OTT只適用于比其額定值低的電壓。OVP和OTT的額定電壓比給定的供電軌電壓高幾十伏。它無(wú)法抵抗8000V的高壓。

如何知道保護電路是否有效？

通過(guò)結合器件知識、經(jīng)驗和測試，大致可以知道，系統中應該采用哪些部件最有利。為了保證器件可控，各家制造商提供了五花八門(mén)的保護組件，本文只討論兩種經(jīng)證實(shí)能夠有效保護模擬前端的電路保護方案。以下方案假設采用一個(gè)緩沖配置的運算放大器。這被認為是最嚴格的保護測試，因為同相輸入會(huì )承受所有沖擊，除此以外，電能無(wú)處可去（安裝保護電路之前）。

圖4. IEC-61000-4-2測試中采用的電路。

設計考量：

• R1應該是一個(gè)防脈沖（厚膜）電阻，這樣它在經(jīng)受高壓瞬變時(shí)不會(huì )輕易毀壞。

• R1電壓噪聲與電阻值的平方根成正比，如果系統需要低噪聲，這是一個(gè)重要的考慮因素。

• C1應該是一個(gè)陶瓷電容，其封裝尺寸至少為0805，以減小封裝的表面電弧。

• C1至少應為X5R類(lèi)型溫度系數的電容（理想為C0G/NP0類(lèi)型），以保持可預測的電容值。

• C1內部的等效串聯(lián)電感和電阻應盡可能低，以便有效吸收沖擊。

• 針對給定的封裝尺寸，C1的額定電壓應盡可能高（最低100 V）。

• 在本例中，C1的位置在R1之前，因為它構建了一個(gè)電容分壓器，其中150 pF 電容（如圖5所示）將ESD波形放電到系統中，這樣在放大器經(jīng)受波形之前，能量已經(jīng)先分流。

圖5. 通過(guò)在模擬輸入端配置低通濾波器實(shí)現輸入保護。

RC網(wǎng)絡(luò )保護方案

RC網(wǎng)絡(luò )保護方案

注意：雖然這種前端保護方法并沒(méi)有得到電容制造商的認可，但在針對放大器的數百次測試中證明是有效的。ESD測試曲線(xiàn)（如下所述）僅在有限范圍的電容產(chǎn)品上進(jìn)行過(guò)測試，因此，如果使用不同的電容產(chǎn)品，需要先表征其應對沖擊的特性，例如通過(guò)測量經(jīng)受ESD沖擊之前和之后的電容和等效串聯(lián)電阻的 方法，這一點(diǎn)非常重要。該電容器件應保持容值穩定，并且在被沖擊后，始終在直流下保持開(kāi)路狀態(tài)。

設計考量：

• 與RC網(wǎng)絡(luò )相同：R1應能承受脈沖，但可能需要考慮噪聲。

• 應該指明D1需要滿(mǎn)足的標準。有些可能只涵蓋ESD，其他的則涵蓋EFT和浪涌標準。

• D1應該是雙向的，這樣它就可以同時(shí)應對正負沖擊。

• D1反向工作電壓應盡可能高，同時(shí)仍需通過(guò)必要的測試。如果過(guò)低，在正常的系統電壓電平下可能出現漏電流。如果過(guò)高，則可能無(wú)法在系統損壞之前做出反應。

TVS二極管泄漏對性能的影響

在模擬電子領(lǐng)域，大家都知道TVS二極管容易發(fā)生泄漏，因此不能用于精密模擬前端。但有時(shí)情況不是這樣，許多數據手冊中的泄漏電流< 100µA，對于大多數模擬產(chǎn)品這個(gè)值是相當高的。對于這個(gè)數值，問(wèn)題在于，它是在最高溫度(150°C)和最大工作電壓下的取值。在這種情況下，二極管極易泄漏。超過(guò)85°C，所有二極管的泄漏電流會(huì )更高。只要選擇反向工作電壓更高的TVS二極管，且不期望在85°C以上實(shí)現極低漏電流，則有望獲得更低的泄漏電流。

圖6. 通過(guò)在模擬輸入端配置TVS二極管實(shí)現輸入保護。

TVS網(wǎng)絡(luò )保護方案

如果您選擇了合適的TVS，泄漏電流值可能低到讓您驚訝。圖7所示為測量12個(gè)相同產(chǎn)品型號的TVS二極管時(shí)獲得的泄漏數據。

圖7. 36 V雙向TVS二極管Bournes T36SC的泄漏值，在TIA中采用ADA4530評估板，帶屏蔽，在25°C時(shí)采用10 G電阻。

在測量的12個(gè)TVS二極管中，在直流偏置電壓為5 V時(shí)，最嚴重的泄漏量為7 pA。這比最壞情況下的數據表的值要好千百萬(wàn)倍。當然，不同批次的TVS二極管在泄漏方面存在差異，但這至少可以說(shuō)明預期的泄漏幅度。如果系統經(jīng)受的溫度不會(huì )超過(guò)85°C，TVS二極管可能是個(gè)不錯的選擇。只要記住，如果您選擇的產(chǎn)品不是本文所述的測試產(chǎn)品，請表征其泄漏特性。對一個(gè)部件或制造商而言正確的結論，對其他部件或制造商可能并不正確。

測試結果：

采用IEC ESD標準對一系列運算放大器進(jìn)行了測試。表2顯示不同保護方案分別適合保護的組件。雖然ESD標準規定在±8 kV要保證經(jīng)受三次沖擊，但所有這些方案都通過(guò)了在±9 kV時(shí)經(jīng)受100次沖擊的測試，以確保提供足夠的保護余量。

表2. 通過(guò)IEC-61000-4-2測試的器件列表及其各自的保護配置

EC標準要求，通過(guò)將兩個(gè)470 kΩ電阻與30 pF電容并聯(lián)，使ESD源的接地端與放大器的接地端連接在一起。本測試的設置則更為嚴格，它將ESD源的接地端與放大器的接地端直接相連。這些結果也在IEC接地耦合方案中得到了驗證，這可以進(jìn)一步增強產(chǎn)品的可信賴(lài)度。請記住，由于放大器的內部結構存在很大不同，對本列表中的器件適用的數據可能適用，也可能不適用于其他器件。如果使用其他器件或其他保護元件，建議對其進(jìn)行全面測試。

使用的保護元件：

• 電阻：Panasonic 0805 ERJ-P6系列

• 電容：Yageo 0805 100 V C0G/NPO

• TVS二極管：Bourns CDSOD323-T36SC（雙向，36 V，極低漏電流，符合ESD、EFT和浪涌標準）

• ESD壓敏電阻：Bourns MLA系列，0603 26 V

BBonus元件：ESD壓敏電阻

TVS二極管性能良好，可以經(jīng)受無(wú)數次沖擊。這對于EFT和浪涌保護非常不錯，但是，如果您只需要ESD保護，不妨看看ESD壓敏電阻，在達到某個(gè)電壓值之前，它們都用作高壓電阻，達到該電壓值之后，它們轉變?yōu)榈蛪弘娮�，可以分流掉壓敏電阻中的電能�?/font>