器件專(zhuān)門(mén)用于標準柵極驅動(dòng)電路，柵極電荷低至22.5 nC，Q_OSS為34.2 nC，采用PowerPAK^®1212-8S封裝

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET^®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內首款適用于標準柵極驅動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK^® 1212-8S封裝。Vishay SiliconixSiSS22DN專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時(shí)具有低輸出電荷（Q_OSS）。

與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型V_GS(th)和Miller（米勒）平臺電壓，適用于柵極驅動(dòng)電壓高于6 V的電路，器件最佳動(dòng)態(tài)特性縮短死區時(shí)間，防止同步整流應用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內低導通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下—Q_OSS為34.2 nC，Q_OSS與導通電阻乘積，即零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）或開(kāi)關(guān)柜拓撲結構功率轉換設計中，MOSFET的重要優(yōu)值系數（FOM）達到最佳水平。為實(shí)現更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類(lèi)似解決方案節省65%的PCB空間。

SiSS22DN改進(jìn)了技術(shù)規格，經(jīng)過(guò)調校最大限度降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，多電源管理系統構件可實(shí)現更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開(kāi)關(guān)、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務(wù)器電源OR-ing功能、電動(dòng)工具和工業(yè)設備電機驅動(dòng)控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。