對于小功率電機應用，成本比復雜性更為重要，并且對轉矩的平順性要求較低，因此單相無(wú)刷直流(BLDC)電機是三相電機或兩相電機不錯的替代方案。此類(lèi)電機結構簡(jiǎn)單，易于制造，因此成本較低。此外，它只需要使用一個(gè)電樞位置傳感器和幾個(gè) MOSFET 即可控制電機繞組。
本文介紹的基于 MCU 的驅動(dòng)電路實(shí)現對單相無(wú)刷電機的控制，它會(huì )利用兩個(gè)反饋回路。一個(gè)是內層回路，負責控制換向;另一個(gè)是外層回路，負責控制轉速。電機轉速以外部模擬電壓。作為參考，而且會(huì )檢測出過(guò)流和過(guò)溫故障。
圖 1 顯示了基于 Microchip 的 8 位單片機 PIC16F1613 的單相驅動(dòng)器。選擇這款單片機是因為其引腳數較少，并且片上外設可以控制驅動(dòng)器開(kāi)關(guān)、測量電機轉速、預測轉子位置以及實(shí)現故障檢測。本應用使用以下外設：互補波形發(fā)生器(CWG)、信號測量定時(shí)器(SMT)、模數轉換器(ADC)、數模轉換器(DAC)、捕捉 / 比較 / 脈寬調制(CCP)、固定參考電壓(FVR)、定時(shí)器、比較器和溫度指示器。上述外設通過(guò)固件在內部進(jìn)行連接，因此可減少所需的外部引腳數。其中值得一提的是，互補波形發(fā)生器是一個(gè)好東西，由專(zhuān)門(mén)的硬件電路產(chǎn)生適合驅動(dòng)馬達的互補信號，大大簡(jiǎn)化了程序設計。
全橋電路由 CWG 輸出進(jìn)行控制驅動(dòng)電機繞組，霍爾傳感器用于確定轉子位置。流過(guò)電機繞組的電流通過(guò)檢測電阻 Rshunt 轉換為電壓，從而實(shí)現過(guò)流保護。轉速以外部模擬輸入作為參考。圖 2 顯示了電機驅動(dòng)器控制框圖。
對于本設計，電機額定電壓為 5V，額定轉速為 2400 轉 / 分鐘。電機驅動(dòng)器電源電壓為 9V。改變 MOSFET 的額定電壓和導通電阻可以輕易適應從 3.3V~100V 不同的電壓和對應的功率等級。參考轉速可以是任一模擬輸入，比如一個(gè)電位器和固定電阻組成的分壓器，非常方便調速。PIC16F1613 單片機的 ADC 模塊具有 10 位分辨率以及最多 8 個(gè)通道，因此適用于各類(lèi)模擬輸入。ADC 模塊用于提供參考轉速和初始 PWM 占空比，從而根據參考轉速源對電機轉速進(jìn)行初始化。
內層回路
內層反饋回路負責控制換向。
馬達驅動(dòng)就好像猴子推秋千一樣，需要在恰當的時(shí)候用力�；魻杺鞲衅髫撠煾嬖V單片機何時(shí)用力。全橋驅動(dòng)就好像在左邊還有一個(gè)猴子，我們還要決定是哪邊的猴子要用力。CWG 輸出用于控制定子繞組的激勵，它取決于霍爾傳感器輸出的狀態(tài)(霍爾傳感器輸出將通過(guò)比較器與 FVR 進(jìn)行比較)。將使能比較器遲滯，以屏蔽傳感器輸出中的噪聲。比較器輸出可在正向全橋模式與反向全橋模式之間切換，從而使電機實(shí)現順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉。CWG 輸出將饋入全橋電路的開(kāi)關(guān)的輸入。要生成一個(gè)電氣周期，必須執行一次正反向組合。電機機械旋轉一周需要兩個(gè)電氣周期，因此必須執行兩次正反向組合電機才能完成一次順時(shí)針旋轉。
全橋電路
圖 3 所示的全橋電路主要由兩個(gè) P 溝道 MOSFET(用作上橋臂開(kāi)關(guān))和兩個(gè) N 溝道 MOSFET(用作下橋臂開(kāi)關(guān))組成。P 溝道晶體管的主要優(yōu)勢在于可以在上橋臂開(kāi)關(guān)位置輕松實(shí)現柵極驅動(dòng)，從而降低上橋臂柵極驅動(dòng)電路的成本。但這種組合上橋臂開(kāi)關(guān)和下橋臂開(kāi)關(guān)有可能同時(shí)導通，就是常說(shuō)的跨越導通，應極力避免這種狀況，否則將產(chǎn)生直通電流，導致驅動(dòng)器元件損壞。
為避免跨越導通，可使用 CWG 的計數器寄存器來(lái)實(shí)現死區延時(shí)。這樣可避免輸出信號發(fā)生重疊，繼而防止上橋臂和下橋臂同時(shí)導通。理想情況下，N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET 應具有相同的導通電阻(RDSon)和總柵極電荷 QG，以便獲得最佳的開(kāi)關(guān)特性。因此，最好選擇一對互補的 MOSFET 來(lái)匹配上述參數。
但實(shí)際上，由于互補 MOSFET 的結構不同，無(wú)法完全達到此要求;P 溝道器件的芯片尺寸必須是 N 溝道器件的 2 到 3 倍才能匹配 RDSon 性能。但是，芯片尺寸越大，QG 的影響也越大。因此，選擇 MOSFET 時(shí)，務(wù)必先確定 RDSon 和 QG 二者中哪個(gè)對開(kāi)關(guān)性能的影響更大，然后再相應地進(jìn)行選擇。
故障檢測
若轉矩負載超出允許的電機轉矩負載最大值，可能會(huì )導致電機停轉，從而使近似短路電流流過(guò)繞組。因此，為保護電機，必須實(shí)現過(guò)流和停轉故障檢測。為了實(shí)現過(guò)流檢測，本設計中有 Rshunt，該電阻會(huì )根據流過(guò)電機繞組的電流提供相應的電壓。電阻兩端的壓降隨電機電流線(xiàn)性變化。該電壓將饋入比較器的反相輸入并與參考電壓進(jìn)行比較，參考電壓基于 Rshunt 電阻與允許的電機停轉電流最大值之積。參考電壓可由 FVR 提供，并可通過(guò) DAC 進(jìn)一步縮小。這樣便可以使用非常小的參考電壓，從而將電阻保持在較低水平，進(jìn)而降低 Rshunt 的功耗。為了濾除噪聲和保護單片機的 IO，Rshunt 上的信號通過(guò) R8，C5 這個(gè)低通濾波器接入單片機，會(huì )造成一定時(shí)間的延遲觸發(fā)，可以根據需要略微調整低通濾波器的時(shí)間常數。
如果 Rshunt 電壓超出參考電壓，比較器輸出會(huì )觸發(fā) CWG 的自動(dòng)關(guān)斷功能，并且只要故障存在，CWG 的輸出便會(huì )保持無(wú)效狀態(tài)。過(guò)溫故障可通過(guò)器件的片上溫度指示器進(jìn)行檢測，溫度指示器的測量范圍為 -40˚C 至+85˚C。指示器的內部電路會(huì )隨著(zhù)溫度的不同而產(chǎn)生不同的電壓，然后通過(guò) ADC 將此電壓轉換為數字量。為提高溫度指示器的精確度，可實(shí)施單點(diǎn)校準。
下圖是馬達繞向和電流圖，供 debug 使用。
外層回路
圖 2 中所示的外層回路用于控制電機在不同條件下的轉速，例如負載需求、干擾和溫度漂移變化等。轉速由 SMT 測量。SMT 是一款具有時(shí)鐘和門(mén)控邏輯的 24 位計數定時(shí)器，經(jīng)配置可用于測量多種數字信號參數，如脈沖寬度、頻率、占空比以及兩輸入信號邊沿之間的時(shí)間差�？赏ㄟ^(guò) SMT 的周期和占空比采集模式測量電機的輸出頻率。在此模式下，SMT 信號的占空比或周期都可基于 SMT 時(shí)鐘進(jìn)行采集。SMT 會(huì )計算單個(gè)電機旋轉周期內的 SMT 時(shí)鐘數，然后將結果存儲于捕捉周期寄存器中。使用該寄存器可獲得電機的實(shí)際頻率。將實(shí)際轉速與參考轉速進(jìn)行比較時(shí)，如果實(shí)際轉速高于設定的參考轉速，則產(chǎn)生正誤差;如果實(shí)際轉速低于設定的參考轉速，則產(chǎn)生負誤差。此誤差會(huì )饋入 PI 控制器。PI 控制器是一種固件算法，用于計算轉速偏差的補償值。在初始 PWM 占空比的基礎上加減此補償值可得到新的占空比值。
主程序框圖：
速度控制框圖：
中斷處理流程：
結論
在成本敏感型電機控制應用中，高效而靈活的單片機可大顯身手。器件效率可針對外設集成度進(jìn)行測量，從而優(yōu)化控制任務(wù)、引腳和存儲器數量以及封裝尺寸。此外，如果需要不同的設計，易用性和上市時(shí)間也會(huì )顯得尤為重要。本文介紹了低成本單片機如何滿(mǎn)足上述需求，以及如何通過(guò)驅動(dòng)器設置所需的參考轉速、預測轉子位置、實(shí)現控制算法、測量電機實(shí)際轉速以及執行故障檢測。 |
