1、引 言
隨著(zhù)微步進(jìn)電機應用的日益廣泛,其驅動(dòng)電路的發(fā)展也相當迅速,各類(lèi)控制芯片的功能越來(lái)越豐富,操作也越來(lái)越簡(jiǎn)便。A3977是一種新近開(kāi)發(fā)出來(lái)、專(zhuān)門(mén)用于雙極型步進(jìn)電機的微步進(jìn)電機驅動(dòng)集成電路,其內部集成了步進(jìn)和直接譯碼接口、正反轉控制電路、雙H橋驅動(dòng),電流輸出2.5A,最大輸出功率可接近90W。它主要的設計功能包括:自動(dòng)混合模式電流衰減控制,PWM電流控制,同步整流,低輸出阻抗的DMOS電源輸出,全、半、1/4及1/8步進(jìn)操作,HOME輸出,休眠模式以及易實(shí)現的步進(jìn)和方向接口等。其應用電路結構簡(jiǎn)單、使用及控制方便,有著(zhù)極其廣泛的應用價(jià)值。
2、A3977工作特點(diǎn)
大多數微步進(jìn)電機驅動(dòng)器都需要一些額外的控制線(xiàn),通過(guò)D/A轉換器為PWM電流調節器設置參考值以及通過(guò)相輸入完成電流極性控制等。許多改進(jìn)型驅動(dòng)器仍然需要一些輸入來(lái)調整PWM電流控制模式使其工作在慢、快或混合衰減模式。這就需要系統的微處理器額外負擔8~12個(gè)需依靠D/A變換處理的輸入端。如果一個(gè)系統需要如此多的控制輸入,而且其微處理器還要存儲實(shí)現其控制的時(shí)序表,這就增加了系統的成本和復雜程度。

A3977可以通過(guò)其特有的譯碼器來(lái)使這些功能實(shí)現簡(jiǎn)單化,如圖1所示,其最簡(jiǎn)單的步進(jìn)輸入只需“STEP”(步進(jìn))和“DIR”(方向)2條輸入線(xiàn),輸出由DMOS的雙H橋完成。通過(guò)“STEP”腳簡(jiǎn)單的輸入1個(gè)脈沖就可以使電機完成1次步進(jìn),省去了相序表,高頻控制線(xiàn)及復雜的編程接口。這使其更適于應用在沒(méi)有復雜的微處理器或微處理器負擔過(guò)重的場(chǎng)合。同時(shí)A3977的內部電路可以自動(dòng)地控制其PWM操作工作在快、慢及混合衰減模式。這不但降低了電機工作時(shí)產(chǎn)生的噪聲,也同時(shí)省去了一些額外的控制線(xiàn)。
另外,其內部低輸出阻抗的N溝道功率DMOS輸出結構,可以使其輸出達到2.5A,35V。這一結構的另一優(yōu)點(diǎn)是,使它能完成同步整流功能。由于有同步整流流功能,既降低了系統的功耗,又可以在應用時(shí)省去外加的肖特基二極管。
A3977的休眠功能可以使系統不工作時(shí)的功耗達到最低。休眠時(shí)芯片的大部分內部電路,如輸出DMOS、比較器及電荷泵等都將停止工作。從而在休眠模式時(shí),包括電機驅動(dòng)電流在內的總電流消耗在40μA以?xún)。此外,內?/font>保護電路還有利用磁滯實(shí)現的熱停車(chē)、低壓關(guān)斷及換流保護等功能。
集成電路的主要特點(diǎn):
(1)額定輸出為:±2.5A,35V。
(2)低輸出阻抗,源端0.45Ω,接收端0.36Ω。
(3)自動(dòng)電流衰減檢測并選擇混合、快和慢等電流衰減模式。
(4)邏輯電平范圍為3.0~5.5V。
(5)HOME輸出。
(6)降低功耗的同步整流功能。
(7)內部低壓關(guān)斷、熱停車(chē)電路及環(huán)流保護。
3、A3977引腳說(shuō)明
A3977有兩種封裝:一種是44引腳銅標塑封(后綴為ED,A3977SED),另一種是28引腳帶散熱襯墊的塑封(后綴為L(cháng)P,A3977SLP),其引腳功能說(shuō)明如表1所示。

電荷泵CP1、CP2可以產(chǎn)生一個(gè)高于VBB的門(mén)電平,用來(lái)驅動(dòng)DMOS源端的門(mén)。其實(shí)現方法是在CP1和CP2之間接一個(gè)0.22μF的陶瓷電容。同時(shí)VCP和VBB間也需要一個(gè)0.22μF的陶瓷電容作為一個(gè)蓄能器,用來(lái)操作DMOS的高端設備。
VREG是由系統內部產(chǎn)生,用于對DMOS漏端輸出進(jìn)行操作。VREG引腳須對地加一個(gè)0.22μF的陶瓷電容作為一個(gè)蓄能器,用來(lái)操作DMOS的高端設備。
VREG是由系統內部產(chǎn)生,用于對DMOS漏端輸出進(jìn)行操作。VREG引腳須對地加一個(gè)0.22μF的電容去耦。VREG是受內部的電平調節器控制的,發(fā)生故障時(shí)其輸出是被禁止的。
RC1和RC2引腳是為內部PWM電路提供固定截止時(shí)間的。A3977的內部PWM控制電路是用一個(gè)脈沖來(lái)控制器件的截止時(shí)間的。而這個(gè)脈沖的—84—截止時(shí)間toff就是由RC1和RC2引腳對地所接的電阻RT和電容CT決定的,即:
toff=RT CT
式中,電阻RT和電容CT的取值范圍分別為12~100kΩ及470~1 500pF〉
另外,除了可以為內部PWM控制提供截止時(shí)間外,CT還為比較器提供了關(guān)斷時(shí)間tBLANK。A3977的設計要求當其輸出由內部電流控制電路切換時(shí),電路取樣比較器的輸出是被禁止的。從而可以防止對過(guò)電流檢測作出誤判斷。tBLANK的取值為:
tBLANK=1400CT
ENABLE輸入為低電平有效,它是DMOS輸出的使能控制信號。RESET輸入也是低電平有效,當其為低電平時(shí),DMOS的輸出將被關(guān)斷,所有的步進(jìn)邏輯輸入也將被忽略直至其輸入變高為止。
4、基本功能說(shuō)明及應用電路
由于采用了內置譯碼器技術(shù),A3977可以很容易的使用最少的控制線(xiàn)對步進(jìn)電機實(shí)施微步進(jìn)控制。具體功能實(shí)現如下:
(1)步進(jìn)控制:步進(jìn)控制信號有步進(jìn)輸入(STEP)、步進(jìn)模式邏輯輸入(MS1,MS2)以及方向控制信號(DIR)。每一次上電或復位(RESET=0)后,在內置譯碼器的作用下將H橋的輸出預置到HOME輸入所對應的輸出狀態(tài),然后當STEP輸入的上升沿到來(lái)后,內置譯碼器將根據步進(jìn)邏輯的輸入值(步進(jìn)模式見(jiàn)表2)控制H橋的輸出,使電機在當前步進(jìn)模式下產(chǎn)生1次步進(jìn)。
步進(jìn)的方向由DIR的輸入邏輯控制,其高、低電平分別控制雙相電機正反轉。

注:①全步進(jìn)轉過(guò)的角度為45°。
(2)內部PWM電流控制:每一個(gè)H橋都有一個(gè)有固定截止時(shí)間的PWM電流控制電路,以限制其負載電流在一個(gè)設計值。初始時(shí),對角線(xiàn)上的一對源接收DMOS(一對上下橋臂)處于輸出狀態(tài),電流流經(jīng)電機繞組和SENCE腳所接的電流取樣電阻(見(jiàn)圖1)。當取樣電阻上的壓降等于D/A的輸出電壓時(shí),電流取樣比較器將PWM鎖存器復位,從而關(guān)斷源驅動(dòng)器(上橋臂),進(jìn)入慢衰減模式;或同時(shí)關(guān)斷源接收驅動(dòng)器(上下橋臂)進(jìn)入快或混合衰減模式,使產(chǎn)生環(huán)流或電流回流至源端。該環(huán)流或回流將持續衰減至固定截止時(shí)間結束為止。然后,正確的輸出橋臂被再次啟動(dòng),電機繞組電流再次增加,整個(gè)PWM循環(huán)完成。
其中,最大限流Imax是由取樣電阻RS和電流取樣比較器的輸入電平VREF控制的:
Imax=VREF/8RS固定截止時(shí)間toff的計算如上所述。
(3)電流衰減模式控制:A3977具有自動(dòng)檢測電流衰減及選擇電流衰減模式功能,從而能給微步進(jìn)提供最佳的正弦電流輸出。電流衰減模式由PFD的輸入進(jìn)行控制,其輸入電平的高低控制輸出電流處于慢、快及混合衰減模式。如果PFD的輸入電壓高于0.6VDD,則選擇慢衰減模式。如果PFD的輸入電壓低于0.21VDD,則選擇快衰減模式。處于二者之間的PFD電平值將選擇混合衰減模式。
其中混合衰減模式將一個(gè)PWM周期的固定截止時(shí)間分為快、慢兩個(gè)衰減部分。當電流達到最大限流Imax后,系統將進(jìn)入快衰減模式直至SENCE上的取樣電壓衰減至PFD的端電壓VPFD。經(jīng)過(guò)tFD的快衰減后,器件將切換至慢衰減模式直至固定截止時(shí)間結束。
其中,器件工作在快衰減模式的時(shí)間tFD為:
tFD=RTCrln(0.6VPFD/VPFD)
(4)同步整流控制:同步整流控制是由SR的邏輯輸入控制的。當SR輸入為低電平時(shí),同步整流功能將被啟動(dòng)。此期間,當檢測到電流為零值時(shí),可通過(guò)關(guān)閉同步整流功能來(lái)防止負載電流反向,從而防止了電機繞組反方向導通。而當SR輸入為高電平時(shí),同步整流將被禁止。
(5)休眠模式:當SLEEP引腳輸入為低電平時(shí),器件將進(jìn)入休眠模式,從而大大降低器件空閑的功耗。進(jìn)入休眠模式后器件的大部分內部電路包括DMOS輸出電路、調節器及電荷泵等都將停止工作。當其輸入為高電平時(shí),系統恢復到正常的操作狀態(tài)并將器件的輸出預置到HOME狀態(tài)。
(6)典型應用電路:其典型應用電路如圖1所示,可見(jiàn)其應用電路是非常簡(jiǎn)單的,其正常工作時(shí)僅需5個(gè)邏輯輸入即可。
5、應用注意事項
(1)PFD引入端應加一個(gè)0.1μF的電容去耦。
(2)布線(xiàn)時(shí)應布一個(gè)較厚的地層,最好在本器件周?chē)忌闲切蔚亍?/font>
(3)最好將芯片直接焊接在線(xiàn)路板上。
(4)為VBB引腳加一個(gè)大于47μF的電解電容去耦(越靠近芯片越好)。
(5)為保證輸出電流取樣的精確,最好使取樣電阻有自己?jiǎn)为毜牡,并將其連到器件周?chē)男切蔚?/font>
上,而且引線(xiàn)越短越好。
(6)當系統由休眠模式退出后,最少要延遲1ms才可以輸入步進(jìn)命令,從而為驅動(dòng)DMOS的電荷泵復位提供充裕的時(shí)間。
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