當面對數以千計的熱敏電阻類(lèi)型時(shí)，選型可能會(huì )造成相當大的困難。在這篇技術(shù)文章中，我將為您介紹選擇熱敏電阻時(shí)需牢記的一些重要參數，尤其是當要在兩種常用的用于溫度傳感的熱敏電阻類(lèi)型（負溫度系數NTC熱敏電阻或硅基線(xiàn)性熱敏電阻）之間做出決定時(shí)。NTC熱敏電阻由于價(jià)格低廉而廣泛使用，但在極端溫度下提供精度較低。硅基線(xiàn)性熱敏電阻可在更寬溫度范圍內提供更佳性能和更高精度，但通常其價(jià)格較高。下文中我們將會(huì )介紹，正在市場(chǎng)投放中的其他線(xiàn)性熱敏電阻，可以提供更具成本效益的高性能選件，幫助解決廣泛的溫度傳感需求的同時(shí)不會(huì )增加解決方案的總體成本。
適用于您應用的熱敏電阻將取決于許多參數，例如：
物料清單（BOM）成本。
電阻容差。
校準點(diǎn)。
靈敏度（每攝氏度電阻的變化）。
自熱和傳感器漂移。
物料清單成本
熱敏電阻本身的價(jià)格并不昂貴。由于它們是離散的，因此可以通過(guò)使用額外的電路來(lái)改變其電壓降。例如，如果您使用的是非線(xiàn)性的NTC熱敏電阻，且希望在設備上出現線(xiàn)性電壓降，則可選擇添加額外的電阻器幫助實(shí)現此特性。但是，另一種可降低BOM和解決方案總成本的替代方案是使用自身提供所需壓降的線(xiàn)性熱敏電阻。好消息是，借助我們的新型線(xiàn)性熱敏電阻系列，這兩。這意味著(zhù)工程師可以簡(jiǎn)化設計、降低系統成本并將印刷電路板（PCB）的布局尺寸至少減少33%。
電阻容差
熱敏電阻按其在25°C時(shí)的電阻容差進(jìn)行分類(lèi)，但這并不能完全說(shuō)明它們如何隨溫度變化。您可以使用設計工具或數據表中的器件電阻與溫度（R-T）表中提供的最小、典型和最大電阻值來(lái)計算相關(guān)的特定溫度范圍內的容差。
為了說(shuō)明容差如何隨熱敏電阻技術(shù)的變化而變化，讓我們比較一下NTC和我們的基于TMP61硅基熱敏電阻，它們的額定電阻容差均為±1%。圖1說(shuō)明了當溫度偏離25°C時(shí)，兩個(gè)器件的電阻容差都會(huì )增加，但在極端溫度下兩者之間會(huì )有很大差異。計算此差異非常重要，這樣您就可選擇相關(guān)溫度范圍內保持較低容差的器件。
圖1：電阻容差：NTC與TMP61
校準點(diǎn)
并不知曉熱敏電阻在其電阻容差范圍內的位置會(huì )降低系統性能，因為您需要更大的誤差范圍。校準將告知您期望的電阻值，這可幫助您大幅減少誤差范圍。但是，這是制造過(guò)程中的一個(gè)附加步驟，因此應盡量將校準保持在更低水平。
校準點(diǎn)的數量取決于所使用的熱敏電阻類(lèi)型以及應用的溫度范圍。對于較窄的溫度范圍，一個(gè)校準點(diǎn)適用于大多數熱敏電阻。對于需要寬溫度范圍的應用，您有兩種選擇：1）使用NTC校準三次（這是由于它們在極端溫度下的靈敏度低且有較高電阻容差），或2）使用硅基線(xiàn)性熱敏電阻校準一次，其比NTC更加穩定。
靈敏度
當試圖從熱敏電阻獲得良好精度時(shí)，每攝氏度電阻（靈敏度）出現較大變化只是其中一個(gè)難題。但是，除非您通過(guò)校準或選擇低電阻容差的熱敏電阻在軟件中獲得正確的電阻值，否則較大的靈敏度也將無(wú)濟于事。
由于NTC電阻值呈指數下降，因此在低溫下具有極高的靈敏度，但是隨著(zhù)溫度升高，靈敏度也會(huì )急劇下降。硅基線(xiàn)性熱敏電阻的靈敏度不像NTC那樣高，因此它可在整個(gè)溫度范圍內進(jìn)行穩定測量。隨著(zhù)溫度升高，硅基線(xiàn)性熱敏電阻的靈敏度通常在約60°C時(shí)超過(guò)NTC的靈敏度。
自熱和傳感器漂移
熱敏電阻以熱量形式散發(fā)能耗，這會(huì )影響其測量精度。散發(fā)的熱量取決于許多參數，包括材料成分和流經(jīng)器件的電流。
傳感器漂移是熱敏電阻隨時(shí)間漂移的量，通常通過(guò)電阻值百分比變化給出的加速壽命測試在數據表中指定。如果您的應用要求使用壽命較長(cháng)，且靈敏度和精度始終如一，請選擇具有較低自熱且傳感器漂移小的熱敏電阻。
那么，您應該何時(shí)在NTC上使用像TMP61這樣的硅線(xiàn)性熱敏電阻呢？
查看表1，您可以發(fā)現：相同價(jià)格下，幾乎在硅基線(xiàn)性熱敏電阻的規定工作溫度范圍內的任何情況下，硅基線(xiàn)性熱敏電阻都可以從其線(xiàn)性和穩定性中獲益。硅基線(xiàn)性熱敏電阻也有商用和汽車(chē)用兩種版本，并采用表面貼裝器件NTC通用標準0402和0603封裝。
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參數
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NTC熱敏電阻
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硅基線(xiàn)性熱敏電阻
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物料清單成本
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低至中：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->熱敏電阻的低成本
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->可能需要額外的線(xiàn)性化電路
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低：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->熱敏電阻的低成本
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->無(wú)需額外的線(xiàn)性化電路
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電阻容差
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大：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->25°C時(shí)容差與極端溫度之間的巨大差異
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�。�
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->整個(gè)溫度范圍內，較小±1.5%最大容差
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靈敏度
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不一致：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->低溫下非常大
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->隨著(zhù)溫度的升高急劇下降
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一致：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->在整個(gè)溫度范圍內保持穩定的靈敏度
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->高于通常超過(guò)60°C的NTC
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校準點(diǎn)
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多點(diǎn)：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->廣泛應用需要多個(gè)點(diǎn)
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一個(gè)點(diǎn)：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->廣泛應用僅需一個(gè)點(diǎn)
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自熱和傳感器漂移
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高：
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->隨溫度增加功耗
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->傳感器漂移大
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最�。�
隨溫度降低功耗
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->傳感器漂移小
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表1：NTC與TI硅基線(xiàn)性熱敏電阻
